国家自然科学基金(10804036)
- 作品数：13 被引量：16H指数：2
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- 纳米胶体球表面生长的Co/Pt多层膜的磁性研究
- 2009年
- 利用自组装技术在Si表面上制备二维有序胶体球阵列,利用磁控溅射系统以此为衬底制备Co/Pt垂直多层膜,形成曲面膜.与沉积在Si表面上相同结构的多层膜做比较,当测量角度在0°-45°之间时,曲面膜的磁滞回线形状几乎无变化,表明转换场分布很窄,这是由各向异性轴在球表面的变化造成的.
- 刘惠莲张永军王雅新杨景海
- 关键词：自组装磁控溅射磁性各向异性
- 利用MeO-TAD空穴注入特性提高有机白光器件的性能
- 2010年
- 利用MeO-TAD的空穴注入特性,在阳极ITO与空穴传输层NPBx之间加入空穴注入层MeO-TAD,使其起到空穴注入的作用,NPBx作空穴传输层和蓝光发射层,Rubrene作黄光发射层,BCP作空穴阻挡层,Alq3作为电子传输层,LiF作阴极修饰层制备一组白光器件.通过实验证明MeO-TAD是一种很好的空穴注入材料,但该材料的引入同时导致了器件色度的略微变差,这主要是由于器件中空穴的数量增多所引起的.
- 韩强高永慧姜文龙姚冠新
- 关键词：有机白光器件
- 双发光层磷光OLED发光特性的研究
- 2015年
- 通过改变发光层的厚度,制备了一种双发光层结构的有机电致发光器件,其结构为:ITO/NPB(40nm)/CBP:8%wt Fir6(x nm)/CBP:1%wt Ir(piq)2acac((30-x)nm)/Bphen(40nm)/Li F(0.5nm)/Al(100nm)。在常温下研究了器件的发光层在不同厚度(x=20,23,25,27)时的发光特性,器件色度随蓝色磷光材料Fir6掺杂层厚度的增加,蓝光发射增强,色度向黄白光改变。实验结果表现为Fir6掺杂层厚度为25nm,Ir(piq)2acac掺杂层厚度为5 nm时,器件在小电流密度下达到最大效率10.46 cd/A,器件的最大亮度为11640 cd/m2,对应效率为4.88 cd/A.
- 韩强常喜姜文龙
- 关键词：磷光
- 基于3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole(TAZ)制备的薄膜电阻的磁效应
- 2013年
- 讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB(55-xnm)/Alq3(45nm)/TAZ(xnm)/LiF(0.5nm)/Al的器件的磁效应。在室温下研究了x分别取0、5、10、15nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系。结果表明,x=0nm时,在10V电压下,电阻率变化率Δρ/ρ随磁场强度的增大而增大;当磁场强度B=110mT时,Δρ/ρ达到最大,仅为8.22%。当x分别取5、10、15nm时,Δρ/ρ为随磁场的增大而减小;在相同磁场强度下,x越大,Δρ/ρ越大;当B=110mT,x=15nm,电压为10V时,Δρ/ρ的数值达到最大,为-16.92%。
- 姜文龙贾萍汪津丁桂英
- 关键词：电流变化率
- 基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色OLED
- 2013年
- 采用蓝色有机荧光染料N-BDAVBi作为客体发光材料,将其分别掺入主体材料ADN和DPVBi中形成双发光层,制备了结构为ITO/m-MTDATA(40nm)/NPB(10nm)/ADN:N-BDAVBi(15nm)/DPVBi:N-BDAVBi(15nm)/TPBi(30nm)/LiF(0.6nm)/Al的高效率蓝色有机荧光器件(OLED)。器件的最大电流效率为8.13cd/A,对应色坐标为(0.178,0.302),电流密度为18.81mA/cm2,分别是ADN:N-BDAVBi和DPVBi:N-BDAVBi作为发光层的单发光层结构器件的2.4和1.8倍。器件性能提高主要源于双发光层结构减弱了载流子在界面处的积累,扩大了激子产生区域以及主体与客体之间有效的能量转移。当驱动电压为14V时,双发光层器件的最大亮度为20 620cd/m2。
- 汪津王福军张冰王双常喜丁桂英姜文龙
- 关键词：荧光蓝光
- 磁场对基于Co铁磁薄膜的有机发光器件效率和电流的影响
- 2010年
- 制备结构为ITO/Co/NPB/Alq3/LiF/Al的有机发光器件,测量了室温下磁场对器件发光效率和电流的影响.发现磁场强度小于80mT时,器件发光效率随磁场强度的增加而增大,最大为18.8%,随磁场强度的继续增加发光效率的增强趋于饱和.效率的增加是Co的自旋极化的注入和磁场效应共同作用的结果,其中自旋极化注入起主要作用.在磁场强度小于60mT时电流随磁场增强而增加,最大为6.9%,随磁场强度的进一步增加电流的增加有所减弱.产生这种现象的原因可归结为磁场相关的单线态极化子对的解离和三线态激子与自由载流子相互作用导致的结果.
