江西省自然科学基金(2010GZW0004)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 退火对两种硅基薄膜的结构及发光影响被引量：1
- 2013年
- 采用双离子束共溅射沉积方法制备了两种复合硅基薄膜SiOxCy和SiOxNy薄膜,对两种薄膜进行后退火处理,并分别对样品进行PL、FTIR、XPS谱测试分析,比较退火前后的发光及结构的变化。两种样品的光致发光测试谱(PL)表明:退火前后都有两个发光峰位-都存在470nm的发光峰位,它来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化。进一步的FTIR和XPS的测试谱表明另外一个发光峰位420nm(SiOxCy薄膜)和400nm(SiOxNy薄膜)分别来自于掺杂杂质(C和N)与硅基薄膜中的Si、O组成的复合结构。而两种样品经过退火处理后掺杂所引起的发光峰位强度随退火温度的升高而增强,说明退火温度的升高有利于发光机制的形成。
- 李群徐小华吕波方诚
- 关键词：掺杂硅基退火光致发光
- 衬底温度对掺杂硅基薄膜结构的影响
- 2014年
- 采用双离子束溅射沉积法制备的掺杂硅基Si-Si O2和Al-Si-Si O2薄膜,实验中通过改变基片温度获得不同条件下的样品。测试发现,当基片温度低于450℃时,两种薄膜的XRD谱图中并未有明显的晶态峰存在,说明薄膜中并未形成晶态结构,样品的选区电子衍射花样的TEM测试结果也证明如此;当基片温度高于450℃时,XRD谱图中才呈现出几个微弱的晶态峰,说明薄膜中可能有Si或Al的晶粒出现。样品的XPS测试结果表明,Si-Si O2薄膜在温度较低时表现为欠氧富硅的结构Si Ox(x<2),薄膜中的Si主要是以氧化物的形式存在,当基片温度高于450℃时,根据Si的XPS特征峰的硅双峰结构能够确定薄膜中的硅形成了较显著的硅的原子团簇。而对于Al-Si-Si O2薄膜,Al主要是以单质铝的形式存在,Si是以氧化物的形式存在,实验中可以通过改变靶材中铝片的面积大小,改变薄膜中的铝和硅的含量。
- 徐小华何娟美尧莉吕波李群
- 关键词：基片硅基
