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国家自然科学基金(50572056)

作品数:12 被引量:80H指数:4
相关作者:王矜奉郑立梅杜鹃臧国忠盖志刚更多>>
相关机构:山东大学聊城大学武汉理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇一般工业技术
  • 8篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 9篇压电
  • 8篇压电陶瓷
  • 7篇无铅
  • 6篇压电常数
  • 6篇陶瓷
  • 6篇无铅压电
  • 6篇无铅压电陶瓷
  • 4篇铌酸
  • 4篇机电耦合系数
  • 4篇NA
  • 4篇SB
  • 3篇酸盐
  • 3篇铌酸盐
  • 3篇无机非金属
  • 3篇无机非金属材...
  • 3篇非金属材料
  • 3篇O
  • 2篇钽酸盐
  • 2篇居里
  • 2篇居里温度

机构

  • 11篇山东大学
  • 1篇聊城大学
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇中国船舶重工...

作者

  • 10篇王矜奉
  • 8篇郑立梅
  • 6篇臧国忠
  • 6篇杜鹃
  • 5篇盖志刚
  • 4篇王春明
  • 4篇赵明磊
  • 4篇苏文斌
  • 4篇亓鹏
  • 3篇明保全
  • 2篇梁兴华
  • 2篇陈洪存
  • 1篇李吉超
  • 1篇王春雷
  • 1篇张家良
  • 1篇张承琚
  • 1篇徐庆

