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浙江省自然科学基金(Z605131)

作品数:4 被引量:14H指数:2
相关作者:唐为华李培刚雷鸣郭熹宋朋云更多>>
相关机构:浙江理工大学中国科学院北京大学更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇输运
  • 2篇庞磁电阻
  • 2篇磁电
  • 2篇磁电阻
  • 1篇导电
  • 1篇电性质
  • 1篇电子束曝光
  • 1篇多晶材料
  • 1篇介电性质
  • 1篇晶界
  • 1篇ND
  • 1篇CA
  • 1篇CE
  • 1篇CUO
  • 1篇EU掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇超导
  • 1篇超导电性
  • 1篇尺寸效应
  • 1篇磁学

机构

  • 4篇浙江理工大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇北京大学
  • 1篇首都师范大学
  • 1篇郑州航空工业...

作者

  • 4篇唐为华
  • 3篇雷鸣
  • 3篇李培刚
  • 3篇郭熹
  • 2篇郭艳峰
  • 2篇陈晋平
  • 2篇陈雷明
  • 2篇宋朋云
  • 1篇郑鹉
  • 1篇王霞

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇中国科学(G...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2007
  • 1篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Eu掺杂TbMnO3多晶材料的介电性质
2010年
采用固相反应法制备了Tb0.8Eu0.2MnO3多晶材料.对样品的X射线衍射(XRD)分析表明Eu3+固溶于TbMnO3中.测量了样品在低温(100K≤T≤300K)和低频下(200Hz≤f≤100kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰(T≈170K)起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰(T≈290K)则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下(T≈230K)存在明显的导电机制转变.
郭熹王霞郑鹉唐为华
关键词:掺杂介电性质
晶界对庞磁电阻颗粒薄膜的磁学和输运性能的影响被引量:12
2006年
采用脉冲电子束沉积技术,在Si(100)单晶衬底上沉积庞磁电阻La0·67Ca0·33MnO3颗粒薄膜,并对它的磁学性能和电学输运性能进行了表征.研究晶界对庞磁电阻薄膜的物理性能的影响,结果表明,晶界的存在使得晶粒之间的耦合变弱,在变温磁化过程中表现出团簇玻璃态行为,金属—绝缘体转变温度(Tp)远远低于铁磁—顺磁转变温度(Tc).低温下电子输运具有弱局域化行为.在低磁场下,晶界的存在掩盖了La0·67Ca0·33MnO3的本征磁电阻行为.
李培刚雷鸣唐为华宋朋云陈晋平李玲红
关键词:晶界庞磁电阻
PED沉积Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_4薄膜过程中影响超导电性因素分析
2007年
采用脉冲电子束沉积技术,在SrTiO3衬底上成功制备了高质量的Nd1.85-Ce0.15CuO4(NCCO)薄膜.通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率,获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品.对样品R-T曲线进行分析,得到了上述因素对薄膜超导电性的影响规律,并进一步说明了这些因素对薄膜的超导电性造成影响的原因.通过与脉冲激光沉积技术类比,定量分析了沉积过程中靶与基片距离同沉积气压之间的关系.
郭艳峰陈雷明郭熹李培刚雷鸣唐为华
关键词:超导电性
尺寸效应对庞磁电阻材料La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3输运性能的影响被引量:2
2007年
采用脉冲电子束沉积技术在(100)取向单晶钛酸锶衬底上沉积出具有高取向的La0.67Ca0.33MnO3薄膜,并用电子束曝光技术获得不同宽度的微桥结构,对这些微桥结构的输运性能进行了研究.当微桥的宽度为2和1.5μm时,与大面积薄膜相比,其金属绝缘体转变温度TP变化不大.当微桥的宽度为1μm时,TP降低约50K.当微桥宽度减小到500nm以下,没有观察到金属-绝缘体转变.对不同宽度微桥的磁电阻曲线进行分析发现,随着微桥宽度减小,低场磁电阻也变小,高场磁电阻变化不大.
李培刚雷鸣郭艳峰郭熹陈雷明唐为华宋朋云陈晋平
关键词:庞磁电阻电子束曝光
共1页<1>
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