国家高技术研究发展计划(2006AA03A112)
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 相关作者：冯士维吕长志张跃宗郭春生王承栋更多>>
- 相关机构：北京工业大学深圳信息职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划北京工业大学博士启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大电流密度下欧姆接触退化机理的研究被引量：1
- 2009年
- 对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制备中采取多次SiO2铺垫多次光刻技术解决了引线电极断裂的可能。通过施加达到或超过105A/cm2电流密度,利用文中结构测得比接触电阻早期快速失效,且随电流密度增加退化加剧,对样品老化前后进行能谱分析得知,大电流密度下接触层中Al离子发生了扩散从而破坏了良好接触。
- 张跃宗冯士维郭春生张光沉庄四祥苏蓉白云霞吕长志
- 关键词：大电流密度欧姆接触比接触电阻
- 基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性被引量：4
- 2009年
- 基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDS=7.5 V,IDS=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106h。失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流IDS退化的主要失效机理。
- 白云霞郭春生冯士维孟海杰吕长志李志国
- 高温下n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的可靠性研究
- 2007年
- 研究了高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15 nm/220 nm/40 nm/50 nm)四层复合金属层与n-GaN(N_d= 3.7×10^(17)cm^(-3),N_d=3.0×10^(18)cm^(-3))的欧姆接触特性,试验结果标明,当测量温度低于300℃时,存储时间为0～24h,其接触电阻率基本不变,表现出良好的温度可靠性;分别经过300、500℃各24h高温存储后,其欧姆接触发生了较为明显的退化,且不可恢复.接触电阻率均随测量温度的增加而增大,掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高缓慢增加;重掺杂样品的n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触具有更高的高温可靠性。
- 张跃宗冯士维张弓长王承栋吕长志
- 关键词：欧姆接触接触电阻率可靠性
- n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究
- 主要对 n-GaN/Ti/Al/Ni/Au 欧姆接触在高温下（500℃）的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化。同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内（24h）...
- 张跃宗冯士维张弓长王承栋
- 关键词：欧姆接触接触电阻率
- 文献传递
- 基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法被引量：2
- 2008年
- 在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核,对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进,充分考虑到了半导体材料受到的影响,可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域.工艺制备中实现台面刻蚀斜坡效果,并采取多次SiO_2淀积多次光刻技术,有效降低了引线电极断裂的概率.通过大电流密度老化结果显示:接触电阻率早期快速失效,且随电流密度及老化时间的增加而退化加剧.对样品老化前后进行能谱分析得知:接触层中的Al是一种较低的抗电迁移能力的金属,由于电迁移被冲击出来从而破坏了良好接触层.改进后的结构对测量大电流密度下的欧姆接触是一种好方法.
- 冯士维张跃宗孟海杰郭春生张光沉吕长志
- 关键词：大电流密度欧姆接触接触电阻率电迁移
- n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究
- 2007年
- 主要对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触在高温下(500℃)的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化。同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内(24h)欧姆接触高温存储前后的变化,分析发现对于温度不高于500℃、在24h内存储温度升高,接触电阻率增加。当样品被施加500℃,24h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加。通过X射线衍射能谱分析了高温前后欧姆接触内部结构的变化机理,经过500℃的高温后,Ti层原子穿过Al层与Ni层原子发生固相反应。
- 张跃宗冯士维张弓长王承栋
- 关键词：欧姆接触接触电阻率
- n-GaN基Ti/Al/Ni/Au的欧姆接触高温特性被引量：2
- 2007年
- 研究了在高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性.退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切关系.掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢;重掺杂样品的Ti/Al/Ni/Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性;当样品被施加500℃,1h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加.
- 张跃宗冯士维张弓长王承栋吕长志
- 关键词：欧姆接触接触电阻率退火高温
