国家重点实验室开放基金(KFJJ201203)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
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- 具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS设计
- 2013年
- 提出了一种具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS器件。借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压。通过分析器件的结构参数,进一步得到优化的器件击穿电压和比导通电阻。与常规nLDMOS结构相比,该器件不仅具有高的击穿电压,而且制造工艺简单、成本低。
- 王卓邹杰周锌卢慕婷乔明张波
- 关键词：SOINLDMOS击穿电压比导通电阻
- 超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究被引量：3
- 2015年
- 针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644V,比导通电阻为24.1Ω·mm2,击穿时埋氧层电场超过200V/cm。
- 王卓周锌陈钢杨文庄翔张波
- 关键词：高压LDMOS耐压模型RESURF
