南阳理工学院材料研究中心
- 作品数：5 被引量：35H指数：4
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- 相关机构：清华大学理学院物理系清华大学理学院河南大学物理与电子学院物理学系更多>>
- 发文基金：河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺政治法律更多>>
- 多孔硅镍钝化处理的光致发光谱研究被引量：5
- 2001年
- 报道了对多孔硅在NiCl2 中电解钝化处理的一种新方法。观测了经不同时间处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱表明 ,恰当的处理条件 ,可使峰值强度增大约 2 5倍 ,峰值波长蓝移 33nm。分析了现象发生的原因是由于多孔硅表面的SiHx 中的H被Ni替换成SiNix 的结果。
- 周国运高卫东徐国定薛清陈兰莉莫育俊
- 关键词：多孔硅镍钝化光致发光谱氯化镍
- 氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅及其光致发光(英文)被引量：6
- 2001年
- 本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 .6～ 1 5nm范围内 ,并且在强激光辐照下观察了 nc-Si在薄膜中的结晶和生长情况 .经退火所形成的 nc-Si可见光辐射较弱 ,不能检测到它们的光致发光 ( PL) ,但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红 PL,并且钝化后的 nc-Si在空气中暴露一定的时间后 ,其辐射光波长产生了蓝移 .文中就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论 .
- 周国运黄远明
- 关键词：光致发光RAMAN散射快速退火氢化非晶硅薄膜
- 利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒被引量：20
- 2002年
- 报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法 .含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后 ,用拉曼散射和 X射线衍射技术对样品进行分析 .实验结果表明 :纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成 ,而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化 .在升温过程中 ,若单位时间内温度变化量较大 (～ 10 0℃ / s) ,则所形成纳米硅粒较小 (1.6～ 15 nm) ;若单位时间内温度变化量较低 (～ 1℃ / s) ,则纳米硅粒较大 (2 3～ 4 6 nm) .根据晶体生长理论和计算机模拟 。
- 薛清郁伟中黄远明
- 关键词：非晶硅薄膜拉曼散射快速热退火X射线衍射晶体生长
- 热处理升温快慢对非晶硅中形成的纳米硅粒尺寸的影响被引量：6
- 2002年
- 含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,我们用拉曼散射和X-射线衍射技术对样品进行分析.我们的实验结果表明:在非晶硅薄膜中形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,当单位时间内温度变化量较大时（～100℃/s）,则所形成纳米硅粒较小（～1.6～15nm）;若单位时间内温度变化量较低（～1℃/s）,则纳米硅粒较大（～23～46nm）。根据分形生长理论和计算机模拟,我们讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系.
- 薛清黄远明
- 关键词：纳米硅拉曼散射快速热退火X-射线衍射非晶硅薄膜
- a-SiH 热处理过程中纳米硅粒尺寸的控制(英文)被引量：1
- 2002年
- 报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法。用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟,发现在非晶硅中所形成的纳米硅颗粒的大小,随着热退火过程中升温速率的变化而变化。在退火过程中,若非晶硅薄膜升温速率较高(～100℃/s),则所形成纳米硅粒的大小在1.6～15nm;若非晶硅薄膜升温速率较低(～1℃/s),则纳米硅粒大小在23～46nm。根据晶体生长理论,讨论了升温速率的高低与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。
- 薛清郁伟中黄远明
- 关键词：纳米硅喇曼散射快速热退火X射线衍射颗粒尺寸
