北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心
- 作品数：62 被引量：96H指数：7
- 相关作者：刘鹏黄利伟王涛更多>>
- 相关机构：江苏大学能源与动力工程学院安徽工程大学电气工程学院天津大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- GaN材料衬底的进展
- 氮化物-Ⅲ族半导体,由于其特有的带隙范围和优良的光电特性,该材料在紫外、可见光波段发光二极管(LED),蓝、绿光激光器(LD),高频、大功率电子器件、UV-探测器等光电子器件有着广泛的应用前景,因此也成为宽禁带半导体材料...
- 张国义
- 文献传递
- 大尺寸HVPE反应器托盘温度的数值模拟研究被引量：1
- 2015年
- 对大尺寸氢化物气相外延(HVPE)反应器的流场和温场进行二维数值模拟研究,旨在提高托盘表面温度和温度分布均匀性。基准模拟显示,靠近喷头的加热器对托盘温度的影响大于底部加热器,随着加热器功率增大,温度分布均匀性变差。在基准模拟的基础上,提出在反应器底部设置隔热钼屏的托盘升温方法。优化后的模拟显示,托盘温度升高约48 K,而温度均匀性变化不大。在使用4层钼屏的基础上,通过在石墨托盘内部开圆柱槽,显著提高了托盘温度分布均匀性,并使温度进一步提升约5 K。
- 赵江左然刘鹏童玉珍张国义
- 关键词：数值模拟温场
- In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究被引量：1
- 2016年
- 为了优化InGaN太阳能电池结构并有效地指导实际电池的制备,研究了n-i-p(p层在下)In组分梯度渐变结构的InGaN太阳能电池的性能特征。通过APSYS软件模拟计算,对比采用p-i-n渐变结构(p层在上)和n-i-p渐变结构(p层在下)的InGaN太阳能电池的器件性能。结果表明,采用n-i-p渐变结构的InGaN电池,i-InGaN层在低In组分下没有明显的优势,而在高In组分下的器件性能较好。在In组分为0.62时,转换效率最高达到8.48%。分析表明,p层在下的n-i-p渐变结构使得InGaN电池的极化电场与耗尽区的内建电场方向一致,有利于载流子的输运。采用n-i-p渐变结构有利于制备高性能的InGaN太阳能电池。
- 鲁麟李明潮许福军江明陈其工
- 关键词：INGAN太阳能电池
- 氮化物半导体中载流子的自旋输运性质
- 子自旋自由度为基础的自旋电子学器件以速度快、功耗低、集成度高等优点,在未来的信息技术领域有着广泛的应用前景.氮化物半导体具有较长的自旋驰豫时间和高于室温的居里转变温度.同时具有很强的自发和压电极化电场,导致了较强的自旋轨...
- 唐宁沈波
- 关键词：氮化物半导体材料载流子各向异性
- N型GAN中高场电子漂移速度的尺寸效应
- 引言:GAN基半导体材料的高场输运性质凭借其在高功率、高频率电子器件工作过程中的重要性,受到了广泛的关注.负微分电阻效应是一种重要的高场效应,它决定了高电场下工作的器件性能,电子速度过冲更增强了器件的高速工作.因此,研...
- 文献传递网络资源链接
- 采用InxGa1-xN沟道层的GaN基异质结构MOCVD生长及其高温电学性质研究
- 以InGaN为沟道层的AlGaN/InGaN/GaN异质结构以其更高的电子饱和漂移速度和更高的二维电子气(2DEG)密度在微波功率器件方面有重要应用前景。我们用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了具有较好电学性...
- 宋杰许福军苗振林黄呈橙杨志坚沈波
- 关键词：MOCVD生长
- 文献传递
- MOCVD生长的AlInN薄膜性质研究
- 近几年,InAlN薄膜的研究引起了广泛关注。研究表明,In组分为18%的AlInN薄膜的a面晶格常数与GaN相同,AlInN/GaN为无应变的异质结构。从而,这一材料体系为制备性能优异的微电子器件和光电子器件提供了可能。...
- 于彤军苗振林许福军沈波张国义
- 文献传递
- 发光二极管的低频电容特性
- 2009年
- 通过自建装置精确测试了发光二极管(LED)的低频(小于102Hz)电学特性。电学测量表明,所有LED在低频下都表现出明显的负电容(NC)现象,且频率越低NC现象越明显。调制发光测量表明,相对发光强度在低频下表现出明显饱和现象,并且随频率增加而减小。比较电学和光学的测量结果可以证实,辐射发光是产生NC现象的主要原因。通过对LED电学测量结果的详细分析得出了NC随电压和频率的变化关系式。
- 冯列峰李杨王军从红侠朱传云王存达张国义
- 关键词：低频特性发光二极管(LED)
- MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED被引量：10
- 2003年
- 利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。
- 李忠辉杨志坚于彤军胡晓东杨华陆曙任谦金春来章蓓张国义
- 关键词：INGANMOCVD
- 高亮度白光LED用外延片的新进展被引量：11
- 2007年
- 文章首先介绍了发光二极管(LED)的内量子效率、外量子效率的基本概念和提高量子效率的基本方法,接着对LED外延的结构和方法做了简要介绍.文章的第三和第四部分则着重介绍了提高内、外量子效率的外延方法,这些方法包括外延结构的优化,侧向外延生长,SiC和GaN衬底的生长,AlInGaN四元系有源区生长,非极性面、半极性面的外延,表面粗化结构生长,图形化二次外延结构.图形化蓝宝石衬底上的外延,提高载流子注入效率的结构和组分设计.文章的第五部分则介绍了基于可靠性和成本考虑的其他新型外延结构,第六部分介绍了提高LED可靠性的外延方法.最后得出结论:采用非极性面的GaN衬底,生长优化的LED结构,并结合光子晶体技术,可望取得突破性进展.
- 张国义陆敏陈志忠
- 关键词：发光二极管量子效率可靠性
