辽宁省自然科学基金(20062040)
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
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- 锯齿型、螺旋型单壁碳纳米管的能带计算
- 2009年
- 在紧束缚近似方法得到的扶手椅型单壁碳纳米管能带的基础上,通过坐标变换得到了锯齿型和螺旋型单壁碳纳米管能带的数学表达式,对结构参数为(9,0)、(10,0)、(7,4)和(9,6)型单壁碳纳米管的能带曲线进行了计算,并对能带曲线的特征进行了深入讨论和分析.研究表明,当结构参数满足|m-n|=3J(J=整数)时为金属型碳纳米管,当不满足上式时为半导体型碳纳米管.由于固体的许多基本物理性质可以由固体的能带理论阐明和解释,因此,该结论对单壁碳纳米管π电子结构以及物性研究提供了有益的理论参考.
- 郭连权刘嘉慧马贺宋开颜武鹤楠李大业
- 关键词：碳纳米管Π电子
- 小直径螺旋型单壁碳纳米管电子结构的计算被引量：1
- 2011年
- 针对结构参数(m,n)为(4,1)、(4,2)和(5,2)等小直径螺旋型单壁碳纳米管的电子结构,采用密度泛函理论、第一性原理以及AB INIT软件进行了理论计算,得到了上述管的电子能带及其态密度曲线,并分析了这些管的导电性能.计算结果表明:(4,1)和(5,2)这两种单壁碳纳米管无能量禁带,均属于金属型;而(4,2)管有能量禁带,属于半导体型.此结论与用金属型单壁碳纳米管的判据m-n=3J(J=0,1,2,3,…)给出的结果一致.
- 郭连权冷利刘嘉慧宋开颜马贺李大业张平
- 关键词：小直径单壁碳纳米管密度泛函理论第一性原理态密度
- 双层亚铁磁性超晶格的零温磁矩
- 2008年
- 采用海森堡模型,利用线性自旋波近似、傅立叶变换和格林函数技术对双层亚铁磁超晶格进行理论研究,推导出零温磁矩表达式,分析了系统的各个参数(自旋量子数、层间交换耦合系数、层内交换耦合系数、外磁场及各向异性参数)对系统零温磁矩的影响.结果表明,系统的各个参数对系统零温磁矩有重要影响;系统的零温磁矩随层内交换耦合系数、各向异性参数的增加而增加,随层间交换耦合系数的增加而先增加后减小.当两层的自旋量子数S1,S2相等时,两条零温磁矩曲线重合;相反,当两层的自旋量子数S1,S2不等时,两条零温磁矩曲线分开.
- 邱荣科梁静马广焜
- 关键词：超晶格自旋波理论格林函数海森堡模型
- ZnO晶体晶格常数及弹性模量的第一性原理计算被引量：4
- 2010年
- 本文采用密度泛函理论及第一性原理对ZnO晶体结构参数和弹性模量进行了模拟计算,推导出了六角密集结构晶体弹性模量的解析表达式。计算中采用了Abinit计算软件,得到了ZnO晶体的晶格常数和弹性模量。计算表明,a轴和c轴的晶格常数分别为a=6.03Bohr(1Bohr=0.053nm)和c=9.82Bohr,与实验值比较其相对误差均在1.63%以下。在用局域密度近似和广义梯度近似两种不同的方法计算弹性模量时,用局域密度近似的计算结果为1.402Pa,与实验结果比较相对误差为2.6%。计算得知,它比广义梯度近似的计算结果更为精确。
- 郭连权李大业刘嘉慧马贺武鹤楠冷利张平
- 关键词：ZNO密度泛函理论晶格常数弹性模量
- 双层亚铁磁体超晶格的能谱被引量：1
- 2007年
- 对双层亚铁磁超晶格的能谱进行理论研究.采用海森堡模型,利用线性自旋波近似、傅立叶变换和格林函数技术计算出色散关系和外磁场的临界值Bc.结果表明,系统的各个参数如:自旋量子数、层间交换耦合系数、层内交换耦合系数、各向异性参数、外磁场都对系统的磁性有着重要的影响.研究发现,当两个层的自旋量子数相等时,两个能谱简并,当两个层的自旋量子数不相等时,能谱分裂.一般情况下,两支能谱随着层间交换耦合系数、层内交换耦合系数和各项异性参数的增强而差值加大.外磁场的临界值Bc随各向异性参数D1和D2数值的增加而增强,随自旋量子数的增加而增加.层间交换耦合系数与层内交换耦合系数对外磁场的临界值Bc不产生影响.
- 邱荣科梁静
- 关键词：超晶格能谱亚铁磁体海森堡模型格林函数
- 碳纳米管结构的稳定性及其结构模拟计算
- 2009年
- 针对碳纳米管结构稳定性问题,利用分子静力学方法对单壁碳纳米管结构进行了模拟计算,利用C++Bu ilder 6.0生成了可视化的"Tube生成器"程序,得到了扶手椅型、锯齿形和螺旋形3种单壁碳纳米管的三维立体结构,其模拟效果形象、逼真.结果表明:形成碳纳米管后,可以消除石墨片2个边缘上的悬挂键,因为悬挂键的减少,使得碳纳米管的能量将低于相应石墨片的能量,这就是碳纳米管能够存在的根本原因;碳纳米管的稳定性主要受到其直径大小的影响.
- 刘嘉慧马贺郭连权
- 关键词：碳纳米管稳定性
- 晶体Si能带的密度泛函及第一性原理计算被引量：4
- 2009年
- 针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明:Si的晶格常数为0.540 nm,与实验参考值相吻合;其价带宽度为11.80 eV,导带宽度为9.58 eV,该结果与其他学者用OPW方法所计算的结果相符合;价带与导带之间的禁带宽度为0.80 eV,进一步说明了Si是良好的半导体材料.
- 郭连权刘嘉慧宋开颜张金虎马贺武鹤楠李大业
- 关键词：半导体禁带宽度密度泛函第一性原理赝势
