大连理工大学物理与光电工程学院物理系
- 作品数：309 被引量：1,109H指数：17
- 相关作者：齐凤春魏希文夏德宽桂元星高景生更多>>
- 相关机构：辽宁石油化工大学理学院吉林大学电子科学与工程学院大连大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 掺铒Al_2O_3薄膜的性能与制备被引量：2
- 2004年
- 简述了几种Al2O3薄膜的制备方法,使用中频孪生靶非平衡磁控溅射系统制备了掺铒Al2O3薄膜,并对其进行检测,结果表明该方法制备的薄膜适于制作光纤放大器。
- 黄开玉李国卿柳翠高景生宋琦王丽阁
- 关键词：掺铒AL2O3薄膜光致发光磁控溅射
- 三轴土样局部变形的数字图像测量方法被引量：57
- 2002年
- 在已完成的土样径向变形数字图像测量基础上 ,实现了土样轴向变形和径向变形的同步测量 ,不仅可测量土样整体的平均变形 ,而且可测量土样的局部变形 ,还给出了图像测量系统的理论精度和实际测量精度。用砂土、粉煤灰两种饱和试样进行固结排水剪切试验 。
- 邵龙潭王助贫刘永禄
- 关键词：图像测量三轴试验土样变形数字图像
- 基于液相外延生长的集成式微探尖
- 2005年
- 阐述了用于超高密度光存储的集成式扫描近场光学显微术(SNOM)微探尖的液相外延选择生长方案,并给出了实验结果.此种微探尖,可直接生长在微型集成式SNOM传感器的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)晶片出光口上,避免了探尖转移带来的探尖损坏、难以对准等技术难题.该制作过程具有重复性较好,设备简单、经济,实用价值较高等优点.
- 梁秀萍张红治孙晓娟胡礼中
- 关键词：近场光存储液相外延
- 自持金刚石厚膜上沉积ZnO薄膜的研究被引量：1
- 2006年
- ZnO/金刚石结构的表面声学波滤波器的性能主要取决于沉积ZnO薄膜的质量.本文用金属有机化合物气相沉积两步生长法在自持化学气相沉积金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,扫描电子显微镜和室温光荧光谱对薄膜质量进行了表征.结果表明得到的ZnO薄膜取向一致,表面较均匀,光学质量良好.
- 孙剑杨天鹏白亦真徐艺滨王新胜杜国同
- 关键词：声表面波滤波器金刚石ZNO薄膜
- 黑洞热辐射和内禀奇异区的温度被引量：4
- 1983年
- 一、解释 Hawking 辐射的困难Hawking 和其他作者已经证明,稳态黑洞的外视界会产生热辐射,辐射温度正比于视界的表面重力 ke.这种辐射的机制是:视界外附近真空涨落产生的虚正反粒子对可以通过隧道效应而实化.由于视界内部单向膜区 Killing 矢量ξ（t）μ,类空。
- 赵峥桂元星刘辽
- 关键词：辐射温度NEWMAN真空涨落热力学第三定律观测者费米子
- 多媒体教学手段的不断改进被引量：2
- 2003年
- 针对多媒体教学手段存在的问题及如何改进所进行的思考和实践
- 王雪莹
- 关键词：多媒体教学多媒体课件电子教案电子课件教学手段
- 将SVRT模型应用到单原子多原子反应F+CH_2D_2→CH_2D/CHD_2+DF/HF中(英文)被引量：1
- 2004年
- 由于含时波包方法具有经典的直观又不乏量子力学的准确 ,选择含时波包方法来处理F +CH2 D2 →CH2 D/CHD2 +DF/HF反应 .把半刚性振转子 (SVRT)模型应用到该反应体系中 ,研究了两个通道中该反应从基态反应物开始在修正过的J1(MJ1)势能面上计算出来了反应几率、积分截面、速率常数 .反应几率随能量变化的图的数值结果给出了振荡结构 ,这些振荡结构是可以和动力学振荡联系起来的 .而这些振荡结构在积分截面随着能量变化的图中就被反应几率求和后的平均结果所掩盖了 .速率常数和实验结果的比较也得到了较好的结果 .
- 姚丽韩克利宋鹤山张增辉
- 关键词：SVRT模型速率常数积分截面
- 浅谈计算机辅助物理教学软件的研制
- 笔者通过四年多实践,深感应用CAI是物理教改的重要途径。并以自制"PL系列软件"为例,谈了物理CAI软件研制的体会:程序设计思想:CAI在我国教育中的辅助作用应与其他教学手段配合,可互相补充、扬长避短。CAI课题选择目前...
- 潘莉林孟光
- 生长温度对磁控溅射ZnO薄膜的结晶特性和光学性能的影响被引量：55
- 2006年
- 采用反应射频磁控溅射方法,在Si(100)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析、拉曼光谱等表征技术,研究了沉积温度对ZnO薄膜的表面形貌、晶粒尺度、应力状态等结晶性能的影响;通过沉积温度对透射光谱和光致荧光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的结晶特性与光学性能之间的关系.研究结果显示,在室温至500℃的范围内,ZnO薄膜的晶粒尺寸随沉积温度的增加而增加,在沉积温度为500℃时达到最大;当沉积温度为750℃时,ZnO薄膜的晶粒尺度有所减小;在室温至750℃的范围内,薄膜中ZnO晶粒与Si基体之间均存在着相对固定的外延关系;在沉积温度低于500℃时,制备的ZnO薄膜处于压应变状态,而750℃时沉积的薄膜表现为张应变状态.沉积温度的不同导致ZnO薄膜的折射率、消光系数、光学禁带宽度以及光致荧光特性的变化,沉积温度对紫外光致荧光特性起着决定性的作用.此外,探讨了影响薄膜近紫外光致荧光发射的可能因素.
- 孙成伟刘志文秦福文张庆瑜刘琨吴世法
- 关键词：ZNO薄膜表面形貌光学常数
- 双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析被引量：1
- 1997年
- 本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还对不同结构、工艺参数的BNRD进行了模拟，总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系．
- 张富斌李建军魏希文
- 关键词：负阻器件
