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热蒸发法原位生长一维氧化锌纳米材料及其场发射特性研究被引量：3: 2011年; 利用磁控溅射在ITO电极上沉积氧化锌薄膜,以氧化锌薄膜为种子层,采用热蒸发法合成ZnO一维纳米材料,利用XRD和SEM方法对氧化锌一维纳米材料的微观结构进行分析,测试其场发射性能。结果显示,氧化锌纳米材料为钉子状结构,每个氧化锌纳米钉由几微米大的钉帽和细棒组成,垂直于基底生长。场发射性能研究表明它具有较低的开启场强,高的发射电流和好的稳定性,是一种优良的冷阴极电子发射源。; 林金阳王灵婕张永爱郭太良; 关键词：氧化锌热蒸发法场发射

纳米α-Fe_2O_3的原位生长及其场发射性能研究被引量：2: 2013年; 采用空气热氧化法在铁基片上原位生长纳米α-Fe2O3,并通过扫描电镜、X射线衍射、场发射等对600℃下氧化不同时间所制得样品的形貌、结构、场发射性能进行表征和分析。研究表明,600℃下所得样品均为(110)和(300)取向的α-Fe2O3,而且氧化时间对纳米α-Fe2O3的形状、密度、长径比及场发射性能都有较大的影响。生长开始时,主要以α-Fe2O3纳米片状为主,随着氧化时间的增加,纳米线逐渐增多,长度变长。其中氧化4 h所得样品的密度和长径比适中,场发射效果最好,其开启场强为2.3 V/μm,而且概念错误均匀性好。; 郭凡叶芸洪春燕李松胡利勤郭太良蒋亚东; 关键词：Α-FE2O3 场发射

两步水热法制备枝干状ZnO纳米结构的研究被引量：3: 2013年; 采用两步水热法,第1步利用Au作为催化剂生长ZnO纳米杆;第2步利用醋酸锌分解成ZnO纳米颗粒作籽晶层在ZnO纳米杆的侧壁生长ZnO纳米枝条,在Si片上成功制备了枝干状ZnO纳米结构。利用SEM、XRD分别表征枝干状ZnO纳米结构的形貌和晶体结构,研究籽晶层、反应液浓度、反应时间等参数对枝干状ZnO纳米结构形貌的影响。结果表明,Au作为催化剂生长的ZnO纳米杆具有沿(103)面择优取向生长的特性,而籽晶层对在侧壁生长ZnO纳米枝条至关重要。通过调节反应参数,可控制枝干状ZnO纳米结构的形貌,当反应液浓度越小,反应时间越长,纳米枝条越细、越长。所制备的枝干状ZnO纳米结构具有很好的生物兼容性,可作为细胞支架材料。; 周雄图林锑杭曾祥耀张永爱郭太良

室温下射频磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜及其性能研究被引量：5: 2012年; 采用射频磁控溅射技术,在室温下,以ZnO:Al2O3(2%Al2O3(质量比))为靶材,在石英玻璃基底上,采用不同工艺条件制备了ZnO:Al(AZO)薄膜。使用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌,X射线衍射分析了薄膜的结构,四探针测量仪得到薄膜的表面电阻,轮廓仪测量了薄膜厚度,并计算了电阻率,最后采用分光光度计测量了薄膜的透过率;研究了溅射功率、溅射气压与薄膜厚度对薄膜电阻率及透过率的影响。结果表明:所制备的AZO薄膜具有(002)择优取向,并且发现薄膜厚度对薄膜的光电性能有明显影响,溅射气压和溅射功率对薄膜电学性能有较大影响,但是对薄膜透过率影响不大。当功率为1kW、溅射气压0.052Pa、AZO薄膜厚度为250nm时,其电阻率为8.38×10-4Ω·cm,波长在550nm处透过率为89%,接近基底的本底透过率92%。当薄膜厚度为1125 nm时薄膜的电阻率降至最低(6.16×10-4Ω·cm)。; 陈景水叶芸郭太良张志坚郑灼勇张永爱于光龙姚剑敏

氧化锡薄膜场致发射研究被引量：4: 2012年; 利用直流磁控反应溅射法,制备氧化锡薄膜,利用扫描电镜等方法对氧化锡薄膜微观结构进行分析。在低真空下,对不同厚度的氧化锡薄膜进行场致发射测试,结果显示,在氧化锡薄膜厚度为60nm时,场致发射性能最佳,当电流密度为10μA/m2时,开启电压为4.5 V/μm,阴阳两极电场为7 V/μm时,有较佳的场发射密度,同时发光亮度达到2180 cd/m2,结果表明,氧化锡薄膜在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力。; 林金阳王灵婕张永爱郭太良

