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国家科技重大专项(2009ZX02040)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：张苗魏星薛忠营王曦林成鲁更多>>
相关机构：上海新傲科技股份有限公司中国科学院更多>>
发文基金：上海市国际科技合作基金上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇形貌
  • 1篇注氧隔离
  • 1篇界面形貌
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘体
  • 1篇SOI
  • 1篇硅

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海新傲科技...

作者

  • 1篇武爱民
  • 1篇张波
  • 1篇林成鲁
  • 1篇王曦
  • 1篇薛忠营
  • 1篇魏星
  • 1篇张苗

传媒

  • 1篇科学通报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究被引量：1
2010年
研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第二步注入剂量为3×1015cm-2的改进型两步氧离子注入工艺,用于制备高质量的SIMOX材料.与单步氧离子注入工艺的剂量窗口相比,注入剂量减少了18.2%.采用椭圆偏振测试仪测量了所制备样品的埋氧层厚度及均匀性.通过透射电子显微镜观察到无缺陷的顶层硅以及原子级陡峭的顶层硅/埋氧层界面,表明两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料具有高的顶层硅晶体质量和剖面结构.采用原子力显微镜对比研究了单步和两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料顶层硅/埋氧层界面形貌.
魏星薛忠营武爱民王湘李显元叶斐陈杰陈猛张波林成鲁张苗王曦
关键词：界面形貌注氧隔离
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共1页<1>
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