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国家自然科学基金(60771015)

作品数:3 被引量:5H指数:1
相关作者:唐万春华明清王贵王志功周普科更多>>
相关机构:南京理工大学东南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇微带
  • 2篇宽带
  • 2篇放大器
  • 2篇超宽带
  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇等效
  • 1篇等效电路
  • 1篇电路
  • 1篇电路板
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇阅读器
  • 1篇噪声系数
  • 1篇柔性电路
  • 1篇柔性电路板
  • 1篇射频识别

机构

  • 8篇南京理工大学
  • 2篇东南大学
  • 2篇西北工业大学

作者

  • 6篇唐万春
  • 2篇王晓科
  • 2篇王贵
  • 2篇华明清
  • 1篇王丹阳
  • 1篇卢程
  • 1篇王橙
  • 1篇刘小明
  • 1篇周普科
  • 1篇王志功
  • 1篇林叶嵩

传媒

  • 1篇南京理工大学...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇2011年全...

年份

  • 3篇2011
  • 5篇2009
  • 1篇2008
3 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种加载分支线微带双频段功率分配器
本文提出了一种新型微带双频段功率分配器(功分器),该功分器由加载分支线构成的T型网络和隔离电阻组成,文章给出了利用等效网络实现双频的原理和计算公式。利用全波仿真软件对该功分器进行了仿真和分析,仿真结果表明了该双频功分器在...
王丹阳唐万春胡小斌
关键词:功分器双频
文献传递
基于局部基片集成人工介质结构的超宽带带通滤波器
本文提出了一种基于局部基片集成人工介质(L-SIAD)结构的新型超宽带(UWB)带通滤波器。由于L-SIAD结构具有电磁带隙(EBG)特性,利用该结构能抑制带通滤波器的谐波,改善其带外特性。仿真结果表明采用L-SIAD结...
王橙王晓科唐万春
关键词:超宽带带通滤波器
文献传递
Lumped-Networks Simulation with CN-FDTD
A three-dimensional implementation of the lumped- networks by Crank-Nicolson finite-difference time-domain (CN...
Xiao-bin Hu #1
13.56MHz RFID阅读器直接匹配天线的设计
本文使用柔性电路板(FPC),设计了一种基于RC52X射频芯片的RFID阅读器直接匹配天线,该天线工作在13.56MHz,尺寸有普通RFID阅读器天线的30%~50%。通过仿真软件ADS对天线及匹配电路仿真优化,在工作频...
杨松茂梁新蕾陈超唐万春
关键词:射频识别阅读器天线柔性电路板
文献传递
共面波导不连续性等效电路的研究被引量:1
2009年
针对共面波导不同不连续性需采用不同的等效电路分析的问题,该文结合矩量法的物理内涵,推导出共面波导不连续性的等效电路模型。将等效电路模型分别应用于开路端、阶梯、直角拐角、T形结等不连续部分,计算所得S参量与IE3D仿真结果进行比较,最大误差不超过5%,平均误差不超过2%。与IE3D仿真结果良好的一致性表明,该模型具有较高的精确度与通用性。
唐万春卢程周普科
关键词:共面波导不连续性等效电路
0.18m CMOS工艺3.1~5.2GHz低噪声放大器被引量:1
2009年
基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性。利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18μmCMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6mm×1.5mm。测试结果表明,在3.1~5.2GHz频段内,S11<-15dB,S21>12dB,S22<-12dB,噪声系数NF<3.1dB。电源电压为1.8V,功耗为14mW。
王贵华明清王志功唐万春
关键词:低噪声放大器噪声系数互补金属氧化物半导体
基于局部基片集成人工介质结构的新型阻抗变换器
本文提出了一种基于局部基片人工介质结构的新型阻抗变换器。文章分析了局部SIAD结构这种人工介质的原理,并利用该原理设计了一种新型的阻抗变换器,给出了仿真结果。仿真结果表明了局部SIAD结构能够实现电路的小型化。
林叶嵩唐万春胡小斌
关键词:阻抗变换器
文献传递
0.35μm SiGe BiCMOS 3.1~10.6GHz超宽带低噪声放大器被引量:3
2008年
基于AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于3.1~10.6GHz频段的超宽带低噪声放大器;采用多个反馈环路,实现超宽带范围内的阻抗匹配以及低噪声性能;详细分析了匹配电路的特性。在片测试结果表明,在工作频带内,电路增益S21达到14dB,增益波动小于2dB;输入回波损耗S11小于-10dB;噪声系数NF小于3.5dB。电路采用3V供电,功耗为30mW。
王贵华明清唐万春
关键词:SIGEBICMOS超宽带低噪声放大器
局部基片集成人工介质微带线CAD公式
本文通过合成渐近技术,得到一个简单的计算机辅助设计(CAD)公式,用于计算局部基片集成人工介质(L-SIAD)微带线的相关参数。L-SIAD是一种在微带线正下方的介质中嵌入接地金属柱(不与微带相连)的结构。本文提出的公式...
王晓科王橙刘小明唐万春
文献传递
共1页<1>
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