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国家重点基础研究发展计划(2010CB327405)

作品数:3 被引量:4H指数:1
相关作者:严蘋蘋洪伟陈继新更多>>
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相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片低噪声放...
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇噪声系数
  • 1篇砷化镓
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  • 1篇放大器
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  • 1篇OMPA
  • 1篇MICROR...
  • 1篇ELECTR...

机构

  • 1篇东南大学

作者

  • 1篇陈继新
  • 1篇洪伟
  • 1篇严蘋蘋

传媒

  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇Chines...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Compact temperature-insensitive modulator based on a silicon microring assistant Mach-Zehnder interferometer
2012年
On the silicon-on-insulator platform, an ultra compact temperature-insensitive modulator based on a cascaded microring assistant Mach-Zehnder interferometer is proposed and demonstrated with numerical simulation. According to the calculated results, the tolerated variation of ambient temperature can be as high as 134 ℃ while the footprint of such a silicon modulator is only 340 μm2.
张雪键冯雪张登科黄翊东
关键词:MICRORING
Ultra-compact variable optical attenuator based on slow light photonic crystal waveguide被引量:1
2013年
An ultra-compact variable optical attenuator based on slow light photonic crystal waveguide with thermo- optic effect is demonstrated. Along with power consumption of as low as 30.7 roW, a variable attenuation range of 10 dB is experimentally achieved by shifting the transmission spectrum at about 4.6 nm. The length of the ProPosed device is only 20 μm.
赵强崔开宇冯雪黄翊东李永卓张登科张巍
毫米波单片低噪声放大器的研制被引量:3
2010年
采用OMMIC0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用串联负反馈结合并联负反馈的结构,可以获得比较平坦的增益;三级低噪声放大器采用三级相似的串联负反馈结构级联,可以紧凑结构、在相同的芯片尺寸下获得较高的增益,2种低噪声放大器芯片的尺寸均为1.5mm×1.0mm.测试结果表明,在28-40GHz频段内,两级低噪声放大器增益最大为15.4dB、噪声系数最小为3.2dB;三级低噪声放大器增益最大为24.8dB、噪声系数最小为2.73dB,达到预期目标.
严蘋蘋陈继新洪伟
关键词:低噪声放大器砷化镓毫米波噪声系数
共1页<1>
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