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非晶态合金薄带与膜的巨磁电阻抗效应理论及计算被引量：18: 2006年; 通过建立具有平面近横向各向异性场的非晶态合金薄带及膜的磁畴结构模型,利用线性化Maxwell方程组及Landau-Lifshitz方程,推出了在高频交变磁场及外加面内轴向直流磁场Hex作用下的铁磁材料的与取向相关的磁导率表达式,得到了对方位角平均的相对磁导率及阻抗的计算式,导出了磁导率与张量磁化率分量间的关系,对材料磁导率的实部及虚部随Hex的变化进行了计算,并给出了对应的磁谱图.建立的磁导率与外磁场的理论关系可将Panina及Kraus给出的理论结果统一起来.得出了在低场范围与实验结果相当符合的磁电阻抗效应理论.; 鲍丙豪宋雪丰任乃飞李长生

Fe基纳米晶合金闭环弱电流传感器的研究被引量：3: 2002年; 研究了利用具有高磁性温度稳定性的纳米晶合金Fe73 5Cu1Nb3 Si13 5B9敏感材料制成的新型弱电流传感器。它采用对称的单纳米晶磁芯双绕组结构 ,多谐振荡桥励磁及反馈技术 ,极大地改善了传感器的性能。详细地介绍了该传感器的工作原理 ,设计了信号处理电路。传感器工作量程为 -2 0 0～ 2 0 0mA ,线性度优于 0 2 %FS ,零点温度漂移优于 0 0 2 5 %FS/℃ (12℃～ 80℃ ) ,截止频率可达 2kHz。; 鲍丙豪; 关键词：弱电流传感器负反馈

基于ABAQUS的印刷电路板组件模态研究被引量：4: 2009年; 对多种集成芯片组成的印刷电路板组件(PCBA)进行了有限元模态和实验模态分析。以有限元分析软件ABAQUS/CAE为平台,经简化建立等质量仿真模型,得到PCBA在不同固定方式下的多阶固有频率和振型。通过对有限元软件仿真与实验模态分析的结果进行比较,可知有限元分析方法和实验结果具有很好的一致性,电路板固定方式和芯片分布的位置对PCBA组件的模态影响较大,有限元模态分析可以为PCBA芯片的分布优化设计和抗振可靠性研究提供理论依据。; 鲍丙豪赵洪利龚勇镇董现伦陈子夏; 关键词：有限元分析模态分析固有频率

单非晶丝磁芯双绕组新型磁传感器理论与实验研究被引量：7: 2006年; 采用旋转水中淬火纺丝法制备的钴基非晶态合金丝作为磁敏感材料,提出了一种采用单非晶丝磁芯双绕组结构,多谐振荡桥励磁,对弱磁场进行检测的高灵敏度、高线性度新型磁传感器。通过建立敏感磁芯的理想磁滞回线模型并根据电路理论及电磁场理论,推出了传感器的输出信号与待测磁场、振荡桥元件参数、线圈匝数、敏感磁芯的磁参数及磁芯几何参数的关系,通过实验证实了在传感器线性检测区域内理论结果的正确性,从而为优化传感器性能提供了理论依据。文中给出了研制的磁传感器对外磁场的检测结果。; 鲍丙豪蒋峰; 关键词：单磁芯双绕组磁传感器

FeCuNbSiB单纳米晶环形磁心双绕组新型微电流传感器被引量：1: 2004年; 经炉内绝热退火法制得的纳米晶合金Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9环形磁心,由于内应力及磁致伸缩系数的减小,使其具有高的磁性能温度稳定性及高的磁灵敏性。利用纳米晶合金材料作为敏感材料,提出了采用单纳米晶磁心双绕组结构、多谐振荡桥励磁的对微电流进行非接触测量的新型电流传感器。分析了传感器的工作原理,并利用傅里叶变换对桥路输出信号进行了分析。通过对电路参数的优化,研制出线性量程为±250 mA、带宽为DC～1.6 kHz的电流传感器。对直流电流给出了测试结果。传感器的非线性误差小于O.5％,在信号处理电路放大系数为l时,其灵敏度可达1.11 mV/mA;温度为-15℃～50℃、电流为250 mA时的温漂小于O.03％/℃,电流为O mA的温漂小于0.01％/℃;25℃环境下3 h测得传感器零漂小于0.02％(满量程)。此外,传感器可判定直流电流流向,并可在桥路电源变化时,其灵敏度保持很好的稳定性。; 鲍丙豪丁建宁李长生; 关键词：纳米晶合金非接触测量在线监测