传媒

  • 4篇电子元件与材...
  • 2篇压电与声光
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇Chines...
  • 1篇Journa...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 7篇2006
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
LiCe掺杂对铋层材料K_(0.5)Bi_(2.5)Nb_2O_9的影响被引量:5
2008年
用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2 x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响。LiCe掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.44(LiCe)0.03 0.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31 pC/N、5%和22%。
盖志刚王矜奉苏文斌赵明磊王春明杜鹃郑立梅王春雷张家良李吉超
关键词:压电系数
(Na_(0.5)K_(0.5-x)Li_x)NbO_3高温无铅压电陶瓷性能研究被引量:4
2009年
为降低成本,采用传统电子陶瓷工艺制备了(Na0.5K0.5–xLix)NbO3(x=0.057~0.066)无铅压电陶瓷。Li取代K可以明显提高样品的居里温度(tC),x=0.066时样品的tC高达510℃,比纯(Na0.5K0.5)NbO3陶瓷高70℃左右。x=0.064时样品的d33高达212pC/N,kp为45.7%。x=0.063~0.066时样品的tanδ均低于0.020。特别是,x=0.066的样品经450℃退火24h,d33仍高达125pC/N。实验表明,(Na0.500K0.434Li0.066)NbO3是高性能的高温无铅压电陶瓷。
王矜奉亓鹏王春明郑立梅盖志刚
关键词:无机非金属材料无铅压电陶瓷居里温度压电常数
Na补偿的(Na,Bi)TiO_3-Ba(Zr,Ti)O_3无铅压电陶瓷被引量:3
2006年
研究了(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3无铅压电陶瓷,获得压电应变常数d33高达185 pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。添加0.04%摩尔过量Na2CO3的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3高性能压电陶瓷d33高达195 pC/N。研究发现添加Na2CO3添加量至0.04%摩尔,Na起到软性添加物的作用,添加量超过0.04%,Na起到硬性添加物的作用.理论解释了过量Na的这一特性.为了降低介电损耗,对0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06 Ba(Zr0.055Ti0.945)O3陶瓷进行了(Ce,Mn)掺杂改性研究。
杜鹃王矜奉赵明磊明保全盖志刚郑立梅徐庆
关键词:无铅压电陶瓷介电常数介电损耗
无铅无铋高性能压电陶瓷
研究环境协调性好的电子材料及其制品已是紧迫任务。铅污染已成为人类公害之一,铋也是毒性物质,对生态环境和人类健康也造成损害,且铋的生产导致了铅和铋的双重污染。本文分析了把铌酸盐作为无铅无铋压电陶瓷加以研究的理由,并采用适合...
王矜奉臧国忠张承琚
关键词:铌酸盐压电常数居里温度
文献传递
高性能(Na_(0.51)K_(0.44)Li_(0.05))Nb_(0.92)Ta_(0.08)O_3-Na_(5.4)Cu_(1.3)Sb_(10)O_(29)无铅压电陶瓷被引量:1
2007年
采用传统的氧化物固溶工艺制备了(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3和助烧剂Na5.4Cu1.3Sb10O29。对(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3添加助烧剂Na5.4Cu1.3Sb10O29的研究表明,助烧剂能大幅度提高(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3的压电和机电耦合性能。质量百分比为4%Na5.4Cu1.3Sb10O29掺杂的(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3具有高的压电应变常数(d33=266pC/N),高的机电耦合系数kt(46.7%)、k33(63.7%),较低的损耗(tanδ=1.8%),和高的居里温度(391℃)。这些参数表明,Na5.4Cu1.3Sb10O29掺杂的(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3是替代锆钛酸铅且具有很好的应用前景的无铅压电陶瓷。
梁兴华王矜奉郑立梅
关键词:无铅压电陶瓷机电耦合系数压电常数
铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的X射线衍射与相变分析被引量:36
2008年
分析了斜方相、四方相铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的结构和X射线衍射图谱的特点.对于铌酸钾钠基压电材料斜方相结构,从构成晶胞的一个单斜原胞进行分析,计算出X射线衍射谱上每个衍射角附近的衍射峰数目和相对强度.提出了2θ在20°—60°范围内根据(1 0 2)衍射峰(52°附近)和(1 2 1)衍射峰(57°附近)劈裂的数目区分斜方和四方相的新方法.对于多晶陶瓷粉末,可以更简便的由22°(或45°)附近前后峰的相对高低来判断斜方、四方相.
明保全王矜奉臧国忠王春明盖志刚杜鹃郑立梅
关键词:铌酸钾钠无铅压电陶瓷X射线衍射相变
Piezoelectric Properties of(Na0.5K0.5-xLix)NbO3 Ceramics
2007年
Lead-free piezoelectric ceramics (Na0.5K0.5-xLix)NbO3 (x=0.057-0.066) were synthesized by an ordinary sin-tering technique. Substituting Li for K can lead to structural distortion, which improves the Curie temperature (To) greatly. By adding appropriate LiNbO3 content, piezoelectric constant d33 values reach 202-212 pC/N. Electromechanical coefficients of the planar mode reach 44.4%-46.8%. The dielectric loss is below 2.6%, which is much lower than reported (about 50%). The To of (Na0.5K0.5-xLix)NbO3 (x=0.057-0.066) is in the range of 490-510℃, at least 70℃ higher than that of pure (Na0.5K0.5)NbO3 ceramics. The results show that (Na0.5K0.5-xLix)NbO3 ceramic is a kind of good lead-free high-temperature piezoelectric material.
Peng QI Jinfeng WANG Baoquan MING Juan DU Xinghua LIANG Limei ZHENG
关键词:LEAD-FREEPIEZOELECTRICDIELECTRIC
Diffuse dielectric anomaly of (Na0.5K0.5Bi)0.5TiO3 crystal at high temperature
2006年
This paper investigates the dielectric properties of (Na0.5K0.5Bi)0.5TiO3 crystal at intermediate frequencies (1kHz〈 f 〈IMHz) in the temperature range of 30-560℃. A pronounced high-temperature diffuse dielectric anomaly has been observed. This dielectric anomaly is shown to arise from a Debye-like dielectric dispersion that slows down following an Arrhenius law. The activation energy Er obtained in the fitting process is about 0.69eV. It proposes that the dielectric peak measured at low frequency above 400℃ is not related to the phase transition but to a space-charge relaxation.
赵明磊仪修杰王春雷王矜奉张家良
关键词:SPACE-CHARGE
无铅无铋压电陶瓷(Na_(0.5)K_(0.44)Li_(0.06))Nb_(0.95)Sb_(0.05)O_(3^(-))Na_(5.6)Cu_(1.2)Sb_(10)O_(29)研究被引量:15
2006年
提出重点研制无铅无铋压电陶瓷的建议,并采用传统的固相反应法,制备了新的助烧剂Na5.6Cu1.2Sb10O29及(Na0.5K0.44Li0.06)Nb0.95Sb0.05O3无铅无铋压电陶瓷,研究了助烧剂对该压电陶瓷性能的影响.添加适量助烧剂,可以提高压电陶瓷的致密度,降低介电损耗,明显提高压电活性.添加摩尔百分比为0.4%Na5.6Cu1.2Sb10O29的样品,压电常数可达到261pC/N,机电耦合系数k33高达60%以上.这些结果表明,添加了助烧剂Na5.6Cu1.2Sb10O29的(Na0.5K0.44Li0.06)Nb0.95Sb0.05O3是具有很好应用前景的无铅无铋压电陶瓷.
郑立梅王矜奉臧国忠赵明磊亓鹏杜鹃苏文斌明保全
关键词:铌酸盐钽酸盐机电耦合系数
MgSiO_3掺杂对ZnO压敏电阻器电学性质的影响被引量:4
2006年
采用传统陶瓷工艺制备了MgSiO3掺杂的防雷用ZnO压敏电阻。实验发现,掺杂0.04%的MgSiO3(物质的量)能显著提高其电流–电压非线性、通流能力和电压梯度E1.0,且能降低样品的漏电流IL以及残压比V40kA/V1mA。其非线性系数α和压敏电压梯度分别高达120,180V/mm,样品正反面各五次通流40kA、8/20μs波后,残压比和压敏电压变化率?V1mA/V1mA分别仅为2.56和–2.9%,且漏电流变化很小。对样品的微观结构分析显示,其电学性能的提高和晶粒的均匀程度有关。
陈洪存臧国忠王矜奉苏文斌王春明亓鹏
关键词:电子技术压敏电阻电学非线性残压比
共2页<12>
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