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国家高技术研究发展计划(2011AA03A111)

作品数：10 被引量：42H指数：3
相关作者：李书平康俊勇贾辉陈一仁孙晓娟更多>>
相关机构：厦门大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 5篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇发光
  • 3篇ALN
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇化物
  • 2篇光学
  • 2篇二极管
  • 2篇发光二极管
  • 2篇ALGAN
  • 1篇电流
  • 1篇电容
  • 1篇电压
  • 1篇电压特性
  • 1篇英文
  • 1篇应力
  • 1篇散射
  • 1篇散射光
  • 1篇散射光谱
  • 1篇探测器
  • 1篇平面波展开法

机构

  • 4篇厦门大学
  • 3篇中国科学院研...
  • 3篇中国科学院长...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇康俊勇
  • 4篇李书平
  • 3篇李志明
  • 3篇缪国庆
  • 3篇蒋红
  • 3篇宋航
  • 3篇黎大兵
  • 3篇孙晓娟
  • 3篇陈一仁
  • 3篇贾辉
  • 1篇李晋闽
  • 1篇林伟
  • 1篇蔡端俊
  • 1篇杨闻操
  • 1篇刘达艺
  • 1篇崔琳哲
  • 1篇沈波
  • 1篇陈航洋
  • 1篇卢励吾
  • 1篇王军喜

