国家自然科学基金(50477023)
- 作品数：3 被引量：33H指数：2
- 相关作者：李盛涛成鹏飞李建英赵雷焦兴六更多>>
- 相关机构：西安交通大学西安工程大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金电力设备电气绝缘国家重点实验室中青年基础研究创新基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程更多>>
- ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究被引量：21
- 2009年
- 从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130—20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或/和氧空位)的电子松弛过程.发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2O3六元系压敏陶瓷特征峰则由锌填隙和氧空位共同引起.分析了热处理温度和气氛对试样介电谱的影响,发现锌填隙浓度对热处理温度更敏感,而氧空位浓度对热处理气氛更敏感.
- 李盛涛成鹏飞赵雷李建英
- 关键词：ZNO压敏陶瓷本征缺陷介电谱
- Al_2O_3单晶三明治结构的高温热激发电流
- 2008年
- 以Al2O3单晶和具有三明治结构的Al2O3单晶-Bi2O3-Al2O3单晶试样为研究对象,测量了在室温到750℃之间升温过程和降温过程中这两种试样的热激发电流,仅在三明治结构试样中检测到了热激发电流.随测量过程中升温速率的增大,降温过程中的热激发电流逐渐减小.认为热激发电流是由缺陷离子的扩散所引起,通过扩散活化能的计算发现有两种缺陷参与了热激发电流的形成.
- 李盛涛成鹏飞李建英
- 关键词：扩散
- ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度被引量：13
- 2006年
- 研究了ZnOBi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度eff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度eff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度eff主要取决于反偏势垒.因此,这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区,晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,从而导致等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐增大.在中等归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率和电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率相平衡,等效势垒高度达到最大值.在高归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率高于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐下降,直至晶界击穿.同时分析了等效势垒高度eff对泄漏电流IL的影响,发现泄漏电流与等效势垒高度差Δ呈指数关系.
- 成鹏飞李盛涛焦兴六
- 关键词：ZNO压敏陶瓷
