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北京市科技计划项目(D0404003040321)

作品数：1 被引量：7H指数：1
相关作者：韩彦军罗毅薛松更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇钝化
  • 1篇钝化处理
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇反向漏电
  • 1篇XPS
  • 1篇GAN基LE...

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇薛松
  • 1篇罗毅
  • 1篇韩彦军

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
钝化处理对GaN基LED反向漏电流特性的改善被引量：7
2006年
通过采用硫代乙酰胺(CH3CSNH2)溶液浸泡和沉积SiNx薄膜对干法刻蚀后的GaN基LED进行了处理。处理后,LED器件在-5 V直流电压偏置下的漏电流下降到约1/6。X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,CH3CSNH2溶液处理能阻止GaN表面吸附O杂质,起到钝化的作用。沉积SiNx介质薄膜能有效隔绝LED器件和周围的环境。因此,这种两步方法能钝化干法刻蚀后GaN的侧壁,有效地减小LED器件的漏电流。
薛松韩彦军罗毅
关键词：氮化镓钝化漏电流XPS
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