国家自然科学基金(50132020)
- 作品数：27 被引量：79H指数：4
- 相关作者：肖定全朱建国余萍朱基亮吴家刚更多>>
- 相关机构：四川大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划海南省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜的Sol-gel制备技术与微结构被引量：3
- 2006年
- 研究了利用钡、锶的碳酸盐代替醋酸盐作原料,采用新的Sol-gel技术制备Ba1-xSrxTiO3(BST)铁电薄膜的技术。采用碳酸钡、碳酸锶和钛酸四丁酯作原料配制BST溶胶;通过TG/DTA分析确定了BST薄膜的制膜工艺;使用XRD、SEM、AFM技术分析了薄膜的微结构。研究结果表明,采用碳酸盐作为钡、锶的原料,用冰醋酸和乙二醇甲醚混合液作溶剂,可配制出澄清透明、能长时间放置的溶胶,用此溶胶制备出了膜厚均匀、表面光洁致密、没有裂纹的全钙钛矿相的BST薄膜;采用扫描探针显微镜的压电响应模式(PFM)观察到了BST薄膜中的具有纳米结构的a畴和c畴。
- 李桂英余萍肖定全
- 关键词：BST薄膜溶胶-凝胶技术微结构电畴
- 一种SOL-GEL制备钛酸锶钡(BST)薄膜新路线的工艺研究被引量：1
- 2005年
- 研究利用钡、锶的碳酸盐代替醋酸盐,采用sol-gel技术制备Ba1-xSrxTi O3(BST)铁电薄膜的工艺过程.以碳酸钡、碳酸锶和钛酸四丁酯作原料,采用sol-gel工艺制备BST薄膜,对比研究了用两种混合溶剂制胶和制膜的工艺.通过XRD分析了薄膜的结构,用AFM测定表面形貌,结果表明,采用碳酸盐作为钡、锶的原料,用冰醋酸和乙二醇甲醚混合液作溶剂,可配制出澄清透明、能长时间放置的溶胶,并制备出膜厚均匀、表面光洁致密、没有裂纹的全钙钛矿相的BST薄膜.
- 李桂英余萍肖定全王欢
- 关键词：BST薄膜溶胶-凝胶法
- 高度(100)取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究
- 利用射频磁控溅射技术,以 PbO 为过渡层, 在 Pt（111）/Ti/SiO/Si（100）衬底上,采用原位溅射技术制备了高度（100）取向的[(PbLa)TiO/Pb(Zr Ti)O]_n（n=1,2）{简记为[PL...
- 吴家刚朱基亮肖定全朱建国谭浚哲张青磊
- 关键词：磁控溅射电学性质
- 文献传递
- (111)取向(Pb,La)TiO_3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究被引量：4
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20—60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C.(cm2.K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.
- 刘洪蒲朝辉龚小刚王志红黄惠东李言荣肖定全朱建国
- 关键词：电畴PFM极化
- 掺镧钛酸铅铁电薄膜的电畴与热释电性能研究
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术在Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上生长了掺镧钛酸铅[（Pb0.9Ld0.1）TiO3，PLT10]铁电薄膜。用X射线衍射研究了PLT10薄膜的结晶相结构。分别使用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了PLT10铁电薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构。测试了PLT10铁电薄膜的电学参数，研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与其性能之间的关系。发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365，介电损耗tgδ为0．02，热释电系数γ为2．20×10^-8C·（cm2·K）^-1，可以满足制备非制冷红外探测器的需要。
- 刘洪蒲朝辉龚小刚肖定全朱建国
- 关键词：铁电薄膜溅射热释电
- (Pb,La)TiO_3铁电薄膜微结构与制备工艺研究被引量：1
- 2005年
- 采用射频磁控溅射技术在室温淀积、其后在700℃下退火10min,制备了(Pb,La)TiO3(简记为PLT)铁电薄膜。利用XRD研究了薄膜的结晶性;利用XPS研究了薄膜表面的化学成分、组分以及表面原子的化学价态;利用SEM研究了薄膜的断面。薄膜结构分析结果表明,在一定的制备工艺条件下,薄膜制备时间的长短对薄膜结晶性能的影响不大;XPS波谱分析表明,所测得的元素有Pb、La、Ti、O和C,其中C元素是薄膜在制备或测试过程中的污染,薄膜中没有其它杂质元素;由断面的SEM分析可知,在本论文采用的制备工艺条件下,薄膜与基底之间基本上没有互扩散,薄膜与基底的界面比较清楚。
- 吴家刚朱基亮朱建国于光龙袁小武肖定全
- 关键词：射频磁控溅射铁电薄膜XPS
- 射频磁控溅射制备(Pb,La)TiO_3薄膜的结晶性能与铁电畴初步研究被引量：1
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了(Pb,La)TiO3(简记为PLT)铁电薄膜。利用XRD对PLT薄膜的结晶性能进行了研究。实验结果表明,在一定的制备工艺条件下,可以制备出完全钙钛相的PLT铁电薄膜。PLT铁电薄膜的结晶性能与溅射的工作气压、氧氩比、退火温度等关系密切;PFM表明PLT薄膜的电畴具有180°结构。
- 吴家刚刘洪蒲朝晖肖定全朱基亮朱建国
- 关键词：PLT铁电薄膜电畴PFM
- 弛豫型铁电陶瓷(1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-xPbTiO_3研究进展被引量：8
- 2003年
- 钽钪酸铅陶瓷具有优良的介电、压电和铁电性能,但烧成温度高、居里点较低。为降低钽钪酸铅陶瓷的烧结温度并提高其居里点,人们合成了钽钪酸铅-钛酸铅(简称PSTT)材料体系。该文综述了弛豫型铁电陶瓷PSTT体系在相图与结构、制备和性能等方面的研究进展,探索了一种合成PSTT陶瓷新工艺,介绍了PSTT材料体系的重要应用领域。
- 曹健朱建国熊学斌乐夕肖定全
- 关键词：钙钛矿
- 研究In_(0.82)Ga_(0.18)As/InP的临界厚度被引量：1
- 2011年
- 根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGa1-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚度和高于临界厚度的In0.82Ga0.18As低温层,然后在生长条件一致情况下生长In0.82Ga0.18As高温层,分析临界厚度对In0.82Ga0.18As高温层的影响.
- 张铁民缪国庆孙秋孙书娟傅军符运良
- 关键词：金属有机化学气相淀积
- 不同基底对掺镧钛酸铅铁电薄膜结晶性能的影响
- 2007年
- 采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9,La0.1)TiO3,PLT10]铁电薄膜。采用常规热处理工艺对两种基底上生长的PLT铁电薄膜在相同条件下进行了退火。用原子力显微镜(AFM)观察PLT薄膜的表面形貌。用X射线衍射技术(XRD)研究PLT薄膜结晶性能。XRD图谱表明硅基底上的PLT在晶化后,各主要晶面的衍射峰均出现,取向呈现多样化;而在铂上的PLT在晶化后,只出现了(111)晶面衍射峰和(222)晶面衍射峰,取向是单一的〈111〉方向。通过对XRD的数据计算可知,在相同条件下退火的PLT薄膜,在铂上的PLT的晶粒尺寸大于在硅基底上的PLT的晶粒尺寸。晶粒尺寸的差异反应出了由于基底的影响而造成薄膜晶化过程中成核方式的差异。
- 刘洪蒲朝辉龚小刚张振宁肖定全朱建国
- 关键词：基底铁电薄膜