磁场后处理增强碳纳米管场发射特性的研究被引量：4: 2014年; 采用磁场后处理法改变碳纳米管的表面结构,增强了碳纳米管场发射性能。采用SEM对样品的处理前后的形貌进行了表征,场发射的数据显示,相对于,未经过任何处理的碳纳米管阴极,磁场后处理过的碳纳米管冷阴极的开启电场(电流密度为0.1 mA/cm2时的电场)由1.05降低到0.73 V/μm,场增强因子从1656增加到2045,场发射的亮度及均匀度均得到改善。相对其它后处理方法,磁场后处理法是一种简单、经济且有效的增强碳纳米管的场发射特性的方法。; 林金阳张永爱杨尊先郭太良; 关键词：碳纳米管场致发射

平栅型双层膜阴极的脉冲电压处理及场致发射性能研究: 2014年; 采用脉冲电压法对平栅双层膜阴极进行处理,进一步提高其场致发射性能。采用磁控溅射法在平行栅电极上溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,并对薄膜进行AFM分析,通过场致发射测试结果表明,经过脉冲电压法处理后的平行栅双层膜阴极的发射性能,如亮度、均匀度等有了很大的提高,阳压为3 000 V,栅压为190 V,其腔体亮度可达462 cd/m2。平行栅双层膜阴极的脉冲电压处理可以有效改善阴极的场发射性能,为改善SED阴极结构及材料提供了一条有效的实验方法。; 林金阳张永爱杨尊先郭太良; 关键词：场发射

Application of ZnO nanopillars and nanoflowers to field-emission luminescent tubes: 2012年; Zinc oxide （ZnO） nanopillars on a ZnO seed layer and ZnO nanoflowers were synthesized by electrochemical deposition on linear wires. The morphologies and crystal orientation of the ZnO nanostructures were investigated by a scanning electron microscopy and an X-ray diffraction pattern, respectively. Detailed study on the field-emission properties of ZnO nanostructures indicates that nanopillars with a high aspect ratio show good performance with a low turn-on field of 0.16 V/#m and a high field enhancement factor of 2.86 x 104. A luminescent tube with ZnO nanopillars on a linear wire cathode and a transparent anode could reach a luminance of about 1.5 x l04 cd/m2 under an applied voltage of 4 kV.; 叶芸郭太良蒋亚东

碳纳米管表面化学镀银及场发射性能研究被引量：15: 2012年; 利用化学镀方法对碳纳米管(carbon nano-tubes,CNTs)表面金属化镀银,研究表面化学镀银碳纳米管的场发射性能。碳纳米管经氧化处理后,表面存在一些羰基(CO)、羧基(—COOH)和羟基(—OH)等活性基团,经敏化、活化处理后,形成金属钯活化中心,进而还原金属银离子,从而获得表面化学镀银的碳纳米管。表面化学镀银碳纳米管阴极的开启电场约为0.19V/μm,当电场强度为0.37V/μm时,最大发射电流达6mA/cm2,场增强因子约为25565。实验结果表明,化学镀银层可以提高碳纳米管的电子传输和热传输能力,提高碳纳米管的场发射电流和发射稳定性,有利于碳纳米管在场发射平板显示领域的应用。; 叶芸肖晓晶郭太良黎威志蒋亚东; 关键词：碳纳米管化学镀 AG 场发射

不同环境湿度对CuO纳米线生长及场发射性能的影响被引量：3: 2013年; 首先在400℃的干燥空气(流量为500 sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等条件下分别热氧化铜片获得了系列垂直生长的氧化铜纳米线,随后,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)研究了不同条件下所制备的氧化铜纳米线形貌、结构等性能,并进一步研究了其场发射性能。研究结果表明:水汽对氧化铜纳米线的密度及场发射性能影响较大,在500 sccm空气流量条件下,通入水汽(500 sccm)条件与未通入水汽条件生长得到的氧化铜纳米线相比,其密度明显增大,场发射性能提升,其开启场强约为3.7 V/μm,明显低于干燥空气中生长氧化铜纳米线的开启场强(6.5 V/μm);此外,制备得到的氧化铜纳米线的场发射性能随着通入水汽量增大出现先升高后降低的趋势,并且,在通入水汽流量为3000 sccm时,获得最佳的氧化铜纳米线场发射性能,其开启场强低至1.4 V/μm。; 叶芸陈填源蔡寿金颜敏刘玉会郭太良; 关键词：热氧化法环境湿度场发射

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国家自然科学基金(61106053)

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