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气相沉积技术制备6.5wt%Si高硅钢的研究进展被引量：3: 2015年; 综述了化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)和等离子体化学气相沉积法(PCVD)三类气相沉积技术制备高硅钢的工艺和路线,并对其前景进行了展望。; 秦卓吴隽魏海东姚珏

一次再结晶取向硅钢中第二相粒子局部密度与晶界的关系被引量：2: 2018年; 采用场发射扫描电镜（FESEM）结合电子背散射衍射技术（EBSD）对一次再结晶取向硅钢中的Goss晶粒、黄铜晶粒及其周边相邻晶粒在晶界附近1μm范围内尺寸大于40 nm的Mn S第二相粒子的局部密度与相应晶界的关系进行了统计分析。结果表明：900℃再结晶退火后,Goss晶粒周边出现频次较高的晶粒取向分别为{112}〈111〉、{111}〈110〉、{411}〈148〉和{111}〈112〉,其中有利于Goss晶粒异常长大的{111}〈110〉、{111}〈112〉和{411}〈148〉取向出现频次之和占总量的57.7%;黄铜取向晶粒周边出现频次较高的则为{111}〈110〉、{112}〈111〉、{111}〈112〉和{411}〈148〉,其中{111}〈110〉、{111}〈112〉和{411}〈148〉出现频次占总量的68.7%;Mn S第二相粒子的局部密度差随晶界组合不同而变化,其中Goss-{111}〈110〉组合的最大。; 唐超平吴隽詹东方郭才胜贾涓祝柏林刘静; 关键词：取向硅钢第二相粒子

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湖北省自然科学基金(2012FFB04901)