天津市自然科学基金(10JCZDJC15500)
- 作品数：4 被引量：23H指数：3
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- 300mm铜膜低压CMP速率及一致性被引量：6
- 2011年
- 随着铜互连结构中低k介质的应用,要求CMP抛光过程中必须将压力减小到6.89kPa以下,传统的化学机械抛光已不符合当前的工艺要求,如何兼顾超低压力下抛光速率和速率一致性成为关键问题。对300mm Blanket铜膜进行了低压化学机械抛光实验,分析研究了碱性抛光液组分及抛光工艺参数对铜膜去除速率及其一致性的影响。通过实验可得,在低压力1kPa,流量200mL/min,转速30r/min,氧化剂体积分数2%,磨料体积分数30%,螯合剂体积分数3%时,抛光速率为330nm/min,表面非均匀性为0.049,抛光后表面粗糙度为0.772nm,得到了较为理想的实验结果。
- 邢少川刘玉岭刘效岩田雨胡轶王辰伟
- 关键词：低压碱性抛光液抛光速率
- 混合磨料对LED用蓝宝石衬底CMP质量的影响被引量：7
- 2012年
- 分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)过程中的作用机理,并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响。研究表明,在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL/L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学作用与机械作用达到相互平衡,使抛光去除速率得到明显提高。在距抛光终点5～10min通过调整工艺参数与抛光液配比,使表面粗糙度由2.32nm降至0.236nm。
- 于江勇刘玉岭牛新环李英的夏显召
- 关键词：蓝宝石衬底化学机械抛光混合磨料速率
- 300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究被引量：7
- 2011年
- 随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=25.4 mm)无图形(blanket)铜膜CMP工艺和抛光液配比对抛光表面质量的影响。实验结果表明,在压力为0.65 psi(1 psi=6.89×103 Pa),抛光液主要成分为体积分数分别为5%的螯合剂、2%的氧化剂和3%的表面活性剂。抛光后表面无划伤,表面非均匀性为0.085,抛光速率为400 nm.min-1,表面粗糙度为0.223 nm,各参数均满足工业化生产的需要。
- 田雨王胜利刘玉岭刘效岩邢少川马迎姿
- 关键词：铜互连线粗糙度化学机械抛光
- 碱性铜抛光液在65nm多层铜布线平坦化中的应用被引量：3
- 2013年
- 为适应极大规模集成电路(GLSI)集成度按摩尔定律飞速发展的需要,同时解决国际酸性化学机械平坦化(CMP)技术存在的多项问题,本文研发了以多羟多胺为螯合剂的不含副作用大的苯并三唑(BTA)的碱性铜布线抛光液.实验结果表明:研发的碱性铜抛光液在常态下对铜几乎不反应(20/min),而在常压(2 psi)CMP下,能够快速地去除铜膜,去除速率(RR)高达8 235/min(工业要求5 000/min).凹处自钝化,凸处快速率,实现了高的平坦化效率.8层铜布线平坦化结果表明,60s可消除约1.162 m的高低差,且单层图形片基本实现平坦化(高低差<10 nm),抛光后表面粗糙度低(0.178 nm),表面洁净度高.
- 刘玉岭王辰伟牛新环曹阳
- 关键词：化学机械平坦化速率
