国防科技技术预先研究基金(9140A10030606)
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
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- 中频磁控溅射钛酸锶钡薄膜的结构及性能被引量：3
- 2007年
- 用中频磁控溅射制备了钛酸锶钡Ba0.6Sr0.4TiO3(简称MF-BST)薄膜,并对该薄膜进行原位晶化。XPS表明,MF-BST薄膜的表面成分Ba0.58Sr0.42Ti1.01O2.95和膜体成分Ba0.6Sr0.4TiO3接近,主要由钙钛矿结构的BST组成。AFM表明,MF-BST薄膜的表面光滑致密。XRD表明,MF-BST薄膜晶化完全,呈(111)择优。XTEM观察及XPS刻蚀表明MF-BST/Pt界面过渡层约2nm厚,含少量的TixPtyOz。MF-BST薄膜电容器具有高达1200的介电常数及低达10-9A/cm2的漏电流密度。同时,该薄膜的结构及介电性能与射频磁控溅射及非原位晶化的Ba0.6Sr0.4TiO3(简称RF-BST)薄膜进行了比较。
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- 关键词：中频磁控溅射钛酸锶钡薄膜钙钛矿结构
- Ce掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜表面结构XPS研究被引量：2
- 2009年
- 用改进的溶胶-凝胶法制备铈(Ce)掺杂和非掺杂2种钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)研究薄膜的表面结构。XPS结果表明,BST薄膜的表面结构由钙钛矿结构和非钙钛矿结构组成,铈掺杂显著地减少了非钙钛矿结构。扫描电镜及原子力显微镜观察表明,掺杂BST薄膜光滑致密无裂纹。电压-电容曲线表明,掺杂BST薄膜的介电性能大幅度提高,在40V外加电压下介电调谐率达60.8%,零偏压下的介电损耗为0.0265。同时,就非钙钛矿结构的成因及Ce掺杂BST薄膜的有关改善机制进行了讨论。
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- 关键词：铈掺杂钛酸锶钡薄膜钙钛矿结构介电性能
