专用集成电路与系统国家重点实验室
- 作品数：217 被引量：361H指数：7
- 相关作者：武一宾孙素静李效白邢东田国平更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所中国电子科技集团公司河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 等平面化SiC MESFET的研制被引量：2
- 2008年
- 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。
- 杨霏陈昊潘宏菽默江辉商庆杰李亮闫锐冯震杨克武蔡树军姚素英
- 关键词：高增益功率附加效率大功率
- 金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用被引量：2
- 2022年
- 随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展,其热耗不断增加,散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达2 000 W/(m·K),是一种极具竞争力的新型散热材料,可用作大功率器件的封装载片。采用不同载片材料对一款热耗为53 W的GaN功率放大器进行封装。分别采用有限元仿真及红外热成像仪对放大器的芯片结温进行仿真和测试,结果显示,采用金刚石载片封装的放大器的结温比采用钼铜(MoCu30)载片封装的放大器的结温降低了30.01℃,约18.69%。同其他常用载片材料进行进一步对比得出,在相同工作条件下,采用金刚石载片封装的放大器结温最低,并且随着热耗增加,金刚石的散热能力更为突出。在芯片安全工作温度175℃以下,金刚石能满足GaN功率放大器100 W热耗的散热需求。
- 崔朝探陈政郭建超赵晓雨何泽召杜鹏搏杜鹏搏
- 关键词：有限元仿真散热能力
- RTD/UTC-PD高速光控MOBILE
- 2009年
- 单向运动载流子光二极管(UTC-PD)具有高速和大电流的特点,与RTD相结合可构成一高速光控MOBILE,能够应用于80Gb/s的光纤通信、光信息处理和高速光网络中。在详细介绍UTC-PD的基础上,讨论了RTD/UTC-PD光控MOBILE的工作原理、材料结构和制作工艺、电路性能测量等,并进一步将上述结果推广到交流信号情况下RTD/UTC-PD光控MOBILE的瞬态特性。结果表明,存在三个因素影响该单元电路的工作速度,即交流电流效应、开关延迟时间和UTC-PD器件的带宽。
- 郭维廉
- 关键词：光纤通信
- 基于MOEMS敏感结构的非本征F-P干涉仪式光纤声压传感器被引量：4
- 2021年
- 随着声学探测技术的不断进步,对声压传感器提出了高精度、小型化、抗电磁干扰能力强和易批量生产等要求。研制了基于微光电子机械系统(MOEMS)敏感结构的非本征Fabry-Perot(F-P)干涉仪式光纤声压传感器。利用圆片级集成技术实现MOEMS敏感结构与光学腔室的高精度对准,大大提高了传感器的一致性。声压传感器的声学性能测试结果表明,其具有高灵敏度和良好的线性响应度,信噪比达到78.3 dB,实现了对声压信号的优良响应。此外,该传感器既具有光纤传感技术精度高和抗电磁干扰能力强等优点,又具备了微电子机械系统(MEMS)体积小和易批量生产的优势。
- 解涛杨志王文军吴宇刘涛
- 关键词：光纤传感
- AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的瞬态仿真与分析
- 本文对AIGaN/GaN HEMT进行了瞬态仿真和分析，用于研究陷阱效应导致的电流崩塌现象，考虑了陷阱和热效应的耦合影响。结果显示，除了表面陷阱以外，受主型体陷阱也会影响A1GaN/GaN HEMT的栅延迟瞬态特性，而且...
- 周幸叶王元刚宋旭波顾国栋敦少博吕元杰冯志红
- 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓电流崩塌瞬态仿真
- 文献传递
- LEC-InP晶体中孪晶现象的研究被引量：2
- 2015年
- 在LEC-In P晶体生长过程中,孪晶的产生是一个影响In P单晶率的突出问题。生长高质量、大直径的单晶是当前In P晶体生长的发展方向,减少孪晶一直是In P单晶生长技术的研究重点。国内外学者研究了影响孪晶产生的相关因素,但具体产生机制仍未确定。大量的实验研究表明In P晶体中的孪晶通常出现在三相界面处的边缘小平面上,且不论内砍还是外切孪晶均产生在{111}面上。晶体生长转肩过程中改变提拉速度会导致边缘过冷度增加,很容易产生孪晶。研究表明可以调整降温速率来实现对晶体直径的控制,减少拉速改变的频率避免造成边缘处过冷度增大,使得晶体生长实现平滑转肩,减小转肩时孪晶的产生概率。
- 李玉茹李晓岚孙同年孙聂枫
- 关键词：P孪晶过冷度
- 220GHz GaAs单片集成分谐波混频器被引量：2
- 2022年
- 基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真软件中对混频器的性能进行仿真和优化。制作的220 GHz分谐波混频器模块在本振频率为110 GHz、输入功率为6 dBm的条件下进行测试。结果表明,在射频频率210~220 GHz内,混频器模块的单边带变频损耗小于11 dB,在220 GHz处具有最小变频损耗,为7.2 dB。
- 杨大宝赵向阳刘波刘波邢东
- 关键词：单片集成电路肖特基二极管变频损耗
- GeSi/Si共振隧穿二极管被引量：1
- 2008年
- GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅,因此适用于空穴型RTD的研制;n型带内RTD只有通过应力Si或应力GeSi来实现,这种应力型RTD为带内RTD的主要结构;而带间GeSi/SiRITD则将成为更有应用前景的、性能较好的GeSi/SiRTD器件结构。
- 郭维廉
- 关键词：材料结构
- MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究被引量：1
- 2008年
- 报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为97",ω(102)面扫描曲线半高宽为870",Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为240";使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5μm×5μm区域的表面平整度进行了表征,AlN外延膜的粗糙度(Rms)为8.484nm,Al0.6Ga0.4N外延膜的粗糙度为1.104nm;透射光谱测试显示AlN和Al0.6Ga0.4N吸收带边分别为205nm和266nm,且都非常陡峭。
- 刘波袁凤坡尹甲运刘英斌冯震冯志宏
- 关键词：ALGAN金属有机化学气相淀积X射线衍射透射光谱
- 典型MEMS和可穿戴传感技术的新发展(续)
- 2015年
- 2 可穿戴传感技术 带动MEMS集成技术进一步发展的重要的应用技术是可穿戴传感技术。由各类MEMS传感器和处理电路集成在一起形成可穿戴传感器件,它们通常被戴在手腕、上臂、胸部和头部,用来测量佩戴者的运动位置（GPS）、皮肤温度、皮肤电导等,然后使用这些数据来估计热量燃烧、距离和旅行路线以及睡眠效率等。
- 赵正平
- 关键词：传感技术MEMS传感器件睡眠效率电路集成皮肤温度
