山东有研半导体材料有限公司
- 作品数：93 被引量：2H指数：1
- 相关机构：有研半导体材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司有色金属技术经济研究院更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺
- 本发明公开了一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺。该工艺包括以下步骤：(1)将硅片放在一个圆形吸盘上，硅片与吸盘之间靠真空固定，吸盘与硅片的圆心重合于一点，吸盘以1000‑3000rpm的转速携带硅片旋转，此时向硅片圆...
- 林霖陈克强田凤阁韩佩鑫张坤飞王新史训达郑宇
- 硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法
- 本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。本文件适用于直径不小于50mm，厚度不小于100μm的洁净、干燥的硅片，包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片，也可用于...
- 孙燕蔡丽艳贺东江李素青王可胜徐新华张海英王振国潘金平曹雁楼春兰张雪囡皮坤林
- 液相还原联用吸附技术处理废气中氮氧化物
- 2020年
- 在半导体硅片的制作过程中,会产生大量氮氧化物,对环境造成严重的污染,同时也对人体产生极大的危害。本文结合半导体产业特点设计的液相还原技术结合干式吸附技术通过单因素试验考察了pH值、ORP值、风压三个参数对系统去除氮氧化物效率的影响;并利用响应面法,以废气中氮氧化物去除率为相应目标,优化了液相还原系统的工艺参数。在pH值为13;ORP值为-390;风压为176.96 Pa时,液相还原系统对废气中氮氧化物的去除率可达96%以上。经检测,排出废气的氮氧化物含量为4~5 mg/m^3,完全符合国家及地方要求,为厂区及周边环境提供保障。
- 赵晶孙超姜楠张果虎陈信
- 关键词：液相还原氮氧化物
- 一种用于判定直拉硅单晶位错的装置
- 本实用新型公开了一种用于判定直拉硅单晶位错的装置。该装置包括CCD相机，该CCD相机通过固定支架固定在单晶炉副室炉筒侧壁上的观察窗，并通过数据线连接电脑；该CCD相机正对单晶炉副室炉筒内的硅单晶表面，并将采集到的硅单晶表...
- 王万华李英涛王凯磊皮小争姜舰崔彬吴志强
- 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）
- 本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI订片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。注：目前该方法主...
- 王玥朱晓彤孙燕宁永铎徐新华徐国科李春阳张海英陈海婷丁雄杰郭正江
- 一种精准控制单晶生长界面的方法
- 本发明公开了一种精准控制单晶生长界面的方法，包括以下步骤：(1)等径直径稳定后，通过单晶炉客户端依次获得等径过程中直径稳定位置A和单晶重量W1、位置B和单晶重量W2、位置C和单晶重量W3；其中位置C为生长界面所在位置，计...
- 张欢郝晓明张宏浩吴志强崔彬姜舰连庆伟李超
- 文献传递
- 超纯水水质对大直径硅片酸腐蚀表面质量的影响
- 2020年
- 为了探究超纯水水质对大直径硅片酸腐蚀表面质量的影响,本次研究从影响超纯水水质的多种参数入手,比较超纯水参数浮动时大直径硅片在酸腐蚀工艺中表面质量的变化,采取控制变量方法,根据实际生产情况构建对比实验,分析不同参数的重要程度与影响表面质量。文中对超纯水电阻率、总有机碳(TOC)、颗粒数目、溶氧数值、细菌数目分别探讨,得出完成了初步理论研究,并为实际生产提供指导方向,得出结论:超纯水电阻率越高,通常酸腐蚀冲洗硅片的工艺越稳定;总有机碳(TOC)对酸腐蚀的影响是易产生且明显;其余参数不稳定时,也会有硅片表面质量缺项的出现。
- 赵晶孙超李文硕陈信
- 关键词：超纯水酸腐蚀水质参数
- 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法
- 本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。本文件适用于电阻率大于1Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。
- 朱志高陈俊宏陈凤林高海棠李素青朱晓彤由佰玲吕莹潘金平张海英胡晓亮方丽霞陈跃骅黄景明
- 一种硅基二氧化硅背封薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种硅基二氧化硅背封薄膜的制备方法，该方法包括高温氧化预处理步骤和低温低压CVD沉积步骤；在高温氧化预处理步骤中，温度为1000℃‑1100℃，氧气流量为20‑30sccm，时间为10‑20min；在低温低压...
- 徐继平宁永铎钟耕杭白雪史训达边永智鲁进军蔡丽艳
- 一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法
- 本发明公开了一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法。该方法中使用的原辅材料包括切割辊涂覆材料、过线轮材料、水性切削液、金刚线，其中，所述切割辊涂覆材料为高分子聚乙烯材料；过线轮线圈材质选用高分子聚乙烯材料，支撑框架采用铝...
- 褚天宇蔡明朱秦发王学峰李亚光皇志威
