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JX日矿日石金属株式会社

作品数:597 被引量:0H指数:0
相关机构:东邦钛株式会社杜邦-东丽株式会社大同特殊钢株式会社更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 597篇中文专利

领域

  • 32篇金属学及工艺
  • 23篇电子电信
  • 9篇电气工程
  • 4篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 190篇铜箔
  • 167篇合金
  • 82篇铜合金
  • 79篇电池
  • 75篇金属
  • 61篇树脂
  • 61篇锂离子
  • 61篇离子
  • 60篇锂离子电池
  • 60篇离子电池
  • 56篇正极
  • 56篇正极活性物质
  • 41篇表面处理
  • 40篇电子部件
  • 40篇
  • 37篇衍射
  • 36篇粒径
  • 34篇电子材料
  • 34篇布线板
  • 33篇中间层

机构

  • 597篇JX日矿日石...
  • 2篇JNC株式会...
  • 2篇大同特殊钢株...
  • 2篇杜邦-东丽株...
  • 2篇东邦钛株式会...

年份

  • 1篇2022
  • 6篇2020
  • 17篇2019
  • 41篇2018
  • 45篇2017
  • 79篇2016
  • 107篇2015
  • 86篇2014
  • 56篇2013
  • 87篇2012
  • 72篇2011
597 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铜阳极或含磷铜阳极、在半导体晶片上电镀铜的方法及粒子附着少的半导体晶片
一种在半导体晶片上电镀铜中使用的铜阳极或含磷铜阳极,其特征在于,铜阳极或除磷以外的含磷铜阳极的纯度为99.99重量%以上、杂质硅的含量为10重量ppm以下。本发明提供进行电镀铜时能够有效防止在被镀物特别是半导体晶片上粒子...
相场玲宏高桥祐史
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多晶硅的制造方法及四氯化硅的制造方法
本发明提供多晶硅以及四氯化硅的制造方法,其中在多晶硅的制造工艺中,可以使用廉价且可稳定供给的原料,顺利地进行氯化反应,氯化反应后的杂质得到抑制,可以有效地利用能量来进行制造。该多晶硅的制造方法的特征在于,包含:将由二氧化...
笼桥亘堀川松秀垣內康辅
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电子材料用铜合金的制造方法
本发明提供适合用作端子、连接器、开关、继电器用途的材料的电子材料用铜合金,所述铜合金在强度、导电率及弯曲加工性的平衡方面优异。电子材料用铜合金,其特征在于,含有Co:1.00-2.50%质量、Si:0.20-0.70%质...
桑垣宽江良尚彦
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电磁波屏蔽用复合体
本发明提供一种针对弯折或反复弯曲等变形防止铜箔开裂,屏蔽性能不易随着时间的推移而劣化的电磁波屏蔽用复合体。该电磁波屏蔽用复合体中,在厚5~15μm的铜箔的单面被覆有附着量为90~5000μg/dm<Sup>2</Sup>...
冠和树村田正辉
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印刷电路用铜箔及覆铜箔层压板
一种印刷电路用铜箔,在铜箔的表面具有通过铜-钴-镍合金镀形成的粗化处理层、在该粗化处理层上形成的钴-镍合金镀层及在该钴-镍合金镀层上形成的锌-镍合金镀层,其特征在于,所述锌-镍合金镀层的总量为150~500μg/dm<S...
樋口直树
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附载体铜箔
本发明涉及附载体铜箔。本发明提供一种适于形成窄间距的附载体铜箔。该附载体铜箔具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层,极薄铜层经粗化处理,极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.6μm...
古曳伦也永浦友太坂口和彦千叶徹
锂离子电池用正极活性物质、锂离子电池用正极及锂离子电池
本发明提供一种具有良好电池特性的锂离子电池用正极活性物质。锂离子电池用正极活性物质以组成式Li<Sub>x</Sub>Ni<Sub>1-y</Sub>M<Sub>y</Sub>O<Sub>2+α</Sub>表示(前式中,...
冈本健太郎
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铜箔、及使用有它的构件、电路的形成方法、半加成法、印刷配线板的制造方法
本发明提供一种用于半加成法的铜箔,当铜箔积层于树脂衬底并进行整面蚀刻时,转印有铜箔表面轮廓的树脂衬底的蚀刻面与镀敷膜层的结合力变得良好。本发明的铜箔依序具备铜箔主体层、粗化处理层、及含有铬的防锈处理层,在将上述铜箔自具有...
石井雅史
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从含有导电氧化物的废料中回收有价值金属的方法
一种从氧化物废料中回收有价值金属的方法,其特征在于,通过使用不溶性电极作为阳极、使用氧化物废料作为阴极进行电解,将该阴极的废料以金属或低氧化物形式回收。本发明提供从例如由铟-锡氧化物(ITO)构成的溅射靶或制造时产生的边...
新藤裕一朗竹本幸一
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轧制铜箔及其制造方法以及层叠板
提供与树脂良好地接合、而且采用蚀刻除去铜箔之后的树脂的透明性优异的轧制铜箔及其制造方法以及层叠板。在以X轴为轧制平行方向的60度光泽度G、以Y轴为轧制平行方向的算术平均倾斜Δa的图表中,轧制铜箔位于由以下的式子1~4包围...
中室嘉一郎吉川拓摩
文献传递
共60页<12345678910>
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