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中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(C2-14)

作品数：2 被引量：0H指数：0
相关作者：李为军张波徐文兰陆卫更多>>
相关机构：华东师范大学中国科学院更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇INGAN
  • 1篇应力
  • 1篇数值模拟
  • 1篇ALGAN
  • 1篇N-
  • 1篇INGA
  • 1篇值模拟

机构

  • 2篇华东师范大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇陆卫
  • 2篇徐文兰
  • 2篇张波
  • 2篇李为军

传媒

  • 2篇激光与红外

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究
2008年
薄的应力补偿层AlGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察。由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率。应力补偿层AlGaN的加入导致器件漏电流的降低被认为是器件效能提高的主要原因。定量优化AlGaN应力补偿层的厚度和其中Al的含量在这里也被探讨研究。计算结果表明,当应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱结构中Al-GaN厚度为1nm,Al含量为0.25时,能够获得最大的发光功效和内量子效率。
李为军张波徐文兰陆卫
关键词：INGAN发光二极管
台阶型InGaN量子阱蓝光发光二极管设计与数值模拟
2008年
一种特定发光波长（415—425nm）的台阶型InGaN构型量子阱被设计并从理论上进行考察，包括量子阱区域载流子浓度分布、自发辐射复合速率、Shockley-Read-Hall（SRH）辐射复合速率以及输出功率和内量子发光效率的分析。与传统的InGaN构型量子阱结构相比，使用台阶型InGaN构型的量子阱结构，活性区载流子浓度特别是空穴浓度得到明显的改善，输出功率和内量子效率分别提高了52．5％和52．6％。自发发光强度与传统的InGaN构型量子阱发光强度相比也有1．54倍的增强。分析结果暗示SRH非辐射复合速率积分强度的减少被认为是台阶型InGaN构型量子阱光学性能提升的主要原因。
李为军张波徐文兰陆卫
关键词：INGAN发光二极管数值模拟
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