国家自然科学基金(60776056)
- 作品数：37 被引量：79H指数：6
- 相关作者：钟传杰唐正宁汤猛景亚霓殷波更多>>
- 相关机构：江南大学机械工业第六设计研究院有限公司武汉大学更多>>
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- 相关领域：电子电信轻工技术与工程一般工业技术电气工程更多>>
- 喷墨印刷模拟研究被引量：3
- 2009年
- 为了更好地研究有机薄膜晶体管用有机油墨的喷射成型情况,本文使用专业流体分析模拟软件Gambit和Fluent对不同类型的喷墨头进行模拟,得出在一定的压力条件下,喷墨头内的压力分布图、流速分布图等,并对水和PEDOT/PSS有机墨水分别进行了喷墨口速度的模拟及对比,发现圆墩形喷墨头对于实验是最有利的选择。同时,还对喷墨头各个参数和压力的关系进行比较研究、分析,以利于对喷墨头进行改造,即只要设定合适的压力并改变流速,就可以获得较好的液滴成型方式。
- 史永晶唐正宁
- 关键词：FLUENT喷墨
- 退火条件对TIPS-Pentacene OTFT特性的影响
- 2013年
- 采用溶液旋涂方法,以6,13-bis(Triisopropyl-silylethynyl)Pentacene(TIPSpentacene)为有源层材料,制备了顶接触有机薄膜晶体管,研究了不同退火条件对OTFT器件性能的影响。实验结果表明,在用银浆做电极且其他条件相同的情况下,TIPS-pentacene的最佳退火温度为383K;在10h以内,退火时间越长,性能越好。在沟道长度L=200μm、宽度W=5000μm、栅极电压Vg=40V、漏极电压VDS=40V、有源层退火温度383K、退火时间10h的条件下,源漏饱和电流IDS达到1.9×10-6 A,载流子迁移率达到0.0084cm2/(V·s)。
- 余屯邱禹刘欢钟传杰
- 关键词：有机半导体材料退火有机薄膜晶体管载流子迁移率
- 简化DG OTFT结构对模拟精度的影响
- 2014年
- 使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的增加而加大,而模拟中常采用的简化结构由于忽略了电极位置对载流子注入面积及有源层内电势分布的影响,从而低估了实际器件的输出电流大小。
- 姚阳王昭钟传杰
- 关键词：电极
- 双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真被引量：2
- 2017年
- 采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1013,亚阈值摆幅为0.36V/dec。并在此厚度比的基础上,模拟了两层材料的隙态密度,并通过改变态密度模型中的相关参数,观察两层材料对器件的电学特性的影响情况。
- 彭云霞潘东钟传杰
- 关键词：态密度
- a-IGZO/IZO厚度比对TFT特性的影响研究
- 2018年
- 利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响。结果表明,该TFT的特性与有源层的厚度比密切相关。在给定参数条件下,当有源层的厚度比为20∶20时,该TFT的电学性能最优。阈值电压、亚阈值摆幅分别为-2.05 V、91 mV/decade,最大开关电流比为4.12×1014。双有源层a-IGZO/IZO TFT的场效应迁移率可达20.2cm2/V·s,优于单有源层a-IGZO TFT。
- 潘东向超殷波李勇男汤猛钟传杰
- 关键词：异质结态密度
- 溶液法制备IGZO/IZO薄膜的电学特性研究
- 2018年
- 基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层IGZO/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电学特性。结果表明,在相同制作工艺下,IGZO单层薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移不明显,而双层IGZO/IZO薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移较大。退火温度在240℃~300℃范围内,电流的偏移量随温度升高而减小,回滞幅度也减小。薄膜的界面态对薄膜器件的I-V特性有较大影响,升高退火温度可改善IGZO/IZO双层薄膜界面特性。
- 殷波李勇男潘东汤猛向超钟传杰
- 关键词：溶液法退火IGZO界面态
- Tips-PEN薄膜载流子迁移率的稳态SCLC与阻抗谱法测量的研究
- 2014年
- 利用稳态SCLC法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的Tips-PEN薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析。测试样品是p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag构成的单载流子器件。稳态SCLC法测试的器件Tips-PEN厚度为87nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V·s)和0.002 4(cm/V)1/2;阻抗谱法测试的器件Tips-PEN厚度为827nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V·s)和0.003 47(cm/V)1/2。稳态SCLC法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态SCLC需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度。这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致。
- 景亚霓滕支刚魏志芬
- 关键词：阻抗谱迁移率
- 喷墨印刷中墨滴分裂过程的研究被引量：5
- 2012年
- 基于VOF模型,利用Flow3D软件模拟了墨滴生成和断裂过程。与实验结果对比发现,墨滴分裂时墨水的粘度和表面张力对主副墨丝的形成具有很大影响;表面张力是所研究现象的驱动力,驱动电压对墨丝尾部的速度没有影响。
- 邵文唐正宁
- 关键词：喷墨印刷VOF模型
- 基于喷墨印刷的OTFT的制备与性能研究被引量：2
- 2009年
- 介绍了喷墨印刷技术和OTFT的结构,通过建立几个模型,分别模拟了喷墨印刷过程中聚合物油墨的粘度和喷墨印刷过程中的瞬间油墨液滴的状态,以及印制成型后OTFT基本的性能。通过模型模拟来展示在用喷墨的方法来印制OTFT的过程中需要注意的问题,并且作出了对印制好的OTFT的性能的测定指标。
- 史永晶唐正宁
- 关键词：喷墨有机薄膜晶体管液滴
- 喷墨印刷膜层宽度和厚度的分析计算被引量：7
- 2009年
- 喷墨印刷是一种定量精确沉积技术,能将各种材料沉积在承印材料上成膜,在制造业中有广泛的应用前景。本文通过分析墨滴初始半径、墨滴铺展半径,并结合喷墨精度等参数,给出膜层宽度和厚度的计算公式,最后分析其影响因素。
- 董海荣唐正宁
- 关键词：喷墨印刷
