国家重点基础研究发展计划(2003CB716203)
- 作品数：13 被引量：24H指数：3
- 相关作者：卢秉恒丁玉成刘红忠王莉尹磊更多>>
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- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：机械工程电子电信电气工程理学更多>>
- 压印光刻对准中阻蚀胶层的设计及优化被引量：2
- 2006年
- 针对高速旋涂造成标记区阻蚀胶薄膜覆盖不对称和压印曝光造成标记区薄膜聚合的问题,利用压印光刻压印曝光固化脱模的工艺原理,提出了用压印预处理标记表面薄膜来优化阻蚀胶层厚度和形貌的工艺方法.该方法采用下压力约束薄膜,使阻蚀胶在标记区的栅格间重新分布,从而削弱了覆盖膜的不对称性,获得了相应的薄膜厚度.采用旋涂厚度为1.1μm的覆盖膜对压印预处理工艺方法进行了试验,发现下压力大于0.48 MPa时,薄膜结构具有较好的对称性,下压力为1.12 MPa时,对准信号的对比度达到最大.试验结果表明,压印预处理对于压印光刻系统具有较好的工艺适应性,利用该方法优化标记区的阻蚀胶层不仅能够有效削弱覆盖膜不对称和压印曝光的影响,而且对准精度可满足100 nm压印光刻的要求.
- 邵金友丁玉成卢秉恒王莉刘红忠
- 关键词：压印光刻
- 基于纳米压印技术的光伏器件微三维构型研究被引量：2
- 2006年
- 将纳米压印技术应用到三明治结构光伏器件制作.采用具有三维微结构(平行波纹、离散孤岛)软模具,通过纳米压印将定制化微三维结构转印到电子给体层和电子受体层的异质结界面上,以增大异质结界面实际面积,提高光伏效率.通过仿真计算,模拟了通过微结构界面几何改变,提高有效面积内异质结界面实际接触面积,从而增大载流子浓度的过程,优化三维微结构几何特征.典型试验结果证明了光伏器件异质结三维微结构界面对光伏效率的良好效果.
- 尹磊刘红忠丁玉成卢秉恒
- 关键词：纳米压印光伏器件
- 基于分步式压印光刻的激光干涉仪纳米级测量及误差研究被引量：1
- 2006年
- 针对在未做隔离保护处理的环境中,基于Michelson干涉原理的激光干涉仪测量系统存在严重的干扰误差,不适合分步式压印光刻纳米级对准测量的要求.采用Edlen公式的分析及计算,不仅在理论上揭示出环境温度、湿度、气压等变化对激光干涉仪测量准确度的影响,而且证明影响测量准确度的最大干扰源是空气流动的结果.通过气流隔离措施和系统测量反馈校正控制器,能够实时补偿激光干涉仪两路信号的相差.最终,测量漂移误差在10min内由13nm降低到5nm以内,满足压印光刻在100mm行程中达到20nm定位准确度要求.
- 刘红忠丁玉成卢秉恒王莉
- 关键词：激光干涉仪
- 压印光刻中紫外光诱导阻蚀胶固化控制计算被引量：2
- 2007年
- 针对压印过程中两类基本的复型缺陷,从实验分析中得出其主要原因是曝光后阻蚀胶的固化程度难以控制.通过分析紫外曝光光源与阻蚀胶的光谱匹配性,得出使得阻蚀胶固化的有效波长为365 nm;对光诱导紫外曝光过程中紫外光的传播分析,建立了阻蚀胶中光强分布的数学模型;用粘度来表征阻蚀胶的固化程度,建立了阻蚀胶中的粘度分布函数.分析了阻蚀胶对365 nm紫外光的吸收率以及膜厚对阻蚀胶中光强分布均匀性的影响,得出复型后阻蚀胶凸起处的光强分布均匀性对吸收率及膜厚更为敏感的结论.
