国家高技术研究发展计划(2006AA03Z0406)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 相关作者：张永刚李爱珍李耀耀徐刚毅魏林更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 分布反馈量子级联激光器的光栅制备被引量：2
- 2009年
- 利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性较好,信噪比大于30dB。
- 李耀耀徐刚毅张永刚李爱珍魏林
- 关键词：分布反馈激光器
- 腔面镀膜分布反馈量子级联激光器被引量：2
- 2009年
- 报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果。与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%。通过对比镀膜和未镀膜器件的阈值电流密度,估算出器件的波导损耗约为7.25cm-1。
- 魏林李耀耀李爱珍徐刚毅张永刚
- 中红外半导体光源和探测器件及其应用被引量：4
- 2011年
- 中红外波段(2～25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs光伏型探测器的研制以及器件应用方面的工作。这些光电子器件所用高性能材料都是笔者采用分子束外延方法生长的,中红外分布反馈量子级联激光器可在高于室温下脉冲工作,2μm波段锑化物量子阱激光器可在80℃下连续波工作,室温工作InGaAs探测器的截止波长扩展已至2.9μm。这些器件已在气体检测等方面获得应用。
- 张永刚顾溢李耀耀李爱珍王凯李成李好斯白音张晓钧
- 关键词：中红外半导体激光器光电探测器化合物半导体分子束外延
