国家教育部博士点基金(2000069823)
- 作品数：21 被引量：79H指数：5
- 相关作者：朱长纯李玉魁刘兴辉田昌会刘卫华更多>>
- 相关机构：西安交通大学中原工学院辽宁大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 碳纳米管场发射显示器特性测试方法的研讨被引量：3
- 2004年
- 通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器样管。改变常用的驱动电源电压测试为器件电压测试,得到非常理想的伏安特性曲线和发光特性曲线。从测试结果分析可知,直接测量碳纳米管场发射显示器的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理。从电子场发射的角度看,实际的碳纳米管场发射伏安特性曲线应比测试的伏安曲线更陡。
- 田昌会朱长纯史永胜王小力
- 关键词：碳纳米管场发射显示器伏安特性曲线光亮度
- 新型阴极粘贴技术制备三极CNT-FED的研究被引量：3
- 2005年
- 利用催化剂高温分解在硅衬底上生长了碳纳米管薄膜阴极;采用丝网印刷工艺、高温烧结工艺以及低熔点玻璃封接技术,制作了三极结构的碳纳米管场致发射显示器器件.采用了新型的阴极粘贴技术来装配碳纳米管阴极,解决了硅片和封装玻璃之间热膨胀系数不一致的技术难题,实现了稳定可靠的整体器件高温封装,同时也避免了其他器件制作工艺对碳纳米管阴极的损伤,增强了阴极装配技术的适用性和灵活性.整体显示器具有良好的场致发射特性以及比较高的显示亮度.
- 李玉魁李德昌朱长纯
- 关键词：碳纳米管场致发射
- 大面积印刷纳米金刚石薄膜的场致发射的研究被引量：4
- 2006年
- 研制了特定比例的纳米金刚石浆料,采用了丝网印刷工艺在石墨衬底上大面积印制了纳米金刚石场发射薄膜,实验探索了石墨衬底纳米金刚石薄膜的烧结工艺和后处理过程,利用扫描电镜(SEM)观察了纳米金刚石膜的表面形貌,经后处理的薄膜中纳米金刚石露出薄膜表面,纳米金刚石的棱角是天然的发射体。采用本课题组研制的多功能场发射测试台在10-6Pa的真空条件下进行了场发射特性的测试,结果发现石墨上低成本大面积印刷的纳米金刚石薄膜具有均匀稳定的场发射特性,作为电子器件的理想冷阴极发射,可在宇宙飞船、原子反应堆等恶劣条件下工作的平面显示器中得到应用。
- 张秀霞朱长纯
- 关键词：纳米金刚石薄膜场发射特性丝网印刷
- 三极结构场致发射显示器件的制作被引量：17
- 2006年
- 利用钙钠玻璃作为阴极和阳极面板,并采用低熔点玻璃粉进行高温烧结,制作了三极管型的碳纳米管阴极场致发射平板显示器件样品。高效的烧结排气工艺提高了器件的制作成功率,避免了碳纳米管阴极和阳极荧光粉的损伤。改进的消气剂装配确保了器件的良好密封性能。整体显示器件具有高的显示亮度和低的制作成本。
- 李玉魁郭艳清朱长纯
- 关键词：碳纳米管三极结构场致发射
- 基于碳纳米管的尖端电极对汤生放电型气体传感器特性的影响被引量：2
- 2003年
- 研制出不锈钢针尖 ,特制钨尖 ,以及在尖端上生长有碳纳米管 (CNT)阵列的针尖与钨尖 4种尖端电极 ,分别测试了 4种尖端电极的负离子产生量 ,及其在空气中汤生放电的不同的 I— V特性曲线。影响气体放电的因素很多 ,其中电极形状和材料是极为关键的因素。笔者通过大量的研究 ,对这 4种尖端电极进行了分析和讨论 ,发现特制钨尖比不锈钢针尖的表面电场强 ,而在这两种尖端上生长了碳纳米管后 ,负离子产生量分别提高到原来的 3倍 ,表明其表面电场加强且表面逸出功降低。汤生放电研究发现 ,选择生长有碳纳米管的特制钨尖作为电极 ,不仅可以降低气体的放电电压 ,而且还可以增大极间距 ,有利于气流的通畅和传感器的恢复。
- 李昕白鹏刘君华朱长纯
- 关键词：气体传感器碳纳米管
- 三极CNT-FED的封装技术制作研究
- 2005年
- 通过采用低熔点玻璃封接技术和高温烧结工艺,实现了稳定可靠的场致发射平板显示器高真空封装。新型的阴极粘贴技术可以实现对各种片状阴极材料进行装配,避免了碳纳米管阴极的损伤,具有制作大面积显示器件的潜力。所制作的三极结构平板显示器样品具有良好的场致发射特性以及大的阳极电流。
- 李玉魁朱长纯
- 关键词：碳纳米管装配技术高温烧结丝网印刷
- 碳纳米管的手性对发射电流的影响被引量：1
- 2003年
- 建立了SWCNT的发射电流与外加电场之间的关系式,分析了SWCNT的手性结构对发射特性的影响.数值计算的结果表明,在电场相同、管径相近的情况下,发射电流从大到小依次为锯齿型(金属性)、扶手椅型、手性(金属性)、手性(半导体性)和锯齿型(半导体性)管.
- 朱长纯刘兴辉李玉魁张胜利
- 关键词：碳纳米管场发射色散
- 碳纳米管场发射显示屏栅极工艺的研究被引量：2
- 2004年
- 利用优质云母板作为栅极结构基底材料,结合简单的丝网印刷工艺将导电银浆制作成条状栅极,制作了新型的栅极结构;采用高温分解方法制备了碳纳米管薄膜阴极,制作了三极结构碳纳米管阴极平板显示屏样品。该样品具有良好的场致发射特性以及栅极控制能力。利用这种新型的栅极结构,能够克服整体器件高温封装所带来的技术困难,避免碳纳米管阴极和阳极荧光粉的损伤,实现了稳定可靠的高温封装,具备了制作大面积场致发射器件的潜力。
- 李玉魁朱长纯
- 关键词：碳纳米管场致发射云母板显示屏栅极
- 场致发射平板显示器的研究进展被引量：3
- 2006年
- 利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示器是一种新型的平板真空器件。介绍了二极管型和三极管型场致发射显示器的各种基本结构,给出了场致发射平板显示器的基本行列矩阵寻址方式原理,重点分析和讨论了在制作大面积平板器件方面所存在的支撑结构问题,这种新颖的平板显示技术将会进一步降低生产成本和提高显示质量。
- 李玉魁朱长纯
- 关键词：显示器场致发射矩阵寻址
- 碳纳米管阴极场致发射的电场数值模拟被引量：4
- 2006年
- 利用VisualFORTRAN语言,对碳纳米管阴极的外电势分布和电场强度分布进行了数值模拟.采用非等间距的网格划分对碳纳米管尖端附近进行细致的划分处理,并利用等参有限元方法进行了模拟计算.分析了碳纳米管尖端局部电场强度的增强效应和相邻碳纳米管之间的电场屏蔽现象.讨论了碳纳米管电场强度随管间距变化的关系以及碳纳米管尖端电场强度随半径变化的关系.
- 李玉魁成胜利刘兴辉刘一婷朱长纯
- 关键词：碳纳米管场致发射数值模拟电场强度
