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教育部科学技术研究重点项目(211035)

作品数：9 被引量：22H指数：4
相关作者：史力斌张研研任瑞晨李凯丰周德江更多>>
相关机构：渤海大学辽宁工程技术大学阜新高等专科学校更多>>
发文基金：教育部科学技术研究重点项目辽宁省自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：动力工程及工程热物理理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 4篇动力工程及工...
  • 3篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇电池
  • 4篇太阳电池
  • 2篇第一性原理
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇厚度
  • 2篇非晶
  • 2篇背场
  • 2篇X
  • 1篇第一性原理方...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇异质结
  • 1篇英文
  • 1篇势垒
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇自启动
  • 1篇力学性质

机构

  • 9篇渤海大学
  • 2篇辽宁工程技术...
  • 1篇阜新高等专科...

作者

  • 8篇史力斌
  • 4篇张研研
  • 2篇任瑞晨
  • 1篇李明标
  • 1篇李彩霞
  • 1篇李春然
  • 1篇佟蕾
  • 1篇刘晟楠
  • 1篇任骏原
  • 1篇费英
  • 1篇田辉
  • 1篇史冬梅
  • 1篇闫石
  • 1篇刘晶晶
  • 1篇王忠鑫
  • 1篇周德江
  • 1篇李凯丰

