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国家重点基础研究发展计划(G20000683-02)

作品数:38 被引量:128H指数:7
相关作者:沈光地李建军王春华邹德恕邓军更多>>
相关机构:北京工业大学湘潭大学中国石油大学(华东)更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 38篇中文期刊文章

领域

  • 37篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 12篇激光
  • 12篇激光器
  • 10篇滤波器
  • 10篇MOCCII
  • 8篇半导体
  • 8篇半导体激光
  • 8篇半导体激光器
  • 7篇电流模
  • 7篇电流模式
  • 6篇电流模式滤波...
  • 5篇隧道再生
  • 5篇腔面
  • 5篇传输器
  • 4篇第二代电流传...
  • 4篇电流传输
  • 4篇电流传输器
  • 4篇电路
  • 4篇隧道结
  • 4篇功率半导体
  • 4篇MOCVD

机构

  • 38篇北京工业大学
  • 11篇湘潭大学
  • 2篇中国石油大学...
  • 1篇山东建筑大学

作者

  • 37篇沈光地
  • 14篇李建军
  • 12篇邹德恕
  • 12篇王春华
  • 12篇邓军
  • 11篇崔碧峰
  • 10篇廉鹏
  • 8篇刘莹
  • 8篇郭伟玲
  • 7篇郭霞
  • 6篇鲁鹏程
  • 6篇韩军
  • 6篇董立闽
  • 6篇渠红伟
  • 5篇盖红星
  • 3篇邢艳辉
  • 3篇杜金玉
  • 2篇徐晨
  • 2篇高国
  • 2篇仉志华

传媒

  • 5篇固体电子学研...
  • 4篇光电子.激光
  • 3篇电路与系统学...
  • 3篇激光与红外
  • 3篇半导体光电
  • 2篇Journa...
  • 2篇通信学报
  • 2篇北京工业大学...
  • 2篇湘潭大学自然...
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇传感器世界
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇电子测量与仪...
  • 1篇科技通讯(上...

