中国科学院知识创新工程重要方向项目(094305L099)
- 作品数：3 被引量：20H指数：2
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- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目中国科学院知识创新工程领域前沿项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大功率垂直腔底发射半导体激光器的光束质量被引量：9
- 2011年
- 从M2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等方面对大功率底发射半导体激光器光束质量进行研究,分析了不同器件参数对光束质量的影响,为寻找有效改善光束质量的方法提供了依据。设计了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光(VCSEL)阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距,在4 A的工作电流下得到1 kW/cm2的高功率密度和高斯远场分布。与具有相同出光面积的单管器件和4×4二维阵列比较,新型阵列的光谱特性及光束质量均具有优越性。
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- 关键词：激光器垂直腔面发射阵列光束质量
- 大功率医用全固态561nm黄光激光器被引量：11
- 2012年
- 采用半导体抽运腔内倍频的方法,获得了可满足医疗应用的瓦级全固态561nm黄光激光输出。在比较和分析了Nd…YAG激光晶体各主要谱线的激光参数之后,通过谐振腔膜系的设计抑制了增益较大的1064,1319和946nm谱线的运转。通过对倍频晶体的合理选择以及晶体放置角度与匹配温度的合理控制,在13.5W的808nm抽运功率下,实验获得了1.41W的561nm单一谱线的黄光激光输出,光-光转换效率为10.5%。
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- 关键词：激光器全固态激光器医用激光技术腔内倍频
- 大功率高可靠性垂直腔面发射激光器阵列研究
- 2011年
- 针对980nm激光波长设计了InGaAs/GaAsP材料多周期增益量子阱结构。垒层采用带隙更宽的GaAsP材料代替常规GaAs,改善了效率随温度升高而降低的问题,同时又能满足长寿命激光工作的需要。周期增益量子阱结构提高了有源区的单程增益,降低了阈值,提高了输出功率。制作出新结构的集成单元数为4×4,单元直径30μm的阵列器件,工作电流为5.88A时连续激光功率达到2W;窄脉冲宽度1μs,重复频率100Hz,工作电流60A时输出功率达到30W,且均未达到饱和状态。此阵列器件在工作电流为1～4A时发散角半宽均小于16°。利用加速老化方法对阵列器件的寿命进行了测试,推算出30℃的寿命可达5280h以上,并分析了影响大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)可靠性的主要因素。
- 崔锦江宁永强姜琛昱王帆施燕博董宁宁田玉冰檀慧明武晓东
- 关键词：激光器垂直腔面发射激光器阵列可靠性
