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磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能被引量：2: 2009年; 采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜.X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察表明,无掺杂的薄膜为多晶V2O5,掺杂Cu的薄膜为非晶态.X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜,其中Cu离子表现为+2价,V离子为+4与+5价的混合价态.随着Cu掺杂量的增大,+4价V的含量增加.电化学测试结果表明,V2O5薄膜在掺杂Cu以后其放电容量有显著的提高,其中Cu2.1VO4.4薄膜在100次循环后容量还保持为83.4μA.h.cm-2.μm-1,表现出较高的放电容量和较好的循环性能.; 张梁堂宋杰蔡敏真徐富春吴孙桃董全峰; 关键词：磁控溅射阴极材料电化学性能

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国防基础科研计划(A14220080188-08)