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昆明理工大学真空冶金国家工程实验室

作品数:32 被引量:177H指数:6
相关作者:华政刘山杨超更多>>
相关机构:云南师范大学化学化工学院北京科技大学冶金与生态工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金云南省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:冶金工程一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 13篇会议论文

领域

  • 10篇冶金工程
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇金属学及工艺
  • 5篇电气工程
  • 4篇化学工程
  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇矿业工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 7篇多晶
  • 7篇多晶硅
  • 5篇电阻率
  • 3篇电学性能
  • 3篇杂质对
  • 3篇真空
  • 3篇真空蒸馏
  • 3篇正极
  • 3篇正极材料
  • 3篇湿法
  • 3篇提纯
  • 3篇
  • 3篇催化
  • 2篇电池
  • 2篇电解质
  • 2篇阳极泥
  • 2篇有机硅
  • 2篇少子寿命
  • 2篇太阳能级
  • 2篇太阳能级硅

机构

  • 32篇昆明理工大学
  • 7篇云南省有色金...
  • 2篇云南省能源投...
  • 2篇云南能投硅材...
  • 2篇云南能投化工...
  • 2篇云南省能源研...
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇云南师范大学
  • 1篇云南铜业股份...
  • 1篇遵义铝业股份...

作者

  • 7篇戴永年
  • 7篇马文会
  • 7篇杨斌
  • 6篇魏奎先
  • 4篇姚耀春
  • 3篇谢克强
  • 3篇刘大春
  • 3篇梁风
  • 2篇伍继君
  • 2篇孔令鑫
  • 2篇徐宝强
  • 2篇华政
  • 2篇李永梅
  • 1篇杨玺
  • 1篇李秋霞
  • 1篇袁海滨
  • 1篇李一夫
  • 1篇郑达敏
  • 1篇李亮
  • 1篇朱富龙

