国家教育部博士点基金(2103401110008)
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
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- 相关机构：安徽大学芜湖职业技术学院安徽工程大学更多>>
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- 超短沟道高k栅MOSFET寄生电容
- 2013年
- 寄生电容不随器件尺寸的减小而成比例减小,因此对小尺寸器件寄生电容的研究就更有意义.本文首次用矩形等效源建立了MOSFET电势分布二维半解析模型,综合半解析法和特征函数展开法求出二维电势分布函数,并由此得出寄生电容的解析表达式.研究结果表明,减小源/漏区尺寸和栅极厚度可以减小寄生电容,沟道长度的变化对寄生电容几乎没有影响,栅介电常数的增加会使边缘电容减小.模型求解时精度高、运算量小,可直接用于电路模拟程序和器件设计.
- 王敏王保童柯导明
- 关键词：寄生电容高K材料
- 超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型被引量：3
- 2015年
- 文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15~45nm MOSFET的二维电势和电流.
- 韩名君柯导明
- 关键词：MOSFET亚阈值电流
- 超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型被引量：5
- 2013年
- 本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化,表达式不含适配参数、运算量小、精度与数值解的精度相同,可直接用于电路模拟程序.文中计算了沟道长度是45—22nm的MOSFET电势、表面势和阈值电压.结果表明,新模型与Medici数值分析结果相同.
- 韩名君柯导明迟晓丽王敏王保童
- 关键词：半解析法电势阈值电压MOSFET
