黑龙江省教育厅科学技术研究项目(11521215)
- 作品数：5 被引量：16H指数：2
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- 相关领域：电气工程电子电信理学更多>>
- PECVD法制备纳米晶粒多晶硅薄膜被引量：1
- 2008年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积系统（RF-PECVD）以高纯SiH4为气源在P型〈100〉晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频（13.56MHz）电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为〈111〉晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱;AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20~40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱。
- 赵晓锋温殿忠
- 关键词：PECVD纳米晶粒非晶硅多晶硅高温退火
- 基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究被引量：9
- 2008年
- 采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和I-V特性影响。实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强。
- 赵晓锋温殿忠高来勖
- 关键词：直流磁控溅射ZNO薄膜晶粒晶粒间界
- 薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响被引量：4
- 2010年
- 以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。
- 赵晓锋温殿忠王天琦丁玉洁
- 关键词：结构特性LPCVD退火
- 基于MEMS制作n-Zn0/p-Si异质结及特性被引量：1
- 2008年
- 基于MEMS技术在p型<100>晶向双面抛光单晶硅片上制作C型硅杯,在C型硅杯上表面扩散p+,采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为<0002>晶向的n-ZnO薄膜,形成n-ZnO/p-Si异质结。采用HP4280A型C-V特性测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结的C-V特性,该异质结为突变结。采用HP4145B型半导体参数测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结I-V特性,结果给出,n-ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,电流随外加偏压按指数函数增加,反向电流不饱和,采用突变异质结的正反向势垒能带结构对其I-V特性进行分析。
- 赵晓锋温殿忠
- 关键词：MEMS异质结磁控溅射ZNO薄膜
- 纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究被引量：1
- 2010年
- 采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO,不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压VGS,调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明,当外加磁场B=0时,工作电压VDS恒定时,随栅极偏置电压VGS绝对值增加,纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势VHO逐渐接近零位输出;采用栅极偏置电压进行不等位电势补偿较外加补偿电阻方法可以使磁传感器灵敏度得到提高,在工作电压VDS为-1.0 V时磁灵敏度约提高18%。
- 赵晓锋温殿忠
- 关键词：磁传感器不等位电势