年份

  • 1篇2007
  • 5篇2006
  • 6篇2005
  • 13篇2004
  • 7篇2003
  • 5篇2002
  • 1篇2001
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于MOCCII的多环反馈电流模式滤波器的系统设计被引量:36
2002年
本文提出一种n阶多环反馈(multiple-loop feedback)MOCCII(多端输出第二代电流传输器)电流模式滤波器的系统设计方法。用该方法可产生出多种不同结构的n阶多环反馈滤波器,所有n阶滤波器均由n个MOCCII及2n个RC无源元件组成。所产生滤波器的所有RC元件均接地,便于集成。文中还给出了四阶巴特沃斯滤波器的设计举例及PSPICE计算机模拟结果。
王春华闫健卓沈光地
关键词:多环反馈电流模式滤波器系统设计
隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究
2005年
文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究。主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息,并结合增益谱,对该外延片制备的器件不激射的原因进行了分析解释。此外,对该外延片边发射模式特性进行模拟计算,由于DBR结构的存在,此结构的光场强度分布明显不同于普通的边发射激光器,模拟得到的远场发散角与测量结果相吻合。
渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地
关键词:垂直腔面发射激光器边发射增益谱
基于MOCCII多输入单输出n阶电流模式滤波器被引量:21
2004年
提出了一种结构简单的基于MOCCIIn阶多输入单输出电流模式滤波器电路。该滤波器电路包含n+1个有源器件、n个电容及n+2个电阻,可以产生n阶低通、带通、高通、带阻电流模式滤波器。由于仅依靠改变外部输入电流信号的接入数目和方式来实现不同功能的滤波器,而电路内部结构及器件数目不变,所以该电路便于单片集成。文中对滤波器进行了PSPICE模拟。
王春华沈光地
关键词:电流模式
C掺杂GaAs外延层的MOCVD生长被引量:1
2004年
 以CCl4为掺杂源,利用EMCORED125MOCVD系统生长了不同C掺杂浓度的GaAs外延层。通过Hall、PL、DXRD以及在位监测工具Epimetric等手段研究了掺CGaAs层的电学特性、光学特性、晶体质量和生长速度等。
李建军韩军邓军邢艳辉刘莹沈光地
关键词:MOCVDGAAS掺杂
一种与光纤高效耦合的新型大光腔大功率半导体激光器被引量:3
2007年
提出并实现了一种新型多有源区隧道级联大光腔半导体激光器,提高了激光器激射窗口的宽度,得到低于20°的垂直发散角,从而提高了光纤输出的耦合效率.对多种形式和规格的透镜光纤的测试结果表明,耦合效率可以提高30%以上.
于海鹰崔碧峰陈依新邹德恕刘莹沈光地
关键词:半导体激光器大光腔光纤耦合透镜光纤
隧道带间耦合级联新型激光器扩展电流的优化被引量:2
2001年
隧道带间耦合级联激光器采用 C掺杂生长隧道结 ,由于高浓度 C掺杂层在激光器多个有源区之间分布形成了高电导层 ,增加了注入电流的横向扩展 ,使激光器的性能不能充分发挥出来。我们利用双面电极新型结构可以很好地克服横向电流扩展 ,使级联的激光器保证充分的光输出功率。具体是在常规激光器背面衬底做完全与正面电极相同而对中的电极。当加入电场后 ,使电场完全集中在这两个相对中的电极之间 ,使激光器注入的电流从正面电极完全不扩展地流入到背面衬底电极 ,保证每个有源区都注入相同的电流而保证每个有源区充分的光输出。对 4个有源区级联的激光器光输出功率较常规电极提高 70 %以上 ,输出光功率从 1.6 W提高到 2 .4W,斜率效率提高 70
邹德恕崔碧峰李建军廉鹏徐晨韩金茹刘莹杜金玉张丽高国沈光地
关键词:碳掺杂隧道结构
射频磁控溅射腔面镀膜半导体激光器的可靠性被引量:3
2004年
利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀 Si O2 膜 ,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验 ,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善。器件平均输出功率提高了 49.8% ,平均阈值电流下降了 7% ,平均斜率效率提高了 5 0 % ,而且射频磁控溅射方法所镀的膜具有粘附性好、膜层致密、厚度易控制、稳定性好、成本低等优点 ,器件的可靠性也有明显提高。
鲁鹏程郭伟玲邹德恕刘莹崔碧峰李建军沈光地
关键词:半导体激光器射频磁控溅射腔面镀膜可靠性
最少元件的多输入多输出MOCCII电流模式滤波器被引量:21
2002年
本文提出了两种基于MOCCII(多端输出的第二代电流传输器)的多输入多输出的电流模式滤波器。两种电路均由2个MOCCII及4个接地RC元件构成。每一种电路除了能实现出单输出的低通、带通、高通、带阻、全通电流模式滤波器外,还能实现三种不同类型的具有同时多输出的电流模式滤波器. 提出的电路具有很低的无源灵敏度;同时应用基本电流镜技术实现出结构简单的高精度CMOS MOCCII,并对MOCCII及提出的滤波器电路进行了PSPICE仿真。
王春华沈光地
关键词:第二代电流传输器电流模式
新型高效隧道再生多有源区超高亮AlGaInP发光二极管被引量:2
2002年
分析了传统的发光二极管所存在的问题,提出了一种新的发光机制——高效隧道再生多有源区发光机制,详细介绍了新型发光管的工作原理,结构和制备工艺.通过理论和测试分析,验证了新机理器件的轴向光强随有源区的数目增加而线性增加的物理思想,实现了在小电流下的高亮度发光.器件在未生长厚电流扩展层的情况下,峰值波长在625nm左右,20mA注入电流下,15°普通封装,轴向光强最大超过5 cd.
郭霞沈光地王国宏王学忠杜金玉高国
关键词:ALGAINP发光二极管隧道再生多有源区发光机制量子效率物理思想
隧道带间级联双波长半导体激光器热特性模拟被引量:9
2004年
介绍了隧道带间级联双波长半导体激光器的工作机理,分析了其热量产生的根源,利用有限单元法对热传导方程进行了数值计算,得到了其在脉冲工作下的二维瞬态热分布,结果表明:随着时间的变化,有源区温度逐渐升高,靠近衬底的有源区温度略高一些,这是由于其远离热沉的原因。同时计算了不同占空比下器件内部的温度变化趋势,结果表明随着占空比增大,器件内部热量会逐渐积累,对器件特性会产生影响。
鲁鹏程李建军郭伟玲沈光地刘莹崔碧峰邹德恕
关键词:半导体激光器有限单元法占空比双波长隧道结热特性
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