MnZnFeO体环形磁芯微电流传感器的研究被引量：4: 2005年; 利用MnZnFeO体环形磁芯作为敏感材料,设计了一种采用单磁芯双绕组结构,高稳定性电压源供电,多谐振荡桥新型非接触型电流传感器及其信号处理电路。分析了传感器的工作原理,对传感器信号处理电路进行了参数设计计算,对测量结果进行了分析。通过对电路参数的优化设计,提高了传感器的分辨力、线性度及灵敏度。; 鲍丙豪赵湛; 关键词：非接触测量

弯曲应变下Co_(66)Fe_4Cr_2Si_(12)B_(16)非晶态合金带应力阻抗效应被引量：1: 2009年; 对具有负磁致伸缩系数的Co66Fe4Cr2Si12B16非晶合金带在制备态下及经脉冲电流退火下的应力阻抗效应进行了研究。结果表明:长为50mm的非晶带,在仅5mm挠度的弯曲应变作用下材料可显示显著的应力阻抗效应,输出电压幅值变化率大于40%。非晶材料经电流密度为35A/mm2,频率为2Hz,持续时间为30s的脉冲电流退火处理后,可改善应力阻抗效应灵敏度。该非晶材料受张应力作用时阻抗减小,受压应力作用时阻抗增大,弯曲应变下的应力阻抗效应可用于制作具有高应变因子的力传感器及新型智能材料。; 鲍丙豪张金卫张琳

各向异性场对非晶态合金应力阻抗效应的影响被引量：9: 2008年; 在非晶态合金材料中引入应力感生各向异性场及磁各向异性场,根据Maxwell方程组及带Gilbert项的Landau-Lifshitz方程,得到了能揭示非晶态合金材料应力阻抗效应的理论,理论结果可定性地解释实验结果.对不同各向异性场参数下的应力阻抗效应进行了大量计算,获得了一些对理论和应用具有一定参考价值的结论.; 鲍丙豪任乃飞王国余; 关键词：非晶态合金

磁芯气隙中串联层叠非晶带GMI效应电流传感器被引量：5: 2009年; 利用由CMOS多谐振荡桥及低通滤波器产生的正弦信号激励的钴基非晶带巨磁阻抗(GMI)效应设计出一种非接触型电流传感器。该非晶带经频率为2Hz,密度为35A/mm2,持续时间40s的脉冲电流退火。非晶带采用串联层叠方式嵌于带气隙的环形磁芯中,推出了气隙中的层叠非晶带受到的导线电流所产生的磁场公式。给出了传感器信号处理电路框图。当磁芯中引入强负反馈磁场时,实验结果表明,新型电流传感器的非线性误差小于0.5%FS,线性量程±7A。; 鲍丙豪; 关键词：电流传感器

基于非晶带巨磁阻抗效应的新型弱磁场传感器被引量：29: 2006年; 利用短时矩形脉冲电流对近零磁致伸缩系数钴基非晶态合金带进行退火处理,得到约114%的巨磁阻抗变化率.同时利用CMOS多谐振荡电路产生窄脉冲电流序列对前面处理过的非晶带进行激励,制作成灵敏度高、稳定性好、功耗低的弱磁场传感器.对传感器的工作原理进行了分析,并设计了信号处理电路.该传感器可应用于对弱磁场的检测.; 鲍丙豪蒋峰赵湛宋雪丰; 关键词：巨磁阻抗效应弱磁场传感器

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