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国家自然科学基金(10974159)

作品数:3 被引量:17H指数:3
相关作者:雷衍连宋群梁熊祖洪张勇黄承志更多>>
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发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇有机半导体
  • 1篇有机半导体器...
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光二极...
  • 1篇阻挡层
  • 1篇空穴
  • 1篇空穴阻挡层
  • 1篇激子
  • 1篇二极管
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  • 1篇掺杂
  • 1篇磁场效应
  • 1篇TRAPS
  • 1篇EXCITO...

机构

  • 2篇西南大学

作者

  • 2篇熊祖洪
  • 2篇宋群梁
  • 2篇雷衍连
  • 1篇张巧明
  • 1篇陈平
  • 1篇刘荣
  • 1篇黄承志
  • 1篇张勇

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇Scienc...
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 3篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
空穴阻挡层BCP对掺杂型有机发光二极管中磁电导效应的影响被引量:4
2010年
通过在器件复合发光区附近插入空穴阻挡层BCP,制备了一种具有非平衡传输性能的荧光染料掺杂型发光二极管,其结构为ITO/CuPc/NPB/NPB:DCM(5wt%)/BCP/Alq3/LiF/Al,并在不同温度和电压下测量了器件的注入电流随外加磁场的变化(即磁电导效应).实验结果表现为:当磁场处在0~40mT时,该非平衡发光器件的磁电导随磁场的增加而迅速增大(即表现为快变的正磁电导效应).这一实验现象与具有相对平衡传输性能的发光器件中所观测到的磁电导效应一致;当磁场大于40mT时,非平衡发光器件的磁电导随磁场的进一步增加表现为缓慢下降(即缓变的负磁电导效应成分),而平衡器件的磁电导则变为继续缓慢增加(即为缓变的正磁电导效应).本文对非平衡传输掺杂型发光器件的体系特征进行了讨论,并基于三重态激子-电荷(T-Q)反应受外加磁场的影响对上述实验现象进行了定性解释.
张巧明陈平雷衍连刘荣张勇宋群梁黄承志熊祖洪
关键词:空穴阻挡层掺杂
有机半导体器件中的磁场效应研究进展被引量:5
2010年
有机半导体器件中的磁场效应,是指在不包含任何磁性功能层的有机半导体器件中,其电流或发光在外加磁场作用下发生改变的现象.由于有机半导体器件中的磁场效应具有高的灵敏度,且其绝对值即使在室温下也较大,因此有机半导体中的磁场效应具有重要的科学意义和实用价值,从而引起了科研人员的广泛兴趣,并取得了较大的研究进展.本文较详细地介绍了该领域的研究历史、现状和已经取得的主要研究结果,重点综述了产生该奇特磁场效应可能的物理机制,并对其未来的发展方向进行了展望.
雷衍连宋群梁熊祖洪
关键词:有机半导体磁场效应激子
Influence of DCM dye doping on the magnetic field dependent electroluminescence in organic light emitting diodes被引量:10
2010年
The DCM dye doped organic electroluminescence devices with structure of ITO/NPB/Alq 3 : DCM/Alq 3 /LiF/Al were fabricated. From 15 K to room temperature, the magnetic field dependent of electroluminescence (MEL) of devices was investigated. Our observations indicated that the MEL is composed of two effects in different regimes: a low field (0≤B≤40 mT) effect and a high field (B > 40 mT) effect. For undoped devices, the low field effect exhibits a rapid rising with the increasing field, and the high field effect shows a slow increase and gradually saturates at room temperature. For doped devices, the low field rapid increase is also present, whereas the high field effect displays a decrease with the increasing field. The larger the injection current is, the more apparent the high field decrease is. In addition, the doped device demonstrates less temperature dependence of the high field effect than undoped device, although the undoped devices also present high field decrease of electroluminescence at low temperatures (T≤150 K). Based on the energy level trapping effect due to dye doping and magnetic field modulated triplet exciton annihilation, the experimental results are carefully explained.
CHEN Ping, LEI YanLian, LIU Rong, ZHANG QiaoMing, ZHANG Yong & XIONG ZuHong School of Physical Science and Technology, MOE Key Laboratory on Luminescence and Real-Time Analysis, Southwest University, Chongqing 400715, China
关键词:DEPENDENTELECTROLUMINESCENCETRAPSTRIPLETEXCITONANNIHILATION
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