中国科学院知识创新工程重要方向项目(KGCX2-YW-206)
- 作品数：3 被引量：17H指数：3
- 相关作者：施尔畏黄维刘学超石彪朱明星更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目上海市科学技术委员会资助项目上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 单晶硅衬底异质外延3C-SiC薄膜研究进展被引量：7
- 2011年
- 3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注。单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20%)和热膨胀系数差异(8%),严重制约着高质量单晶薄膜的制备。本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的基本原理和工艺过程进行了总结,着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战,并对今后的研究热点做了归纳展望。
- 石彪朱明星陈义刘学超杨建华施尔畏
- 关键词：3C-SIC化学气相沉积
- 11kV大功率SiC光电导开关导通特性被引量：7
- 2010年
- 采用高质量半绝缘碳化硅(SiC)单晶材料制作了超快高耐压大功率SiC光电导开关。应用氟化氪准分子脉冲激光器作为激发光源,得到了脉宽为40 ns,上升沿为9.6 ns的超快响应的电脉冲,开关的上升沿存在两个不同阶段。测试开关两端电压从1 kV到10 kV时开关导通的电压波形表明,开关的导通电阻随电压的增加不发生明显变化,开关在导通态时导通电阻在12Ω左右。采用92Ω精密电阻作为负载,计算得到开关两端外加11 kV电压时通过其电流峰值高达159 A,此时峰值功率达到1.4 MW,在此范围内未出现载流子饱和现象。
- 黄维常少辉陈之战施尔畏
- 关键词：碳化硅光电导开关上升沿导通电阻大功率
- V掺杂6H-SiC光导开关制备与性能研究被引量：3
- 2014年
- 采用V掺杂半绝缘6H-SiC单晶衬底材料制备了平面电极型大功率SiC光导开关,用强度为150 μJ/mm2、波长为355 nm的脉冲激光对开关进行触发,在1～14 kV的外加电压范围内对光导开关的耐压特性、导通电阻等性能进行了研究.结果表明：随着开关外加电压的升高,开关的电流峰值呈现不断增大的趋势,当开关外加电压为14 kV时,电流峰值达185 A,对应的光导开关峰值功率为2.59 MW,开关的导通电阻约为22 Ω.
- 周天宇刘学超代冲冲黄维施尔畏
- 关键词：碳化硅光导开关导通电阻峰值功率
