浙江省自然科学基金(Z605131)
- 作品数:4 被引量:14H指数:2
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- 相关机构:浙江理工大学中国科学院北京大学更多>>
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- Eu掺杂TbMnO3多晶材料的介电性质
- 2010年
- 采用固相反应法制备了Tb0.8Eu0.2MnO3多晶材料.对样品的X射线衍射(XRD)分析表明Eu3+固溶于TbMnO3中.测量了样品在低温(100K≤T≤300K)和低频下(200Hz≤f≤100kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰(T≈170K)起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰(T≈290K)则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下(T≈230K)存在明显的导电机制转变.
- 郭熹王霞郑鹉唐为华
- 关键词:掺杂介电性质
- 晶界对庞磁电阻颗粒薄膜的磁学和输运性能的影响被引量:12
- 2006年
- 采用脉冲电子束沉积技术,在Si(100)单晶衬底上沉积庞磁电阻La0·67Ca0·33MnO3颗粒薄膜,并对它的磁学性能和电学输运性能进行了表征.研究晶界对庞磁电阻薄膜的物理性能的影响,结果表明,晶界的存在使得晶粒之间的耦合变弱,在变温磁化过程中表现出团簇玻璃态行为,金属—绝缘体转变温度(Tp)远远低于铁磁—顺磁转变温度(Tc).低温下电子输运具有弱局域化行为.在低磁场下,晶界的存在掩盖了La0·67Ca0·33MnO3的本征磁电阻行为.
- 李培刚雷鸣唐为华宋朋云陈晋平李玲红
- 关键词:晶界庞磁电阻
- PED沉积Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_4薄膜过程中影响超导电性因素分析
- 2007年
- 采用脉冲电子束沉积技术,在SrTiO3衬底上成功制备了高质量的Nd1.85-Ce0.15CuO4(NCCO)薄膜.通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率,获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品.对样品R-T曲线进行分析,得到了上述因素对薄膜超导电性的影响规律,并进一步说明了这些因素对薄膜的超导电性造成影响的原因.通过与脉冲激光沉积技术类比,定量分析了沉积过程中靶与基片距离同沉积气压之间的关系.
- 郭艳峰陈雷明郭熹李培刚雷鸣唐为华
- 关键词:超导电性
- 尺寸效应对庞磁电阻材料La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3输运性能的影响被引量:2
- 2007年
- 采用脉冲电子束沉积技术在(100)取向单晶钛酸锶衬底上沉积出具有高取向的La0.67Ca0.33MnO3薄膜,并用电子束曝光技术获得不同宽度的微桥结构,对这些微桥结构的输运性能进行了研究.当微桥的宽度为2和1.5μm时,与大面积薄膜相比,其金属绝缘体转变温度TP变化不大.当微桥的宽度为1μm时,TP降低约50K.当微桥宽度减小到500nm以下,没有观察到金属-绝缘体转变.对不同宽度微桥的磁电阻曲线进行分析发现,随着微桥宽度减小,低场磁电阻也变小,高场磁电阻变化不大.
- 李培刚雷鸣郭艳峰郭熹陈雷明唐为华宋朋云陈晋平
- 关键词:庞磁电阻电子束曝光