您的位置: 专家智库 > >

国家高技术研究发展计划(2001AA312250)

作品数:5 被引量:9H指数:2
相关作者:方青李芳陈鹏刘育梁牛凯更多>>
相关机构:中国科学院清华大学华中科技大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信机械工程理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇衰减器
  • 3篇可变光学衰减...
  • 3篇光学
  • 3篇SOI
  • 1篇低功率
  • 1篇调制深度
  • 1篇端面
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列光开关
  • 1篇马赫-曾德
  • 1篇模态
  • 1篇回波损耗
  • 1篇减反膜
  • 1篇隔热
  • 1篇功率消耗
  • 1篇光开关
  • 1篇光束
  • 1篇光纤
  • 1篇干涉型
  • 1篇高斯光束

机构

  • 3篇中国科学院
  • 2篇清华大学
  • 1篇华中科技大学

作者

  • 3篇刘育梁
  • 3篇陈鹏
  • 3篇李芳
  • 3篇方青
  • 2篇周兆英
  • 2篇贺月娇
  • 2篇辛红丽
  • 2篇叶雄英
  • 2篇牛凯
  • 1篇侯斌
  • 1篇刘胜
  • 1篇冯焱颖

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇光学技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
M EM S微梁静电致动器的力学特性研究被引量:5
2005年
采用降阶建模法对多晶硅/氮化硅复合悬臂梁静电致动器的多物理场耦合问题进行了仿真计算。悬臂梁在氮化硅残余应力的作用下弯曲翘起。在微梁和基底间施加电压后,微梁受到向下电场力的作用,当电压超过阈值后微梁就会被吸到基底上。通过提取系统的各阶模态及其对系统的贡献,对各阶模态进行组合来取代该结构的耦合域,从而达到对耦合问题降阶的目的。采用该方法算得微梁的翘起高度、1阶固有频率和吸下的阈值电压与实验测得的结果吻合较好。
牛凯叶雄英周兆英冯焱颖
关键词:模态
SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究
2006年
采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一实用化过程中的关键问题。利用上述方法研制出了完整封装的SOI基可变光学衰减器样品。
陈鹏方青李芳刘育梁
关键词:回波损耗SOI减反膜
MEMS阵列光开关的光纤耦合设计被引量:1
2004年
利用高斯光束传输理论进行了阵列光开关的光纤耦合设计计算。根据ABCD矩阵推导出了光束通过球透镜时的传播规律,计算了在光纤与光纤之间两个球透镜耦合的效率,分析了影响耦合效率的因素。通过设计计算,确定了光纤端部的位置,使得整个损耗达到了最小。从理论上来看,在波长λ=1 55μm时,4×4阵列光开关的耦合效率可以达到91%以上。
牛凯叶雄英周兆英侯斌刘胜
关键词:高斯光束ABCD矩阵
低功率消耗、响应快速的SOI基可变光学衰减器被引量:2
2005年
采用绝缘体上Si(SOI)材料制作了马赫曾德干涉型(MZI)SOI热光可变光学衰减器(VOA),利用隔热槽有效降低器件的功率消耗,提高响应速度。在1510~1610nm波长范围内动态调节范围可达到0~29dB。与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响。最大衰减(29dB)时功率消耗由360mW降低为130mW,器件响应速度提高1倍,响应时间由大于100μs降为小于50μs。
贺月娇方青辛红丽陈鹏李芳刘育梁
关键词:衰减器光学SOI马赫-曾德波长范围调制深度干涉型
低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器被引量:1
2005年
制作了带有U形隔热槽的马赫-曾德干涉型SOI热光可变光学衰减器,在1510~1610nm波长范围内动态调节范围可达到0~29dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响,最大功率消耗降低了230mW.
贺月娇方青辛红丽陈鹏李芳刘育梁
关键词:可变光学衰减器功率消耗
共1页<1>
聚类工具0