传媒

  • 3篇发光学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响
2012年
采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级,峰值光谱响应度提高了近3个数量级,紫外/可见抑制比大于103。
贾辉陈一仁孙晓娟黎大兵宋航蒋红缪国庆李志明
关键词：MSM紫外探测器
初始化生长条件对a-GaN中应变的影响被引量：2
2012年
利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明:与氮化处理后生长的a-GaN相比,使用低温AlN缓冲层后生长的a-GaN具有较小的摇摆曲线的半高宽和较低的残余应变,而且其结构各向异性和残余应变各向异性也均有一定程度的降低。因此,与氮化处理相比,低温AlN缓冲层更有利于a-GaN的生长。
贾辉陈一仁孙晓娟黎大兵宋航蒋红缪国庆李志明
关键词：各向异性拉曼散射光谱
六边形LED芯片的出光效率模拟研究
2014年
近年来,人们对LED的出光效率和出光的效果进行了大量的研究和改进。有研究机构做出了六边形的LED芯片,实践中在光学性能、出光效率和成本上比传统的LED芯片有较大的优势。因此利用TracePro仿真软件对不同形状的LED芯片进行模拟,并通过对比验证仿真结果的正确性和仿真方法的可行性。仿真结果表明,六边形芯片的LED模型在光线扭曲和暗点的问题上比传统芯片的LED模型得到了明显的改善,照度均匀性得到明显的增强,光能的输出效率上也有一定的提高。对比两种芯片的LED模型在当下比较常见的封装模式下的光学性能,结果表明六边形芯片的LED模型在光强或均匀度上都要好于正方形芯片的LED模型。
卓晓龙陈嘉琪李书平康俊勇
关键词：TRACEPRO光学性能出光效率
InAlN材料表面态性质研究被引量：2
2013年
运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验结果表明,随着In组分增加,肖特基势垒高度逐渐降低,表面态密度依次增加.变频C-V特性还表明,随着测试频率降低,C-V曲线有序地朝正电压方向移动,该趋势随着In组分的增加而变得更加明显,这可能归结于InAlN表面态的空穴发射.AFM表面形貌研究揭示InAlN表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因.
杨彦楠王新强卢励吾黄呈橙许福军沈波
关键词：表面态电流电压特性电压特性
基于LabVIEW的外延片光致发光扫描系统被引量：2
2012年
概述了一套基于LabVIEW而搭建的半导体光致发光扫描系统.充分考虑扫描过程中由于外延片荧光信号过于微弱、不均匀背景光噪音可能产生的光谱采集失真以及随后分析谱图所存在的物理参量读取误差等因素,通过扣除背光源、隔离样品、高斯拟合等方式对测量过程进行优化.同时依托LabVIEW自身强大的仪器控制能力,如调用动态链接库与ActiveX控件实现了对光谱仪和平移台的通信与控制,结合其良好的数据分析及显示能力,实现了对外延片测量、读取、分析处理以及实时显示等过程的自动化整合,准确高效地提取出样品空间分辨的光致发光特性如峰位、光强等.最后初步分析了所用外延片的发光均匀性,得出波长分布与生长温度分布基本一致,肯定了保持生长腔内温度均匀一致的重要性.该系统不仅界面友好、简单易操作、实时性强、智能化高且搭建简单易行,极大地降低了成本,方便研究人员进行快捷准确的测试.
崔琳哲李书平康俊勇
关键词：LABVIEW
高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展被引量：11
2013年
随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点,因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前,高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高,所制备的深紫外LED发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿c轴方向正面出光效率较低的难题,因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展,总结和梳理了量子结构设计、内电场调控以及晶体场调控等方面的相关研究,以期实现高质量深紫外LED的制备。
陈航洋刘达艺李金钗林伟杨伟煌庄芹芹张彬彬杨闻操蔡端俊李书平康俊勇
关键词：ALGANALNMOVPE
用于短波段发光二极管的二维光子晶体禁带研究被引量：6
2012年
运用平面波展开法(PWE),针对光子晶体在短波长段发光二极管(LED)领域上的应用,主要选择高频禁带模式,研究了4种具有较大应用潜力的二维光子晶体结构,包括正方空气柱结构、三角空气柱结构、正方介质柱结构和三角介质柱结构。在不同晶格常数、占空比(AFF)、柱半径和晶格常数比下,分析了TE模式和TM模式光子禁带的变化。数据分析表明,光子禁带中心波长随AFF增加而变小。相比于其他结构,正方介质柱结构更适于短波段光子晶体LED来提高其出光效率,三角介质柱结构和三角空气柱结构适合用于构造短波段偏振光LED。
刘金川姜伟李书平康俊勇
关键词：光学器件光子晶体发光二极管平面波展开法光子禁带
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文)被引量：1
2012年
采用有机金属化学气相沉积设备用两步生长法在(0001)蓝宝石衬底上制备AlN薄膜。研究了预通三甲基铝(TMAl)使衬底铝化对外延AlN的影响。利用高分辨X射线衍射(XRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析了样品的结晶质量以及外延膜中的残余应力。通过SEM观察发现,短时间的预通TMAl处理对AlN薄膜表面的影响不大;但随着预通时间的增加,表面会出现六角形的岛。通过优化TMAl的预通时间可以保护衬底被氮化有利于Al极性面AlN的生长,从而得到的Al极性面AlN表面比较平整;但是预通TMAl时间过长会使衬底表面沉积金属态铝而不容易形成平整的表面。X射线双晶摇摆曲线结果表明:样品的(0002)和(1012)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽随着预通TMAl时间的不断增加,由此得出薄膜的晶体质量不断下降。这可以解释为:预通TMAl使形成的晶核不再规则,从而在成核层形成了很多亚颗粒降低了晶体质量。进一步对XRD结果分析,我们也发现了这样的应力变化。这种应力的变化起源可以归结于内应力(岛的合并在其晶界引入的应力)与外应力(晶格失配与热失配引起的应力)共同作用的结果。
贾辉陈一仁孙晓娟黎大兵宋航蒋红缪国庆李志明
关键词：ALN应力
氮化物深紫外LED研究新进展被引量：20
2015年
基于三族氮化物(III-nitride)材料的紫外发光二极管(UV LED)在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景,近年来受到越来越多的关注和重视.在过去的十多年里,氮化物UV LED取得了长足的进步,发光波长400–210 nm之间的氮化物UV LED先后被研发出来,短于360 nm的深紫外LED(DUV LED)的外量子效率(EQE)最好结果已超过10%,很大程度上得益于核心Al Ga N材料制备技术的进展.通过提高Al Ga N外延材料及量子结构中的Al组分,可以实现更短波长的UV LED,但是源于Al(Ga)N材料的特性,随着Al组分的提高,高质量材料外延和实现有效掺杂面临越来越高的挑战.本文首先从材料外延和掺杂研究的角度出发,分别从UV LED的量子结构与效率、关键芯片工艺、光提取、可靠性与热管理等方面,详细阐述探讨了发光波长短于360 nm的DUV LED研究中面临的核心难点及近年来的一系列重要研究进展.
王军喜闫建昌郭亚楠张韵田迎冬朱邵歆陈翔孙莉莉李晋闽
关键词：ALNGANALGAN紫外发光二极管
The effect of δ-doping and modulation-doping on Si-doped high Al content n-Al_xGa_(1-x)N grown by MOCVD
2013年
The effect of periodic delta-doping and modulation-doping on high Al content n-AlxGa1-xN （x = 0.55） epilayers grown by MOCVD has been investigated. Measured by XRD, AFM, contactless sheet resistance, and Hall-effect tests, 8-doped and modulation-doped n-Alx Ga1-xN have better crystal quality, surface morphology and electrical properties as compared with uniformly-doped n-AlxGa1-xN. These improvements are attributed to the SiNx growth mask induced by δ-doping layers and the dislocation-blocking effect induced by both growth techniques. In addition, due to the broadened doping profile ascribed to enhanced dopant diffusion at high growth temperatures （1150 ℃） ofn-Al0.55 Ga0.45N, modulation-doped n-Al0.55 Ga0.45N has similar properties as 8-doped n-Al0.55 Ga0.45N.
朱邵歆闫建昌曾建平张宁司朝董鹏李晋闽王军喜
关键词：MOCVDΔ-DOPINGMODULATION-DOPING
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