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基于量子点荧光粉白光LED的发光特性和稳定性研究被引量：2: 2013年; 基于量子点荧光粉白光发光二极管（WLED）是由蓝色GaN芯片和发红光及绿光的CdSe／CdS／ZnS量子点（QDs）组成。因为CdSe量子点的发射波长可在510~620nm之间调节，导致了其色坐标和色差的可变。采用的CdSe量子点是在制备无机前驱体和非配位溶剂的基础上通过合成方法得到的。实验证实温暖和寒冷白光辐射是由于色温在40009000K区间变化；不同的偏置电压导致了颜色坐标的变化，增加工作时间在90min内对白光发射的稳定性进行分析得到稳定光谱。; 毕克林晓珑侯景富张宇; 关键词：量子点荧光粉光致发光稳定性

ZnCuInS/ZnS量子点光致发光温度依赖性研究: 2014年; ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料。制备出了直径为2.9nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点。从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410meV。这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关。研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的（Huang-Rhys）因子及平均声子能量。结果表明在50~373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的。; 毕克王武满张宇张铁强; 关键词：光致发光温度特性

集成电路芯片温度依赖的PbSe量子点PL光谱研究: 2015年; 制备了3.6,5.1和6.0nm三种尺寸的胶体PbSe量子点,并对其光学特性进行实验研究。在室温条件下,实验发现小尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生红移;大尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生蓝移。以PbSe量子点温度依赖的光致发光光谱特性为基础,提出一种新型的集成电路芯片温度检测方法。这种新型的温度检测方法是将胶体PbSe量子点沉积在集成电路板表面,使用激光器发射出平行激光束,使芯片表面的胶体PbSe量子点层光致发光,通过红外光谱仪接收光致发光光谱,实现温度的检测;利用图像采集系统对芯片表面特定微小区域成像,实现微米尺度区域的温度检测。实验结果表明,测量精度为±3℃,其相对误差不大于5%。; 王鹤林张宇刘文闫王国光张铁强; 关键词：光致发光光谱集成电路

White-light-emitting diodes using GaN-excited CdSe/CdS/ZnS quantum dots: 2014年; Fluorescence-based white-light-emitting diodes （WLEDs） were fabricated using blue GaN chips and green- and red-emitting CdSe/CdS/ZnS quantum dots （QDs）. The coordinate and color temperature of the WLEDs could be varied because of the size-tunable emission of CdSe QDs from 510 to 620 nm. Warm and cold white emissions were confirmed with the color temperature ranging from 4000 to 9000 K. Color coordinates were analyzed at different bias. The fast enhancement of blue emission resulted in the shift of color coordinates to the cold side. The stability of white emission during operation was analyzed; stable spectra were achieved within 90 min.; Yijun LinYu ZhangJia ZhaoPengfei GuKe BiQiuran ZhangHairong ChuTieqiang ZhangTian CuiYiding WangJun ZhaoWilliam W.Yu

PbSe胶质纳米晶温度依赖的光谱特性研究被引量：2: 2013年; 在研究中,制备了3.8和5.8nm两种尺寸的PbSe胶质纳米晶,并对PbSe胶质纳米晶温度依赖的光学特性进行了研究。实验数据表明:在室温情况下,随着温度和尺寸的变化,PbSe胶质纳米晶的禁带宽度、发光峰值波长、发光强度及全波半宽度等都会发生改变。在纳米晶尺寸是3.8nm时,PbSe胶质纳米晶的禁带宽度随温度升高产生红移;但是当尺寸是5.8nm时,禁带宽度随温度升高产生蓝移。随温度的升高,PbSe胶质纳米晶的发光强度将下降、全波半宽度会增加。; 王芳荣范文勇范文勇翟微微张铁强王一丁; 关键词：纳米晶 PBSE 禁带宽度

ZnCuInS/ZnS量子点与Poly-TPD补偿发光光谱的研究被引量：2: 2012年; ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属、'绿色'半导体纳米材料。在研究中,制备出尺寸为3.2nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点,并说明它是施主-受主对复合发光。通过测量ZnCuInS/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰值波长为620nm、半宽度是95nm的红光。同时,还制备出Poly-TPD有机薄膜,其发光光谱是峰值波长为480nm的蓝光。所以,ZnCuInS/ZnS量子点和Poly-TPD发光颜色具有互补性。在Zn-CuInS/ZnS量子点薄膜层上包覆一层poly-TPD薄膜后,二者发光颜色互补。在恰当的偏置电压下,可以得到较好的白光光谱。计算表明,其色坐标是(0.336,0.339),颜色指数是92。; 张宇刘文闫张铁强王亚楠顾鹏飞王鹏王一丁王芳荣

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国家自然科学基金(61106039)