- 汪津姜文龙华杰王广德韩强常喜张刚
- 关键词：有机电致发光自旋极化磁场效应
- 调整空穴注入层MeO-TAD厚度改善蓝色OLED的性能
- 2010年
- 主要介绍结构为MeO-TAD(xnm)/NPB(40nm)/DPVBi(30nm)/Alq(30nm)/LiF(0.5nm)/AL的蓝色有机电致发光器件,空穴注入层MeO-TAD的厚度x按照0nm、1.0nm、1.5nm、2.0nm变化,其它层保持不变.当x=2nm时,其器件性能最好,在15V时亮度达到最大,为5876cd/m2.器件的开启电压较低,在5V的驱动电压下亮度达到10.5cd/m2,器件在8V电压时电流效率达到最大,为3.22cd/A;且器件的色坐标稳定,在5V到13V的驱动电压下几乎不发生改变,稳定在x=0.17、y=0.18附近,属于很好的蓝光发射.
- 高永慧汪津丛林孟昭晖
- 关键词：蓝色有机电致发光器件空穴注入层
- Tb_(14)Fe_(86)/Co双层膜中的交换偏置
- 2008年
- 利用磁控溅射技术制备了Tb14Fe86/Co双层膜.磁性测量表明,当金属Co的厚度小于30时,Tb14Fe86层与Co层磁矩一致转动,Co的磁矩被耦合在垂直方向;Co的厚度大于30时,出现了面内和垂直两磁性相的分离.在面内方向,无论金属层的厚度如何,Tb14Fe86/Co双层膜均出现了偏置现象,这是由于TbFe层与金属Co层之间的界面耦合,使Co产生了单向各向异性所致.
- 王雅新丁雪刘洋张永军杨景海
- 关键词：双层膜交换偏置
- 磁场作用下的有机电致发光被引量：3
- 2009年
- 分别制备了荧光器件ITO/NPB/Alq3/LiF/Al和磷光器件ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al,测试了50mT磁场作用下器件的I-V和L-V特性.与零磁场相比荧光器件和磷光器件的效率分别增加了4.4%和7%.从有机电致发光的机制出发对该现象进行了解释,认为外加磁场可以使三重态激子发生塞曼分裂,进而在荧光器件中引起了三重态激子T+到单重态激子S的转化;磷光器件中增大了主体向客体的三重态能量传递速率.磁场作用下器件的电流也同时变大,对此认为是器件中的三重态激子与自由载流子的相互作用减弱,引起自由载流子的散射概率变小,迁移率变大的结果.
- 汪津华杰丁桂英常喜张刚姜文龙
- 关键词：有机电致发光磁场塞曼效应
- 分布式多空间数据智能交换系统设计
- 2017年
- 分布式多空间数据在利用主控计算机进行数据读取中容易受到端口溢出限制,需要进行智能交换读取,选择块传输模式提高数据的读取和传输性能。提出一种基于高速局部总线控制的分布式多空间数据智能交换系统设计方法,系统的开发流程采用多线程自上而下开发方法,开发环境建立在嵌入式Web服务平台中,采用Socket编程构建分布式多空间数据传输的网络协议栈,通过协议栈开发智能交换系统的网络应用程序,采用高速局部总线控制进行数据交换的端口设置和通道控制,通过局部总线送到接收模块,实现智能数据交换。系统测试结果表明,该系统进行分布式多空间数据交换的可靠性较好,提高了总线接收数据块的速率和准确性。
- 张永安谭振江
- 关键词：主控计算机局部总线数据交换
