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嘉兴市科技计划项目(2012BZ5006)
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
相关作者:
周仁杰
项勇
甘业兵
马成炎
叶甜春
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相关机构:
杭州中科微电子有限公司
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发文基金:
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相关领域:
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卫星导航
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卫星导航系统
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SIGE
机构
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中国科学院微...
2篇
杭州中科微电...
2篇
嘉兴联星微电...
作者
2篇
叶甜春
2篇
马成炎
2篇
甘业兵
2篇
项勇
2篇
周仁杰
1篇
段炼
传媒
2篇
中南大学学报...
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1篇
2014
1篇
2013
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用于GPS卫星导航系统的低噪声放大器设计
2013年
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计一个用于GPS卫星导航系统射频前端电路的低噪声放大器。该低噪声放大器采用BiFET(Bipolar-MOSFET)Cascode结构可以同时实现极低噪声和高线性度。采用异质结晶体管(heterogenous bipolar transistor,HBT)作为输入管以提供低噪声性能,Cascode级采用MOSFET管来提高线性度。与传统的全HBT管或全MOSFET管相比,这种混合结构能更方便地实现噪声、增益和线性度之间的折中设计。当该低噪声放大器在2.85 V电源电压下工作时,消耗3.7 mA电流,提供19 dB功率增益,噪声系数为0.9 dB,输入1 dB压缩点为0.065 mW。
项勇
周仁杰
段炼
甘业兵
马成炎
叶甜春
关键词:
低噪声放大器
噪声系数
线性度
一种全频段GNSS应用的低噪声放大器
被引量:1
2014年
设计一种满足全频段全球卫星导航系统(global navigation satellite system, GNSS)接收机应用要求的低噪声放大器(low noise amplifier, LNA)。为提高射频前端的集成度并降低成本,提出一种基于发射极电感负反馈结构宽带LNA的实现方法,并对电路结构、宽带输入阻抗匹配和噪声性能进行分析。电路采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计和实现。研究结果表明:在GNSS全频段范围(1 164-1 610 MHz)内,输入回损大于8.0 dB,输出回损大于8.9 dB,噪声系数低于1.30 dB,功率增益高于14.9 dB,输入三阶互调点为-5.8 dBm。芯片最低功耗为9.6 mW,面积约为600 μm×650 μm。
周仁杰
马成炎
项勇
甘业兵
叶甜春
关键词:
全频段
低噪声放大器
SIGE
BICMOS
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