西安―应用材料创新基金 作品数:21 被引量:50 H指数:4 相关作者: 李文峰 杨建翔 陈海峰 过立新 李恩玲 更多>> 相关机构: 西安理工大学 西安交通大学 西安科技大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 西安市科技创新支撑计划基金 国家科技型中小企业技术创新基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 矿业工程 自动化与计算机技术 更多>>
矿山救护队救援车辆定位管理系统 被引量:2 2011年 针对矿山救护队应急救援存在的救援范围广、地理环境复杂以及快速到达事故现场的要求,提出了一种有效提高救护队应急救援效率的矿山救护队救援车辆定位管理系统。该系统采用3S(GPS/GPRS/GIS)技术,由智能车载移动单元、GSM/GPRS数字通讯网络、监控指挥中心3部分组成;其中,智能车载移动单元硬件开发平台采用基于ARM9的S3C2440微处理器,以嵌入式Windows CE 6.0作为软件平台,并且给出了硬件电路结构和软件流程图;监控系统软件平台功能强大,采用了大型数据库技术、GIS地理信息系统。该系统性能稳定、易于操作、可扩展升级、地图标注等特点。 李文峰 纪俊江 杨建翔 徐克强关键词:应急救援 车辆定位 GPRS GPS nMOSFET中衬底偏压对衬底电流的影响研究 2013年 研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V 陈海峰 过立新关键词:衬底电流 亚阈值电流 NMOSFET 脑深部刺激电极的结构优化及其模拟分析 被引量:3 2008年 为了进一步揭示脑深部电刺激术中微脑电极的结构与电刺激参数之间的关联作用对神经活动的抑制机理,利用有限元方法,研究微脑电极刺激触点结构对其作用区域的刺激范围和刺激程度.分析结果表明,电极触点阵列,特别是触点长度和触点间距是微脑电极结构尺寸中的关键因素,也是对脑电极作用区域影响最大的结构尺寸.电极触点长度或触点间距的增加将会增大对脑部的刺激强度和刺激范围,同时触点长度2倍于触点间距将使得脑部的刺激更加平稳、有效.电极触点长度和触点间距不仅直接影响其作用位置,而且影响其对脑部作用区域的刺激强度和刺激范围的变化规律.研究结果为微脑电极的构建提供了新的设计依据. 连芩 王珏 刘红忠 张永睿 王庆丰关键词:脑深部刺激 电极 结构优化 多功能煤炭产量计量管理系统 被引量:3 2011年 为解决多矿点之间煤炭产量数据分散及易产生误差问题,便于企业进行远程集中管理和地方政府加强税收监管,设计了将称重计量数据和远程视频监控相结合的多功能煤炭产量计量管理系统。系统采用SQL Server2000后台数据库,Visual C++开发工具,C++语言和流媒体技术,设计开发了本地称重显示软件、流媒体服务器、流媒体客户端和数据库等四个应用程序模块,利用以太网完成称重控制器的状态监视,端口设置,参数设置,数据采集、分析、存储,显示视频图像,历史查询,报表打印等功能。系统已在新疆阿克苏地区拜城县成功应用。 李文峰 蔡亚永 徐克强 杨建翔 薛颖轶关键词:煤炭产量 远程 Casimir力、Hamaker力及黏附“突跳”研究 被引量:1 2010年 针对微观黏附中出现的"突跳"问题,建立了正弦分布粗糙面黏附模型;基于Casimir效应推导出Casimir力表达式;基于Wigner-Seitz微观理论,推导出包含斥力项的Hamaker力表达式;经过对黏附过程数值仿真,发现存在两个"突跳"过程,曲线存在两个拐点,而非目前研究所得的单个"突跳"过程;仿真结果同相关实验对比,结果符合较好.从而为微纳器件检测和原子分子操纵等提供理论基础. 田文超 王林滨 贾建援关键词:CASIMIR力 Ga_nN_3(n=1~8)团簇几何结构及光电子能谱的研究 被引量:4 2010年 用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G*的水平上,对GanN3(n=1~8)团簇的结构进行优化,并对体系的成键特性、光电子能谱及稳定性进行了计算与分析,得到了GanN3(n=1~8)团簇的最稳定结构.结果表明,当n≤5时,其基态几何结构为平面结构,N-N键在这些团簇的形成过程中起着决定性的作用;当n≥6时,其基态几何结构为立体结构,Ga-N键起主导作用;在所研究的团簇中,Ga4N3、Ga7N3的基态结构最稳定;随着n值的增大,平均极化率逐渐增强;通过对光电子能谱的分析,得到Ga-N键的振动频率与六方晶系纤锌矿结构GaN的光学声子峰值相近. 李恩玲 朱红 李莉莎 祁伟 李小平 王进宇关键词:团簇 密度泛函理论 光电子能谱 双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析 被引量:3 2008年 提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS提高了43%,pMOS提高了67%;工作在双栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)与体Si沟道相比较,驱动电流的提高nMOS为31%,pMOS为60%.仿真结果表明,双栅模式比单栅模式有更为陡直的亚阈值斜率,更高的跨导以及更强的抑制短沟道效应的能力.综合国内外相关报道,该结构可以在现今工艺条件下实现. 高勇 孙立伟 杨媛 刘静关键词:双栅 短沟道效应 pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究 2012年 研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的作用,建立了包含衬底偏压的产生电流模型。基于该模型的深入分析,很好地解释了衬底负偏压比衬底正偏压对产生电流的影响大的实验结果。 陈海峰 过立新 杜慧敏关键词:平带电压 氮化镓中性和离子团簇结构与振动光谱的研究 被引量:2 2009年 用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6-31G*基组上对GaNm(m=2-7)和Ga2Nm(m=3-6)中性和阴阳离子团簇的几何结构和振动光谱进行了系统的研究。得到了各团簇的几何结构和稳定性幻数规律,这些团簇的几何结构均为平面结构;富N氮化镓团簇的N-N键的振动频率为2200 cm-1;所有团簇中都有N2或N3分子单元,而且在所有分子中N3分子单元中的两个N-N键长也基本相同;富N氮化镓离子系列团簇的能隙范围比其对应中性系列团簇的宽。 李恩玲 马德明 刘满仓 王雪文关键词:团簇 振动光谱 桥丝式电点火头感应电流的测试研究 2009年 用红外光纤分光法对桥丝式电点火头中的感应电流进行非接触式远程测量.从红外辐射理论和实验两方面证明该方法的可行性.对桥丝产生的弱信号红外辐射进行光调制和锁相放大,通过探测器测得桥丝式电点火头辐射的中、近红外光电压的比值,得到对应的桥丝微弱的感应电流值,在电流值较大时,测量误差可小于0.0154mA.该红外光纤分光探测系统不仅解决了外界电磁干扰的问题,还很好地减小了人为操作的误差. 尹飞 梅书刚 汪韬 贺俊芳 阮驰 吴雷学 赵团 封青梅关键词:感应电流 红外探测器