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MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究: 2013年; 用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量Mg x Zn1-x O薄膜。X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现有报道的最高水平相当。随着薄膜中Mg含量的增加,紫外发光峰由378 nm蓝移至303 nm。对Mg0.108Zn0.892O薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个不同的猝灭过程。对不同Mg含量薄膜共振拉曼光谱的研究发现,A1(LO)声子模频移与Mg含量在一定范围内呈线性关系,这为确定Mg x Zn1-x O薄膜中的Mg含量提供了一种简单高效的方法。通过拉曼光谱与X射线衍射对比研究发现,拉曼光谱在确定MgZnO材料相变时具有更高的灵敏度。最后,研究了Mg0.057Zn0.943O薄膜的变温共振拉曼光谱,对A1(LO)和A1(2LO)声子模随温度而变化的现象给出了一定的理论解释。; 王玉超吴天准张权林陈明明苏龙兴汤子康; 关键词：MGXZN1-XO 分子束外延光致发光共振拉曼光谱

基于靶场高速摄影光学系统畸变分析的三次拟合校正研究: 2019年; 针对靶场高速电视测量系统短焦距大视场的特点,分析了畸变对测量精度的影响;考虑到靶场短焦距光学系统畸变难以克服的问题,采用实验法和图像矫正法,利用视场标校数据、基于最小二乘原理,建立了三次方程拟合的数学模型,对光学系统全视场进行了畸变校正。实验结果表明,该方法能够有效提高短焦距大视场光学系统靶场测量的精度,简便实用,可操作性强。; 朱东济刘剑锋高蓉赵宇王玉超

分子束外延生长的极性与非极性BeZnO薄膜的比较研究(英文): 2013年; 采用分子束外延设备在不同晶面蓝宝石衬底上(c面,a面,r面)生长BeZnO薄膜。使用复合缓冲层生长得到了高质量的BeZnO薄膜,X射线衍射半高宽达到600 arcsec。在c面与a面蓝宝石衬底上生长得到了极性BeZnO薄膜,在r面蓝宝石上生长得到了非极性BeZnO薄膜。共振拉曼光谱测试结果表明薄膜中的Be含量在同一水平。相对于c面与a面蓝宝石上的极性BeZnO薄膜,生长在r面蓝宝石衬底上的非极性BeZnO薄膜具有较大的表面粗糙度以及较大的半高宽,但是其光致发光谱中的紫外发光峰远远强于极性BeZnO薄膜,并且黄绿光发光峰弱于极性BeZnO薄膜。; 王玉超吴天准陈明明苏龙兴张权林汤子康; 关键词：晶体取向分子束外延光致发光

高质量ZnO及BeZnO薄膜的发光性质被引量：3: 2013年; 用分子束外延设备插入缓冲层在c面蓝宝石上生长得到高质量ZnO和BeZnO薄膜。XRD测试显示薄膜具有六方结构和c轴取向,并具有良好的晶体质量,其中ZnO薄膜的半高宽仅为108 arcsec,BexZn1-xO薄膜的半高宽小于600 arcsec。对ZnO和BeZnO薄膜的拉曼光谱进行对比研究发现,随着Be元素的掺入,A1(LO)、A1(2LO)声子模频率往大波数方向移动,并且首次发现了与Be元素掺杂有关的局域振动模。利用变温光致发光光谱研究了薄膜的发光性质,结果显示ZnO薄膜室温光致发光只出现一个紫外发发光峰(378nm),而低温光谱(80 K)则出现了很强的自由激子发光峰。随着温度的升高,束缚激子发光逐渐湮灭向自由激子发光转变,并且峰值位置红移。相对于ZnO薄膜,BeZnO薄膜的紫外发光主峰位置蓝移,并且由于Be元素的掺入导致薄膜晶体质量下降,在低温(80 K)光致发光光谱中没有出现强的自由激子发光峰。另外,在低温光致发光及拉曼光谱中,主峰位置在100～200 K之间有局部最大值,推测为由于合金晶格热膨胀系数失配而引起的应力效应。; 王玉超吴天准苏龙兴张权林陈明明汤子康; 关键词：分子束外延 ZNO 光致发光拉曼光谱

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国家自然科学基金(51232009)