中山大学电子与信息工程学院
- 作品数：723 被引量：1,820H指数：15
- 相关作者：郑兴世黄展云许晓伟吴宏雄黎耀更多>>
- 相关机构：深圳大学新技术研究中心清华大学信息科学技术学院暨南大学信息科学技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 获胜者确定问题的建模与启发式算法
- 者确定问题是组合拍卖机制的核心问题,本文首先对基于OR与XOR标集的获胜者确定问题建立了0-1规划模型,设计了多项适用于OR与XOR标集的启发式规则,并应用在预处理中以缩减解空间.然后提出了免疫算子与单亲算子相结合的启发...
- 白鉴聪常会友衣杨
- 关键词：组合拍卖启发式算法免疫算子
- 光泵NH_3分子亚毫米波激光的喇曼过程相互增强与竞争被引量：7
- 1996年
- 当用强脉冲ＣＯ２－９Ｒ（１６）谱线泵浦ＮＨ３分子时，两个喇曼过程ｓ→ａＰ（７，０）和ｓ→ａＰ（７，１）相互作用，导致彼此增强；而当ＣＯ２－９Ｒ（３０）谱线泵浦时，出现多个喇曼过程的竞争，一些过程得到增强。
- 郑兴世罗锡璋林春光刘敏
- 关键词：亚毫米波激光器
- WINDOWS环境下的多媒体网络通信平台
- 刁永平张光昭
- 关键词：计算机网络多媒体技术通信平台
- 六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究被引量：1
- 2019年
- 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料,以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。
- 何亮张晓荣倪毅强罗睿宏李柳暗陈建国张佰君刘扬
- 基于语音增强的远场说话人识别技术被引量：6
- 2019年
- 随着声纹技术的发展并逐渐应用于智能家居领域,尤其是智能音箱已经开始影响着人们的生活,远场环境下的说话人识别技术提升迫在眉睫。本文针对说话人识别技术的发展现状以及远场环境下语音信号的处理,包括麦克风阵列技术的应用,抗噪、抗混响技术的发展与应用等两个主要方面进行阐述。
- 覃晓逸蔡丹蔚胡伟湘苗磊李明
- 关键词：说话人识别语音增强麦克风阵列
- 基于数字锁相放大技术的强噪声背景下检测微弱信号教学实验被引量：9
- 2016年
- 介绍了锁相放大技术在噪声背景下检测微弱交流信号的原理,研制出结合锁相放大器使用的微弱信号检测教学设备及其实验系统.利用OE1022型锁相放大器进行噪声中微弱交流信号测量实验,验证该系统功能.实验结果表明:使用该实验系统可以准确检测淹没在有效值比自身高104的白噪声中的微伏级交流信号.
- 王自鑫陈泽宁王健豪陈弟虎何振辉蔡志岗
- 关键词：微弱信号锁相放大器白噪声
- MXene/CNTs基THz电磁屏蔽薄膜与柔性传感器件
- 近年来,MXene功能薄膜在柔性器件中的应用备受关注.本报告将首先介绍我们通过真空过滤和热压工艺所制备的MXene(Ti3C2Tx)薄膜,其电导率达到 780 000 S/m,抗拉强度达到 200 MPa.厚度为 4 μ...
- 桂许春
- 非对称行人重识别:跨摄像机持续行人追踪被引量：10
- 2018年
- 行人重识别是实现跨摄像机场景大范围追踪行人的关键技术,利用该技术可以把行人的碎片化多场景轨迹连接起来.本文首先回顾了行人重识别的发展,列举了目前行人重识别研究的主要难点和挑战.然后进一步介绍了作者所在研究团队针对行人重识别发展的非对称度量学习理论,及基于非对称度量理论和思想所开展的面向开放性行人重识别的非对称行人重识别建模.与现有用于行人重识别的度量学习算法相比,现有算法通常忽略了摄像机特征变化的特性,而非对称度量的优点是可以学习具备建模不同视域特点非一致性能力的特征变换.非对称建模除了应用在一般的行人重识别问题上,还可以应用在跨模态行人重识别、低分辨率行人重识别、基于属性与图像匹配的行人重识别、无监督行人重识别和不完整行人重识别等问题上.最后,本文讨论了行人重识别未来的发展.
- 郑伟诗吴岸聪
- 关键词：视频监控
- “电路分析基础”教学方法的研究
- 1998年
- “电路分析基础”教学方法的研究⒇林镇材余丰人（中山大学无线电电子学系，广州５１０２７５）“电路分析基础”作为各综合性大学及各理工科大学的专业基础课，讲课的对象除本科生外，还有非电子类专业的研究生、大专生、夜大生等，涉及面广，层次不同。为此，提高本课程...
- 林镇材余丰人
- 关键词：电路分析基础电子线路专业基础课教学计划分析方法任课教师
- 基于位错规避的硅基GaAs激光器设计与制造
- 在硅上异质外延生长砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)等三五族半导体激光器是实现硅光集成激光光源的有效途径之一。但异质外延中位错等晶格缺陷不可避免,并严重影响激光器的性能和可靠性。当前在硅衬底上大面积外延的GaAs 薄膜...
- 王冰
- 关键词：位错分布载流子寿命激光器
