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江西省自然科学基金(2008GZH0018)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：刘亚媚袁寿财更多>>
相关机构：赣南师范大学更多>>
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相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇IGBT
  • 2篇导体
  • 2篇碳化硅
  • 2篇禁带
  • 2篇开关特性
  • 2篇宽禁带
  • 2篇宽禁带半导体
  • 2篇半导体
  • 2篇硅
  • 2篇氢
  • 1篇导通
  • 1篇导通压降
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极晶...
  • 1篇PIN

机构

  • 3篇赣南师范大学

作者

  • 3篇袁寿财
  • 1篇刘亚媚

传媒

  • 1篇西南交通大学...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
4-氢碳化硅及硅IGBT静态与开关特性的对比研究
为比较基于4-氢碳化硅宽禁带材料与传统硅材料功率IGBT性能上的差异,用半导体物理基础理论计算器件外延层迁移率与掺杂浓度、输出电流电压特性与器件设计与工艺参数、及开通关断时间与器件材料和耐压等关系曲线,使用MATLAB软...
袁寿财张翼
关键词：硅IGBT宽禁带半导体开关特性
4-氢碳化硅及硅IGBT静态与开关特性的对比研究
为比较基于4-氢碳化硅宽禁带材料与传统硅材料功率IGBT性能上的差异,用半导体物理基础理论计算器件外延层迁移率与掺杂浓度、输出电流电压特性与器件设计与工艺参数、及开通关断时间与器件材料和耐压等关系曲线,使用MATLAB软...
袁寿财张翼
关键词：硅IGBT宽禁带半导体开关特性
文献传递
平面工艺IGBT制作及导通压降的PIN模型计算被引量：1
2009年
以硅平面工艺生产设备为基础，设计制作了基于外延衬底的IGBT器件，器件的实测输出电流-电压特性良好，阈值电压在3．7～4．8V之间．将制作IGBT器件的结构和工艺参数代入PIN二极管模型计算其正向导通压降，并将计算结果与器件的实测参数进行了比较．结果表明：小电流区段符合较好；但大电流区段由于模型简化和测试系统寄生串联电阻的影响出现偏差，对于同一导通电流，计算值比实测值约小8％．
袁寿财刘亚媚
关键词：绝缘栅双极晶体管
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