国家自然科学基金(50730009)
- 作品数：31 被引量：132H指数：7
- 相关作者：刘俊张斌珍叶雄英谭振新薛晨阳更多>>
- 相关机构：中北大学清华大学中国科学院山西煤炭化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信机械工程更多>>
- 硅基外延GaAs材料的力学仿真分析
- 2012年
- Si,GaAs,Si基异质外延GaAs三种材料的基本力学特性各有不同,通过理论计算和ANSYS仿真得出相同条件下Si基异质外延GaAs材料中GaAs应力转化率是Si和GaAs材料的1.26倍左右,应力造成的位移系数略小于Si,远远小于GaAs,同时经过计算得出Si基异质外延GaAs材料的量程是GaAs材料的5倍,说明Si基外延GaAs材料不仅机械特性良好,而且还明显优于Si和GaAs,有更好的力电耦合效应需要的机械特性。
- 唐军郭浩刘俊赵锐
- PDMS氧等离子体表面改性工艺参数优化被引量：8
- 2010年
- 聚二甲基硅氧烷(PDMS)是目前常用的微流控芯片结构材料,用氧等离子体对PDMS表面进行处理可以改善固化后的PDMS表面浸润性。该文用3因素3水平正交试验研究了改性时间、射频功率、氧气流量对PDMS表面氧等离子体改性效果的影响,并基于有限的实验数据运用基于误差反向传播算法的人工神经网络(BP神经网络)预测了所有27种参数组合的改性效果,找出了最优工艺参数组合。结果表明,射频功率对短时改性效果和改性效果保持性均影响最大。最佳实验结果为:亲水改性后1 h内最小接触角小于2°,1周后最小接触角小于53°。
- 叶雄英施缪佳朱荣杜敏冯金扬
- 关键词：氧等离子体处理正交试验神经网络
- 偏压对HEMT嵌入式微加速度计电学参数的温度特性影响被引量：3
- 2011年
- 研究了HEMT嵌入式微加速度计在不同偏压下的温度效应。研究结果表明由于选择的偏压不同,输出电流的温度系数大小不同。其主要原因是漏极电流的温度效应由迁移率的温度系数和阈值电压的温度系数共同决定,两种效应一正一负,根据选择偏压大小,可以调整各自的贡献,确定合适的工作点,从而减小电学参数的温度漂移,甚至可以使某些电学参数的温度系数为零。因此,以HEMT作为微传感器的敏感单元,可以在较宽的温度范围内工作,解决由于温度的影响所带来的测量误差,为温度难以控制的恶劣环境的测试提供一定的依据。
- 谭振新薛晨阳史伟莉胡全忠刘俊张斌珍
- 关键词：场效应晶体管温度系数
- 基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试
- 2010年
- 利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计结构,利用惠斯通电桥测试电路,检测不同载荷下的输出特性,验证了微加速度计的力电耦合效应.测试结果表明,该微加速度计的线性度较好,其最大加载范围可达到24 g,且饱和区的灵敏度可达到4.5 mV/g,为高灵敏微传感器的研究奠定了一定的基础.
- 谭振新薛晨阳侯婷婷贾晓娟史伟莉刘俊张文栋
- 关键词：MESFETGAAS灵敏度线性度微加速度计
- 带有力反馈控制的三明治式微机械干涉加速度计被引量：3
- 2011年
- 设计了一种静电力反馈控制的三明治式微机械干涉加速度计,加速度计由敏感芯片、半导体激光器、光电二极管以及相应的驱动电路和反馈控制电路组成.敏感芯片为玻璃-硅-玻璃3层结构,通过硅-玻璃键合体硅工艺制成.硅质量块由铝梁支撑,底部玻璃基片上有金属光栅和电极,通过在质量块和底部玻璃基片上的电极之间施加电压可以调节质量块与玻璃基片间的间隙.入射激光照射到敏感芯片上的光栅上,产生衍射光束,其光强随质量块与下玻璃的间距而变化.反馈控制电路通过测量衍射光强的变化来改变质量块与底电极之间的电压,使得质量块与底部玻璃基片的距离保持为入射光波长1/8的奇数倍,从而提高输出线性度,改善灵敏度,增大量程.
- 伍康叶雄英陈烽刘力涛周兆英
- 关键词：微加速度计力反馈三明治
- 受限于单壁碳纳米管中水的分子动力学模拟被引量：1
- 2011年
- 对受限于不同直径和不同负载量情况下的纳米碳管中的水分子进行动力学模拟.研究发现:水分子在碳纳米管中的扩散经历二种方式,先是弹道扩散,然后是正常扩散;水在单壁碳纳米管中的扩散系数远远大于一般分子筛中的扩散系数.
- 邹桂敏杨晓峰
- 关键词：分子动力学模拟单壁碳纳米管负载量
- 材料的吸收效应对光子晶体温感特性的影响被引量：1
- 2014年
- 利用传输矩阵法对含有缺陷层光子晶体缺陷模的透射率进行计算,主要讨论了材料的吸收效应对光子晶体温感特性的影响。以波长为800nm处缺陷态的透射峰作为研究对象,通过MATLAB数学软件数值模拟仿真发现:随着温度逐渐增加,缺陷模的透射率随之减小,说明光子晶体对温度变化有一定的灵敏度;介质材料的吸收效应会使透射峰随温度变化的速度减小,即光子晶体的缺陷模对温度变化的灵敏度减小;介质材料的消光系数越大,光子晶体的缺陷模对温度变化的灵敏度则越小。
- 张爱华温廷敦许丽萍王志斌丰春芳
- 关键词：光子晶体缺陷模温度传感器
- 沟道角度对微加速度计性能的影响被引量：1
- 2012年
- 通过设计与悬臂梁呈不同角度的沟道,对GaAs基金属半导体场效应晶体管(MESFET)的微加速度计的输出特性进行了初步测试研究。设计了GaAs MESFET的材料层结构并采用四梁固支结构。通过表面浅工艺加工出GaAs MES-FET微加速度计。将敏感单元GaAs MESFET嵌入四梁靠近根部的位置。设计了3种不同的沟道角度,分别与悬臂梁呈45°、90°、0°,通过实验定量分析了GaAs MESFET在受到外力时,不同沟道角度的GaAs MESFET加速度计的灵敏度,且0°时灵敏度最高。最终指导传感器的优化设计,为进一步提高微加速度计的灵敏度奠定基础。
- 史伟莉薛晨阳谭振新刘俊张斌珍张文栋
- 关键词：金属半导体场效应晶体管灵敏度
- 分子动力学模拟基本原理及研究进展被引量：15
- 2011年
- 阐述了分子动力学模拟的基本原理,介绍了分子动力学的牛顿运动方程、相关有限差分算法、边界条件的选取以及热力学性质的计算。最后还指出了分子动力学模拟方法进一步研究方向。
- 李春艳刘华刘波涛
- 关键词：分子动力学模拟
- GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究被引量：1
- 2011年
- 用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线。最后对器件阱结构和发射极面积大小与器件直流特性的关系进行了分析总结,为设计性能更好的RTD结构提供了参考依据。
- 王杰张斌珍刘君唐建军谭振新贾晓娟高杰
- 关键词：共振隧穿二极管I-V特性砷化镓发射极
