国家部委资助项目(51408010304DZ0140)
- 作品数：9 被引量：29H指数：2
- 相关作者：杨银堂朱樟明张海军张宝君潘杰更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高速D/A转换器输出跨导模型及对无杂波动态范围的影响
- 2006年
- 基于无缓冲差分输出电流舵D/A转换器,建立电流源及输出电路的s域线性模型,分析输入码变化所引起的输出跨导的变化,以及对输出电流的影响。采用直流和交流量分离的方法,利用傅里叶级数,获得输出跨导对无杂波动态范围(SFDR)的影响的近似公式。采用Matlab建立高层次模型进行仿真验证。结果表明,输出跨导较大时,输出跨导与SFDR呈近似线性关系。
- 朱樟明杨银堂
- 关键词：D/A转换器
- 一种1.5V 8位100 MS/s电流舵D/A转换器被引量：1
- 2006年
- 基于新型的低压与温度成正比(PTAT)基准源和PMOS衬底驱动低压运算放大器技术,采用分段温度计译码结构设计了一种1.5V8位100MS/s电流舵D/A转换器,工艺为TSMC0.25μm2P5MCMOS。当采样频率为100MHz,输出频率为20MHz时,SFDR为69.5dB,D/A转换器的微分非线性误差(DNL)和积分非线性误差(INL)的典型值分别为0.32LSB和0.52LSB。整个D/A转换器的版图面积为0.75mm×0.85mm,非常适合SOC的嵌入式应用。
- 朱樟明杨银堂刘帘曦
- 关键词：低压电流源互补金属氧化物半导体
- 一种基于准浮栅技术的超低压折叠运算放大器设计
- 2006年
- 介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为106dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为260kHz,功耗仅为3.9μW。
- 张宝君杨银堂朱樟明张海军
- 关键词：准浮栅超低压运算放大器CMOS
- 一种基于准浮栅技术的12位D/A转换器被引量：1
- 2008年
- 提出了基于准浮栅技术的1.2V全差分运算放大器。由该准浮栅全差分运算放大器实现了一个12位并行结构的电容定标数模转换器(DAC)。所设计的DAC通过按比例缩放方法由两个6位并行DAC组合构成,在提高其分辨率的同时减少了DAC所需的芯片面积,解决了匹配精度随分辨率的增加而下降的问题。最后给出了该DAC的模拟仿真结果。
- 杨银堂张宝君张海军
- 关键词：准浮栅CMOS运算放大器数模转换器
- 一种高速低功耗可重构流水线乘法器被引量：4
- 2006年
- 文章针对在语音、视频等多媒体信号处理中出现的可变速率信号,设计了一种新型的高速低功耗可重构流水线乘法器电路,该电路可通过改变流水级数使运算频率与待处理的信号频率相匹配,明显地降低了功耗、提高了效率。并在0.25μmCMOS工艺条件下对该电路性能进行了仿真、分析、比较。在保证最大频率为1.04GHz的高运算速度情况下,最多可节约电路功耗36%。
- 田心宇杨银堂朱樟明姚英
- 关键词：可重构低功耗乘法器流水线
- BCD集成电路技术的研究与进展被引量：21
- 2006年
- 飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BCD、RF-BCD和SOI-BCD等五类工艺的特点及各自的发展标准;讨论了BCD技术的总体发展趋势。
- 杨银堂朱海刚
- 关键词：BCD智能功率集成电路SOI
- 一种8 Bit 10 GHz SiGe BiCMOS比较器被引量：1
- 2006年
- SiGeBiCMOS提供了性能极其优异的HBT(异质结晶体管),其ft超过70GHz,β>120,高线性,低噪声,非常适合高频领域应用。本文基于SiGeBiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器,它由宽带宽前置放大器、改进的主从式锁存器组成。采用3.3V单电压源,比较时钟超过10GHz,差模信号电压输入量程为0.8V,输出差模电压为0.4V,输入失调电压约2.5mV,用于8位两步闪烁式A/D转换器。
- 潘杰杨银堂朱樟明
- 关键词：SIGEBICMOS异质结晶体管全差分比较器
- 一种基于衬底驱动技术的0.8V高性能CMOS OTA被引量：1
- 2006年
- 基于衬底驱动MOS技术。设计了一种0．8V COMS跨导运算放大器（OTA），在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益。在±0．4v的电源电压下，其直流开环增益为73．8dB，单位增益带宽为16．4MHz，相位裕度为53°，功耗为125．4μW，输出电压范围为-0．337～0．370V。
- 张海军朱樟明杨银堂张宝君
- 关键词：衬底驱动超低压跨导运算放大器CMOS低功耗
- 一种5位10 GHz SiGe BiCMOS比较器
- 2006年
- SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β>120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度。
- 潘杰朱樟明杨银堂
- 关键词：SIGEBICMOS异质结晶体管全差分比较器
- 一种PFM升压型DC／DC转换器及行为模型
- 以DC／DC转换器的PFM控制电路模块的设计为例,研究了基于模拟硬件描述语言Verilog-A 的行为模型进行系统设计方法。利用Cadence Spectre仿真器对电路网表和行为模型进行了功能验证和系统级仿真。比较两种...
- 李娅妮朱樟明杨银堂
- 关键词：PFM
- 文献传递