传媒

  • 3篇原子与分子物...
  • 2篇渤海大学学报...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇重庆理工大学...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
CdS_xSe_(1-x)合金结构、电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：1
2014年
用密度泛函理论究了闪锌矿型三元合金体系Cd SxSe1-x的晶体结构、电子结构和光学性质.计算了组分参数在0≤x≤1范围内Cd SxSe1-x的电子结构、态密度和带隙,计算结果表明Cd SxSe1-x为直接带隙半导体材料,其带隙随Se含量的增加而减小.分析了Cd SxSe1-x的复介电函数和吸收系数等光学性质随光子能量变化的关系,随Se元素含量增加,各光学特性曲线向低能方向移动.
李春然佟蕾闫石史力斌
关键词：第一性原理光学性质
非晶Si_(1-x)Ge_x:H薄膜太阳能电池研究被引量：5
2012年
运用AMPS—ID程序研究了a-SiC:H/a-Si_(1-x)Ge_x:H/a-Si:H薄膜太阳能电池的光电特性.分析了a-SiC:H/a-Si_(1-x)Ge_x:H/a-Si:H薄膜太阳能电池短路电流、断路电压、填充因子和光电转化效率随Ge成分(或含量)x和a-Si_(1-x)Ge_x:H层厚度的变化.计算结果表明x=0.1和a-Si_(1-x)Ge_x:H厚度h=340 nm时,转化效率达到最大值9.19%.另外,讨论了各种因素对太阳能电池性能的影响.
费英史力斌
关键词：太阳能电池
基于逻辑函数修改技术的N进制同步计数器设计被引量：4
2012年
为简化自启动任意进制同步计数器的设计过程,探讨了用逻辑函数修改技术设计基于JK触发器的能自启动的任意进制同步计数器的设计方法。即在由JK触发器构成的同步二进制计数器的基础上,通过修改部分触发器的激励函数方程改变计数器状态转换的顺序实现N进制计数。给出了触发器激励函数修改的原则和修改函数的确定方法,并分析了N进制计数器的自启动功能。该方法具有方便、快捷的特点和较强的实用意义。
任骏原
关键词：二进制计数器激励函数自启动
n型衬底上双面HIT太阳电池背场的模拟优化被引量：8
2012年
采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了背场对TCO/a-Si∶H(p+)/a-Si∶H(i)/c-Si(n)/a-Si∶H(i)/a-Si∶H(n+)/TCO双面HIT异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明在背场掺杂浓度NB≥1×1018cm-3时,带隙在1.60～1.92 eV范围内的宽带隙薄膜硅材料比较适合作为双面HIT太阳电池的背场。模拟中还发现,背场n+层掺杂浓度对太阳电池性能的影响要受到该层隙间态密度的制约,隙间态密度越大,则对背场掺杂浓度的要求越高。
张研研任瑞晨史力斌
关键词：太阳电池异质结背场
模拟分析少子复合速率及吸收层对HIT太阳电池性能的影响被引量：1
2014年
采用AMPS-1D程序模拟分析了前后接触少子复合速率以及吸收层的厚度和少子迁移率对非晶硅/单晶硅异质结太阳电池光伏性能的影响.模拟发现,与太阳电池的前接触少子复合速率相比,背接触少子复合速率对太阳电池光伏性能的影响更为显著.吸收层单晶硅的厚度对太阳电池光伏性能的影响要受到单晶硅隙间缺陷态密度以及背接触少子复合速率的制约.当背接触复合占主要地位时,吸收层越厚电池的转换效率越高;当吸收层隙间缺陷复合占主要地位时,电池的转换效率在某一厚度处达到峰值.吸收层的少子迁移率对太阳电池性能的影响,也要受到背接触少子复合速率的制约.当背接触复合速率较低时,少子迁移率越大,电池的转换效率越高;当背接触复合速率较高时,少子迁移率越小,电池的转换效率越高.
任瑞晨张研研李彩霞史力斌史冬梅
关键词：太阳电池厚度
不同吸收层结构的非晶硅/锗太阳能电池转换效率的模拟计算(英文)被引量：3
2012年
设计了2种太阳能电池结构:结构A为a-Si:H/a-Si0.65Ge0.35:H多吸收层结构;结构B为a-Si0.65Ge0.35:H单吸收层结构。采用AMPS-ID程序分析了2种电池结构的光电性质。模拟计算中光学吸收系数和缺陷浓度均采用实验数据以便确保模拟的可靠性。分析了2种电池结构的短路电流密度、断路电压、填充因子和转换效率。结果表明:对于结构A,当吸收层厚度达180 nm时,转换效率达到饱和值6.88%;对于结构B,当吸收层厚度达45 nm时,转换效率达到最大值3.44%;利用载流子产生和复合机制分析了采用多吸收层结构更有利于提高太阳能电池的转换效率。
李明标史力斌
关键词：半导体太阳能电池
非晶硅锗薄膜太阳电池的模拟研究被引量：5
2015年
利用AMPS程序模拟研究了非晶硅锗薄膜太阳电池的窗口层材料和厚度以及背接触势垒对电池光伏性能的影响。模拟发现带隙为1.92 e V的非晶硅碳更适合作为太阳电池的窗口层,且窗口层越薄电池的性能越好。模拟还发现,背接触势垒越低,则电池的光伏性能越好,当背接触势垒在0.11-0.51 e V的范围内时电池的转换效率不会受到背接触势垒的影响。
张研研陈祺李凯丰周德江王忠鑫史力斌
关键词：太阳电池
非晶硅/多晶硅太阳电池吸收层厚度的设计优化被引量：2
2013年
为非晶硅/多晶硅太阳电池设计增加了一层重掺杂的非晶硅薄膜作为背场,利用AMPS程序模拟发现电池的光伏性能明显改善.模拟中还发现,有无背场时,电池的转换效率分别在吸收层厚度为5μm和15μm时达到峰值,故有背场的太阳电池更有利于节约材料,降低成本.
张研研陈祺刘晟楠田辉史力斌
关键词：太阳电池厚度背场
利用第一性原理方法研究CuXSe_2(X=B,Al,Ga,In,Tl)力学性质
2014年
在广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)下,采用第一性原理方法研究CuXSe2(X=B,Al,Ga,In,Tl)晶体结构的稳定性和力学性质.分析CuXSe2(X=B,Al,Ga,In,Tl)结构的晶格常数,弹性常数,体积模量,剪切模量,杨氏模量,泊松比,对比各材料的力学性质变换规律.计算结果表明,根据力学稳定判据,在零温零压下,CuXSe2(X=B,Al,Ga,In,Tl)的晶体结构是力学稳定的.经过同主族替换,发现晶格常数越大,体弹性模量就越小.这可以解释为X离子半径逐渐增大,晶格常数逐渐增加,晶体的可压缩性也增加.另外,CuTlSe2的剪切模量最小,不容易发生剪切形变.CuBSe2的杨氏模量最大,其刚度最高.由Pugh经验关系可知CuXSe2(X=B,Al,Ga,In,Tl)均属于韧性材料.
刘晶晶史力斌
关键词：力学性质第一性原理
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