- 陈立峰卢秉恒
- 关键词：压印光刻粘度
- 冷压印光刻中斜纹光栅对准信号计算模型被引量：3
- 2005年
- 采用傅里叶光学的方法,分析了冷压印光刻中新型斜纹光栅对准标记的透光特性。分析表明,对准信号与光栅副相对位移之间是正弦变化关系,且对准位置附近是一个陡直的线性区。该区对准信号的灵敏度很高,适合于多层套刻对准,根据信号和位移的线性关系,给出初步的对准信号计算模型。由于抗蚀剂的存在,使晶片表面反射率随位移而变化,提出用反射率因子进行修正的方案。反射率因子中包含有位移信息,将其与初步对准信号模型相乘,得到修正的计算模型。由新模型,研究了抗蚀剂平均厚度不同对对准信号的影响,说明要获得高灵敏度的信号,抗蚀剂厚度应取满足压印条件的最小值。
- 成丹卢秉恒丁玉成王莉
- 关键词：压印光刻傅里叶光学莫尔条纹
- 纳米压印光刻中的多步定位研究被引量：5
- 2006年
- 在步进重复式压印光刻中,为了避免承片台支撑绞链结构间隙及微观姿态调整往返运动导致的表面材料不规则形变,建立了单调、无振荡、多步逼近目标位置的宏微两级驱动系统,并提出了径向基函数-比例、积分、微分(RBF-PID)及单调位置控制算法.控制结果证明,使用具有强鲁棒性的RBF-PID非线性控制模式,使得驱动过程呈现无超调、无振荡的单调过程,因此避免了由于系统微观振荡调节而引入的间隙误差和材料表面形变误差.此控制方式可使步进重复式压印系统的定位精度在满足100 mm行程驱动的前提下,达到小于10 nm的定位技术指标.
- 刘红忠丁玉成卢秉恒王莉邱志惠
- 关键词：纳米压印光刻非线性控制
- 步进闪光压印光刻模具制作工艺研究被引量：5
- 2006年
- 由于硅橡胶具有良好的自适应性和优异的脱模性,所以选取硅橡胶作为模具材料,并确定使用硅橡胶加石英硬衬作为压印光刻工艺的模具.分析了硅橡胶模具制作工艺中真空辅助浇铸的成型过程,以及交联固化反应过程的各个工艺参数对硅橡胶模具性能的影响,通过大量实验,具体分析了硅橡胶单体和固化剂配比、浇铸真空压力、固化温度及固化时间等工艺参数,并由此得到了优化的硅橡胶固化工艺参数,提高了硅橡胶模具的物理性能.实验表明,硅橡胶模具具有良好的自清洁功能,其表面图形完好,图形转移效果优异,完全能够满足300 nm特征尺寸图形复型转移压印的要求.
- 李寒松丁玉成卢秉恒
- 关键词：压印光刻硅橡胶
- 紫外光固化中阻蚀胶薄膜应力分析及成膜控制被引量：3
- 2006年
- 针对压印光刻工艺实现图章保真复型对阻蚀胶薄膜的均匀度和应力分布的要求,对匀胶过程中的时间、转速和加速度等参数进行了分析,并采用基片曲率法的Stoney公式及其近似计算公式,对不同参数环境下的薄膜应力及应力梯度分布作了计算分析.通过对比几组试验参数的应力分析结果,验证了薄膜应力的大小和应力梯度的分布主要与匀胶时间和速度有关,而与加速度的关系较小.因此,当选用匀胶转速为5 000 r/min、时间为30 s时,薄膜应力分布最优,成膜质量最佳,能够满足压印光刻工艺中300 nm级图型的保真复型需求.
- 尹磊丁玉成卢秉恒刘红忠
- 关键词：压印光刻薄膜应力
- 压印光刻中的两步对正技术被引量：2
- 2006年
- 压印光刻中套刻需要粗、精两级对正.实验采用一对斜纹结构光栅作为对正标记.利用物镜组观察光栅标记图像的边界特征进行粗对正,其准确度在精对正信号的捕捉范围内;利用光电接收器件阵列组合接收光栅莫尔信号,在莫尔信号的线区进行精对正.由于线性区的斜率大,精对正过程中得到相应x,y方向的对正误差信号灵敏度高,利用高灵敏度对正误差信号作为控制系统的驱动信号,对承片台进行驱动定位,实现精对正.最终使X,Y方向上的重复对正准确度分别达到了±21nm(±3σ)和±24nm(±3σ).
- 王莉卢秉恒丁玉成刘红忠
- 关键词：压印光刻光栅莫尔信号
- 压印光刻中模具空间位姿的识别及仿真被引量：1
- 2007年
- 在纳米压印光刻中,为了减小模具与晶片的平行度误差,将精对正光栅标记的相对误差校正到半栅距范围之内,并建立了点光源映射的数学模型,对模具空间位姿的投影进行图像识别.在算法设计的基础上,建立了纳米压印光刻系统中的粗对正系统及其控制流程,通过仿真计算,可以将模型的转角计算精度控制在10-6rad以下,位置偏移量计算精度控制在1 nm以下,所建立的粗对正系统的检测精度可达到1μm以下,因此满足了压印光刻中下一步精对正系统的要求.
- 蒋维涛丁玉成卢秉恒刘红忠
- 关键词：纳米压印