传媒

  • 4篇2012年全...
  • 3篇稀有金属
  • 2篇材料导报
  • 2篇化工进展
  • 2篇有机硅材料
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇有色金属(冶...
  • 1篇中山大学学报...
  • 1篇电源技术
  • 1篇化学进展
  • 1篇矿产综合利用
  • 1篇中南大学学报...
  • 1篇中国有色冶金
  • 1篇昆明理工大学...
  • 1篇首届铜渣资源...
  • 1篇第三届中国铜...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 7篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2009
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铁杂质对真空定向凝固多晶硅电阻率的影响研究被引量:3
2016年
利用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱、微波光电导衰减法和四探针电阻率测试仪等分析设备,结合Fe-Si二元相图,研究了真空定向凝固多晶硅中Fe杂质的赋存形态和硅锭从底部到顶部四个特征位置径向电阻率的分布情况。结果表明:Fe杂质在真空定向凝固多晶硅中的赋存形态主要为α-Fe(Si)和β-Fe(Si),过饱和固溶体α-Fe(Si)的分解是导致Fe杂质在硅锭中形成沉淀相且浓度分布不均匀的重要原因;Fe杂质在硅锭中不同位置形成的沉淀相与电阻率分布曲线波动相吻合。根据对Fe浓度与电阻率之间的关系以及不同温度下Fe杂质的赋存形态,推导得出了真空定向凝固多晶硅中径向电阻率分布与Fe杂质浓度间的关系式,提出了提高硅锭电阻率均匀性的措施并通过实验得到验证。
张聪魏奎先马文会高隆重杨玺戴永年
关键词:多晶硅电阻率赋存形态
不同金属离子沉积对多孔硅气敏特性的研究
本实验通过双槽电化学腐蚀法生长多孔硅(PS),采用浸渍沉积法分别制备纳米Cu、Ag、Zn/多孔硅复合气敏薄膜,进而制成电阻式气体传感器,分别对其进行气敏性能测试。研究结果表明,Cu/多孔硅元件对甲醛、氨气、乙醇三种气体都...
李绍元马文会陈秀华魏奎先
关键词:金属离子
LiFePO_4正极材料的碳包覆改性研究简述被引量:2
2014年
在改进LiFePO4的电子电导率和锂离子扩散系数的一些方法中,碳包覆作为一种非常有效的改进手段,受到了很大关注。碳的良好导电性和多孔结构对提高LiFePO4/C材料的电子及离子电导率都有很大的影响。然而在碳包覆中采用不同的碳源和不同的碳包覆方法,对LiFePO4/C正极材料的电化学性能影响也各不相同。结合国内外的研究现状,综述了LiFePO4/C复合正极材料制备过程中多种碳源和碳包覆方法、碳包覆技术的发展历程和碳包覆的原理,介绍了多种碳源和碳包覆手段对LiFePO4/C正极材料颗粒形貌以及电池容量的影响。
杨超李永梅刘山姚耀春
关键词:LIFEPO4正极材料碳包覆
Ag-Pb-Sn三维相图的绘制方法被引量:3
2013年
借助MATLAB软件,分别调用插值函数(griddata)编写程序绘制Ag-Pb-Sn三维相图—插值法和回归函数(regress)编写程序绘制三维相图—拟合曲面方程法。结果表明:插值法得到的三维相图液相面很不光滑,局部波动很大,不能显示出相邻相区的析晶线和共晶点;拟合曲面方程法得到的液相面相对光滑,并能清晰的显示出相邻相区的析晶线和共晶点,拟合出的(Ag),Ag5Sn,Ag3Sn,(Pb),(Sn)等相区曲面方程的可决系数r2分别为1.0000,0.9819,0.9855,0.9872,0.9713,说明拟合出的曲面方程是可信的。为了进一步验证拟合出液相面的准确性,选择投影图上等温线数据,对比其原始温度值与拟合温度值,结果表明:原始值与拟合值的最大偏差为23.67℃,最小为0.26℃,偏差绝对值的平均值为6.57℃,相对误差绝对值的平均值为1.36%,原始值与拟合值相符,说明利用拟合曲面方程法获得Ag-Pb-Sn三维相图是准确、可行的。相对Ag-Pb-Sn的二维投影图,Ag-Pb-Sn三维相图不仅能获得液相面上任意一点的温度值,并且能直观显示出各个相区的温度变化趋势。
白平平刘大春孔令鑫马明煜胡亮杨斌
关键词:插值法
冶金法多晶硅中铁杂质对其电阻率的影响研究
多晶硅经真空定向凝固后通常含有Fe 杂质,且电阻率分布很不均匀。研究Fe 杂质在硅锭中的赋存形态和分布情况,以及其对电阻率的影响,对提高真空定向凝固多晶硅的电学性能具有非常重要的意义。本文采用真空定向凝固法制备多晶硅锭,...
张聪魏奎先马文会高隆重杨玺戴永年
关键词:多晶硅电阻率
快速热处理温度对冶金法多晶硅电学性能影响研究
真空定向凝固技术是制备冶金法多晶硅的重要工序,不仅能够去除金属杂质,又能显著影响冶金法多晶硅的电学性能。本文采用工业生产用铸锭炉,基于真空定向凝固技术提纯获得了高磷冶金法多晶硅锭,研究了快速热处理温度对高磷冶金法多晶硅锭...
魏奎先高隆重马文会张聪戴永年
关键词:位错密度少子寿命电阻率
真空冶金技术在铜冶炼综合回收中应用
目录一 真空冶金简介二 在贵铅冶炼应用进展三 在贵铋冶炼应用进展四 设备推广及应用五 在铜冶炼综合回收中其它应用真空冶金简介真空冶金是指在低于1大气压直至超高真空条件下进行的冶金过程,包括全属及合全的冶炼、提纯、精炼、成...
杨斌刘大春蒋文龙
低价氧化铝真空歧解法炼铝的研究
铝热还原氧化铝,理论上可生成AlO与Al2O两种低价氧化铝,但热力学计算得到:在10~100Pa的体系压力下,生成AlO与A12O的初始温度为2600~2800K、1670~1820K。实验证明金属铝与氧化铝在10~20...
袁海滨戴永年冯月斌杨斌郁青春徐宝强
关键词:歧解炼铝热力学真空
文献传递
碳热还原歧化法制备太阳能级硅的实验研究(英文)被引量:1
2009年
以经预处理的废石英和木炭为原料,在高温下通过碳热还原反应生成高纯SiO气体,SiO发生歧化反应生成高纯的硅和高纯SiO_2,将SiO_2用HF酸分离出去,经ICP检测获得的硅为太阳能级硅。该新工艺具有低能耗、环保和工艺流程简单等优点。
马文会吕东杨斌戴永年
关键词:太阳能级硅碳热还原歧化
粗锡精炼除铜中硫渣的处理工艺现状及展望
2021年
粗锡精炼除铜中硫渣的处理是限制锡冶炼工艺进一步发展的重要节点。本文通过对锡冶炼过程中,硫渣的形成及目前硫渣处理工艺的现状进行介绍,指出了现行工艺存在的不足与局限性,如:造锍熔炼法、熔析法锡、铜的直收率低;隔膜电解法耗电量大,生产成本高;浮选法、浸出法会产生大量废水,导致环境污染等问题。真空冶金法具有流程简单、操作方便、锡铜分离彻底且不产生废水等优点,但其要消耗大量的硫化剂。在对硫渣处理工艺现状进行分析和总结提炼的基础上,结合相关实践,本文提出一种常压下对粗锡硫化处理,然后真空处理硫渣的工艺,此工艺能够实现锡、铜有效分离,同时具备能耗低、对环境友好等优点,以期为锡冶炼过程中硫渣的处理提供一种技术思路,并为锡火法精炼技术的更新奠定基础。
刘大春张博熊恒周正恩邓勇杨斌徐宝强
关键词:真空技术
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