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国家自然科学基金(10175051)

作品数：3 被引量：5H指数：1
相关作者：李华更多>>
相关机构：暨南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>
题名
作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇单粒子
  • 3篇单粒子翻转
  • 3篇CARLO模...
  • 3篇MONTE
  • 2篇统计分析
  • 2篇中子
  • 1篇随机存储器
  • 1篇静态随机存储...
  • 1篇MONTE_...
  • 1篇存储器

机构

  • 3篇暨南大学

作者

  • 3篇李华

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇原子核物理评...

年份

  • 3篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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10—20MeV中子引起单粒子翻转能量沉积统计分析
2006年
基于Monte Carlo计算模拟,对10-20MeV中子引起存储器单粒子翻转能量沉积进行了统计分析,为了解单粒子翻转随机过程提供能量沉积统计信息．
李华
关键词：单粒子翻转MONTECARLO模拟
中子引起单粒子翻转过程中能量沉积统计分析
2006年
利用Monte Carlo方法,对14 MeV中子引起存储器单粒子翻转过程进行了计算模拟,从而对引起单粒子翻转的关键因素———存储器灵敏区中的能量沉积进行了统计分析,为了解单粒子翻转随机过程提供了详细的能量沉积统计信息。
李华
关键词：单粒子翻转MONTECARLO模拟
静态随机存储器单粒子翻转的Monte Carlo模拟被引量：5
2006年
利用蒙特卡罗(MonteCarlo)方法,对10—20MeV中子在静态随机存储器(SRAM)中引起的单粒子翻转进行了模拟,着重对中子在SRAM灵敏区引起的电离能量沉积进行了计算,并对中子引起单粒子翻转过程相关物理量进行了计算.这些计算模拟结果为了解10—20MeV中子引起SRAM单粒子翻转过程提供了详细的统计信息,为SRAM的抗辐射加固提供相关参考信息.
李华
关键词：MONTECARLO模拟
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共1页<1>
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