您的位置: 专家智库 > >

福建省自然科学基金(2010J01305)

作品数:5 被引量:8H指数:2
相关作者:王锋林海容潘荣萱黄云华苏碧珠更多>>
相关机构:泉州师范学院更多>>
发文基金:福建省自然科学基金福建省教育厅A类人文社科/科技研究项目福建省高校服务海西建设重点项目更多>>
相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇电性能
  • 3篇非晶
  • 3篇磁性
  • 2篇导体
  • 2篇多层膜
  • 2篇半导体
  • 2篇磁性半导体
  • 1篇导电
  • 1篇导电机理
  • 1篇电动势
  • 1篇电性能研究
  • 1篇电阻率
  • 1篇取暖
  • 1篇取暖系统
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋极化
  • 1篇抗磁性
  • 1篇功率
  • 1篇固相反应法
  • 1篇发电

机构

  • 5篇泉州师范学院

作者

  • 5篇王锋
  • 1篇潘荣萱
  • 1篇许辉鳄
  • 1篇黄俊钦
  • 1篇陈瑞美
  • 1篇陈春花
  • 1篇林海容
  • 1篇杨少贵
  • 1篇黄云华
  • 1篇苏碧珠

传媒

  • 2篇泉州师范学院...
  • 1篇物理学报
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
非晶Co/Ge多层膜的磁性和电性能
2013年
采用射频溅射的方法制备了[Cox/Ge10-x](x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm)非晶多层薄膜,X射线衍射仪(XRD)显示样品中不存在第二相.随着Co层厚度增加,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性.制备态的[Co2.5/Ge7.5]的饱和磁化强度Ms可达8.3×104 A/m.霍尔效应测试表明样品均为P型半导体,载流子浓度约为1023~1025 m-3.薄膜的低温电阻导电机理属于磁性半导体材料的自旋依赖电子变程跃迁机制,实验结果表明,Co/Ge体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.
王锋陈春花陈瑞美
关键词:CO磁性半导体自旋极化
微型风力发电取暖系统的设计与应用被引量:2
2011年
设计组建了一个微型风力发电取暖系统,推出永磁同步发电机感生电动势E与叶片转速v关系式:E—Cv,并通过实验验证.利用该系统测试泉州师院风能大小,提出选择C值大于1.39的发电机,可利用泉州常年风力3~4级来达到日常供能供暖使用要求,同时推导出测量风速公式:Vwind=2πR×E/C×D,该公式可用于制作风速测量计,并获得实验验证.
王锋黄云华
关键词:风力发电感生电动势功率风速测量取暖
非晶Fe_xZn_(1-x)O薄膜的结构、磁性和电性能被引量:5
2012年
采用射频共溅射方法制备了FexZn1-xO(x=0.80,0.86,0.93)非晶薄膜,该薄膜具有较强的室温铁磁性,制备态的Fe0.93Zn0.07O的饱和磁化强度Ms可达333.29emu/cm3,磁性能是各向同性的.与多晶的FexZn1-xO(x20%)不同的是样品出现了明显的异常霍尔效应(AHE),样品均为n型半导体,载流子浓度约为1019—1020cm3.退火后的样品在低温222K下存在着电阻极小值现象.薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖的电子变程跃迁机理,上述实验结果表明高Fe含量的非晶FeZnO体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.
王锋潘荣萱林海容
关键词:磁性半导体
非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究
2013年
采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜。随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应。扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]20的饱和磁化强度M s可达33 emu/cm3。提出了磁性起源于Cr原子层间耦合的模型,薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制。
王锋许辉鳄杨少贵
关键词:磁性导电机理
Ti掺杂ZnO的结构、磁性和电性能被引量:1
2013年
通过固相反应法制备非磁性原子Ti掺杂ZnO系列样品.X射线衍射测量显示样品除了ZnO相外,还产生了Zn2TiO4、ZnTiO3两个物相.晶粒大小为30~60 nm.振动样品磁强计测量得出样品的磁性都为抗磁性.样品电阻率大于102Ω·cm,无霍尔效应和磁致电阻效应.
王锋黄俊钦苏碧珠
关键词:抗磁性固相反应法电阻率
共1页<1>
聚类工具0